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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國(guó)產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)越來(lái)越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
在現(xiàn)代電子工業(yè)中,半導(dǎo)體器件的性能與可靠性直接關(guān)系到整個(gè)電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。半導(dǎo)體TO(Transistor Outline)器件,作為電子系統(tǒng)中的...
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù),它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來(lái)繪制功能分子的自組裝單層,應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱UJT)和晶閘管(Thyristor)在電子學(xué)中都是重要的半導(dǎo)體器件,但它們?cè)?..
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管單結(jié)晶體管 947 0
光電晶體管是基極端子暴露的晶體管,來(lái)自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流,而是激活晶體管。這是因?yàn)楣怆娋w管由雙極半導(dǎo)體制成,并集中在通過(guò)它的能量上。
安森美先進(jìn)的汽車照明半導(dǎo)體方案使道路更安全
智能汽車照明正不斷演進(jìn),轉(zhuǎn)向基于LED的方案,提高道路安全性,實(shí)現(xiàn)節(jié)能3到5倍,增強(qiáng)用戶體驗(yàn),且創(chuàng)新的車燈造型設(shè)計(jì)以及可靠性的提升,還不斷拓寬汽車照明的新境界。
大家都知道二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦?。但是由于二極管存在半導(dǎo)體體電阻和引線電阻,所以當(dāng)外加正向電壓時(shí),在電流相同的情況下,二極管的端電壓大于PN結(jié)上的壓降;
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...
吉時(shí)利2606B數(shù)字源表的產(chǎn)品特點(diǎn)和應(yīng)用分析
2606B 高密度系統(tǒng) SourceMeter (SMU) 儀器在 1U 高的機(jī)箱中提供四條 20 瓦 SMU 通道。由于制造商需要優(yōu)化占地空間并減少測(cè)...
新一代G7系列浪潮云海超融合EC糾刪功能設(shè)計(jì)
浪潮云海在2023年5月正式發(fā)布新一代InCloud Rail G7系列超融合一體機(jī),其內(nèi)置的InCloud dSAN超融合存儲(chǔ)組件,基于新一代的硬件平...
中紅外帶間級(jí)聯(lián)激光器的研究進(jìn)展
近日,睿創(chuàng)研究院及睿創(chuàng)光子團(tuán)隊(duì)在中紅外帶間級(jí)聯(lián)激光器(Interband cascade laser,ICL)的研究取得重要進(jìn)展,相關(guān)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高性能、...
使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)是半導(dǎo)體工程研發(fā)中一個(gè)強(qiáng)大的概念,它是研究實(shí)驗(yàn)變量敏感性及其對(duì)器件性能影響的利器。如果DOE經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),工程師就可以使用有限的實(shí)驗(yàn)晶...
基于雙頻技術(shù)建模測(cè)量高k電介質(zhì)堆層中頻率的相關(guān)性
C-V測(cè)量是測(cè)定MOS器件特性的主要方法,它廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的研究中。C-V測(cè)量時(shí)常常在SiO2中觀察到有害的頻率離散。用于校正測(cè)量誤差數(shù)據(jù)的一些...
淺談半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體激光器是以半導(dǎo)體材料為增益介質(zhì)的激光器,依靠半導(dǎo)體能帶間的躍遷發(fā)光,通常以天然解理面為諧振腔。因此其具有波長(zhǎng)覆蓋面廣、體積小、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、抗輻射能力...
晶體二極管,作為電子電路中的一種基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件,以其獨(dú)特的非線性伏安特性和單向?qū)щ娦远鴱V受關(guān)注。它通常用符號(hào)D來(lái)表示,其核心部分是一塊由P型和N型半導(dǎo)體...
配合智能電表趨勢(shì)的安森美半導(dǎo)體PLC技術(shù)及解決方案的探討
當(dāng)今很多國(guó)家都已采用或即將部署智能電表系統(tǒng),并采用自動(dòng)遠(yuǎn)程集抄方式。目前備受關(guān)注的是法國(guó)ERDF的Linky電表項(xiàng)目。歐盟最大的電力配電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商、法國(guó)電...
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