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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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Verilog-A對緊湊型模型的支持逐步完善,在模型的實現(xiàn)上扮演越來越重要的角色,已經(jīng)成為緊湊模型開發(fā)的新標(biāo)準(zhǔn)。而且Verilog-A能夠在抽象級別和應(yīng)...
鋰電池保護器,也被稱為保護電路板(PCB),是一種內(nèi)嵌于鋰電池組中的電器元件。它主要由保護IC(集成電路)、MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、電...
日本HarmonicDrive哈默納科減速機SHF系列在半導(dǎo)體中的應(yīng)用
半導(dǎo)體行業(yè)依賴高精度設(shè)備,日本HarmonicDrive減速機SHF系列因高精度、高轉(zhuǎn)矩、低背隙等特性,在晶圓加工、芯片封裝、測試等關(guān)鍵環(huán)節(jié)確保高效穩(wěn)定運行。
半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到...
三極管擊穿是電子學(xué)領(lǐng)域中的一個重要概念,它涉及到三極管的工作特性、失效機制以及電路保護等多個方面。本文將從三極管擊穿的定義、類型、原因、危害、預(yù)防措施以...
半導(dǎo)體激光器在多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,包括光通信、激光醫(yī)療、工業(yè)加工、激光顯示、激光指示、激光傳感、航空國防、安全防護等。此外,半導(dǎo)體激光器還被應(yīng)用于激...
探究當(dāng)今產(chǎn)業(yè)背景和科技潮流中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)與變革時,不難發(fā)現(xiàn),一個至關(guān)重要的轉(zhuǎn)折點已經(jīng)發(fā)生——人工智能(AI)的崛起正以前所未有的力量,對電子設(shè)...
LED封裝技術(shù)是將LED芯片與外部電路連接起來,以實現(xiàn)電信號的輸入和光信號的輸出的一種技術(shù)。隨著LED技術(shù)的不斷發(fā)展,LED封裝技術(shù)也在不斷進步,以滿足...
2024-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體LED封裝技術(shù)光信號 1537 0
在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過程,包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線...
第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅(Si)和鍺(Ge)為代表,是集成電路制造的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中,90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品 是用...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
鋁帶鍵合點根部損傷研究:提升半導(dǎo)體封裝質(zhì)量
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,小型化和集成化已成為行業(yè)發(fā)展的主流趨勢。在這種背景下,鋁帶鍵合作為一種新型的半導(dǎo)體封裝工藝,因其優(yōu)良的導(dǎo)電性能、極小的接觸電阻...
引線鍵合廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體行業(yè)和微電子領(lǐng)域。它實現(xiàn)了集成電路(IC)中芯片與其他電子元件(如晶體管和電阻)之間的互連。引線鍵合通過在芯片的焊盤與...
芯片行業(yè)正迎來一場重大變革, 玻璃基板的開發(fā)正在為芯片材料的轉(zhuǎn)型奠定基礎(chǔ)。 在應(yīng)用的過程中困難重重,但其潛力不可小覷,可能需要數(shù)年時間才能完全解決相關(guān)問...
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下,對功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實現(xiàn)更高的效率(...
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個...
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實現(xiàn)方式
在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
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