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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

集成電路走下坡路了嗎

過(guò)去十年,是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的時(shí)光。在智能手機(jī)的量大、替換周期短的推動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有了爆發(fā)性的增長(zhǎng),也冒出來(lái)了很多新公司,尤其是中國(guó)大陸,在這波潮流的...

2018-11-18 標(biāo)簽:集成電路智能手機(jī)半導(dǎo)體 4522 0

使用能量收集為功率利用提供電源管理功能

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低壓差(LDO)穩(wěn)壓器,如德州儀器(TI)TPS797xx系列,飛兆半導(dǎo)體FAN2558,麥克雷爾MIC5248和MIC5258以及ADI公司ADP21...

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什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

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雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...

2024-02-23 標(biāo)簽:電流半導(dǎo)體雪崩擊穿 4502 0

采用VL020真空焊接設(shè)備解決半導(dǎo)體激光器芯片的焊接質(zhì)量問(wèn)題

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目前,大功率半導(dǎo)體激光器多采用P面燒結(jié),以實(shí)現(xiàn)良好的散熱。因而激光器芯片P面金屬化質(zhì)量直接影響燒結(jié)的質(zhì)量,同時(shí),熱沉和芯片的前期處理.In焊料厚度和芯片...

2019-06-04 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體激光器 4495 0

關(guān)于封測(cè)廠的分析和未來(lái)的發(fā)展

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Huemoeller指出:“進(jìn)入OSAT市場(chǎng)的代工廠成功的關(guān)鍵因素之一是將其芯片與先進(jìn)的封裝技術(shù)捆綁在一起。他們通過(guò)將其附加到封裝技術(shù)來(lái)確保芯片的銷售。...

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晶體管的工作狀態(tài)判斷方法

晶體管的工作狀態(tài)判斷是電子工程領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技能,它對(duì)于確保電路的正常運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。晶體管的工作狀態(tài)通常根據(jù)其內(nèi)部PN結(jié)的偏置情況來(lái)判斷,主...

2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管工作狀態(tài) 4487 0

車載電子元器件產(chǎn)品高質(zhì)量和高可靠性的要求研究

車載電子元器件產(chǎn)品高質(zhì)量和高可靠性的要求研究

當(dāng)今的消費(fèi)者和原始設(shè)備制造商(OEM)都要求將高質(zhì)量和高可靠性作為車載產(chǎn)品的基本要求。據(jù)估計(jì),車載電子元器件正以8.1%復(fù)合年均增長(zhǎng)率的速度增長(zhǎng)(CAA...

2021-04-13 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體 4484 0

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。

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本文介紹了通過(guò)Vf—TJ 曲線的標(biāo)出并控制LED 在控定的結(jié)溫下測(cè)量其光、色、電參數(shù)不僅對(duì)采用LED的照明器具的如何保證LED 工作結(jié)溫提供了目標(biāo)限位,...

2018-10-22 標(biāo)簽:二極管led照明半導(dǎo)體 4475 0

原子層ALD沉積介紹

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原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

2023-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVDCVD 4471 0

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發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)是一種電子器件,可以將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光。它由半導(dǎo)體材料制成,是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...

2024-02-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管電子器件 4469 0

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕劑寬度對(duì)幾何形狀的...

2021-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體刻蝕 4465 0

n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同?

n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。

2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體載流子 4460 0

半導(dǎo)體制造之加熱工藝

激光退火系統(tǒng)采用激光光源的能量來(lái)快速加熱晶圓表面到臨界溶化點(diǎn)溫度。由于硅的高導(dǎo)熱性,硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統(tǒng)可以在離...

2022-11-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝 4457 0

意行半導(dǎo)體如何推進(jìn)國(guó)產(chǎn)毫米波技術(shù)應(yīng)用落地

如今“意行芯”和毫米波雷達(dá)技術(shù),已廣泛被車載雷達(dá)、無(wú)人機(jī)雷達(dá)、智能交通雷達(dá)、安防雷達(dá)等領(lǐng)域的知名廠商批量應(yīng)用。

2018-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體毫米波技術(shù) 4456 0

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 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程,接下來(lái)我們就聊聊其工藝流...

2023-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片工藝流程 4447 0

飛兆半導(dǎo)體給汽車開(kāi)發(fā)的三相車用功率模塊逆變器

電流檢測(cè)放大器的直流增益和濾波器截止頻率如表 1 所示。該放大器能夠?qū)⒅返牡碗娖叫盘?hào)處理為一個(gè)有用的高電平控制信號(hào)。轉(zhuǎn)換所得的電流信號(hào)在輸出連接器上提...

2018-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器飛兆 4437 0

二極管和電力二極管的工作原理分析

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  需要注意的是,無(wú)論N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體還是二極管,均為電中性,原因很簡(jiǎn)單,在生產(chǎn)過(guò)程中加入的所有元素均為電中性,產(chǎn)物自然不會(huì)帶電。

2023-02-02 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電力 4437 0

便攜式醫(yī)療/醫(yī)療保健設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)化

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您能想象一個(gè)沒(méi)有移動(dòng)電話,互聯(lián)網(wǎng)或筆記本電腦的世界嗎?我們的世界將如何與眾不同?每天發(fā)送數(shù)十億封電子郵件。每天使用數(shù)十萬(wàn)臺(tái)計(jì)算機(jī)。你家里有多少部手機(jī)?為...

2019-03-04 標(biāo)簽:微控制器半導(dǎo)體醫(yī)療 4434 0

飛思卡爾S12ZVM混合集成芯片在車用BLDC中的應(yīng)用方案詳解

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BLDC電機(jī)與傳統(tǒng)有刷電機(jī)相比,具有更高的能效、更長(zhǎng)的使用壽命、更緊湊的外形、更低的噪音和更高的可靠性,這些優(yōu)點(diǎn)使得BLDC愈來(lái)愈多地出現(xiàn)在汽車應(yīng)用中,...

2018-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體飛思卡爾 4424 0

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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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