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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是什么意思

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管GaN 4297 0

用于芯片制造的襯底類型有哪些,分別用在哪些產(chǎn)品中?

襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。

2024-05-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器晶圓 4296 0

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),...

2023-12-15 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4292 0

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)

紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長(zhǎng)約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管(led)。

2024-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管PN結(jié) 4276 0

關(guān)于印度芯片產(chǎn)業(yè)的分析和介紹

由于受到主要生產(chǎn)基地中國(guó)大陸人工費(fèi)暴漲的影響,將鴻海推升為全球最大電子產(chǎn)品代工企業(yè)的原有增長(zhǎng)模式將迎來(lái)極限。印度的人工費(fèi)比中國(guó)低,且容易確保勞動(dòng)力。在應(yīng)...

2019-09-02 標(biāo)簽:芯片智能手機(jī)半導(dǎo)體 4274 0

變?nèi)荻O管的工作原理和作用

變?nèi)荻O管(Variable Capacitance Diode,簡(jiǎn)稱Varactor Diode),也被稱為調(diào)諧二極管或慢波二極管,是一種具有可變電容...

2024-09-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PN結(jié)變?nèi)荻O管 4274 0

采用傳感器集線器提高應(yīng)用的性能和功耗

采用傳感器集線器提高應(yīng)用的性能和功耗

傳感器已成為許多系統(tǒng)中的常規(guī)功能。它們與許多其他外圍設(shè)備一起存在,以增加可以納入系統(tǒng)正在完成的工作的環(huán)境輸入范圍。但是,在某些系統(tǒng)中,傳感器的數(shù)量可能會(huì)...

2019-02-12 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體spi 4271 0

恩智浦應(yīng)用于機(jī)頂盒的DVB-T調(diào)諧器,有何特點(diǎn)

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代的高清數(shù)字地面硅調(diào)諧器TD18211HD,它提高了機(jī)頂盒應(yīng)用的性能,同時(shí)降低了成本。TDA18211HD是業(yè)界首個(gè)純DVB-T調(diào)諧...

2018-09-20 標(biāo)簽:機(jī)頂盒半導(dǎo)體調(diào)諧器 4269 0

熱電阻檢定裝置的構(gòu)成及使用介紹

熱電阻檢定裝置的構(gòu)成及使用介紹

為了減少熱電阻自熱效應(yīng)引起的誤差,對(duì)熱電阻元件都規(guī)定了額定電流。額定電流是指在測(cè)量電阻時(shí),允許在某元件中連續(xù)通過(guò)的最大電流,一般為2-5mA。

2020-01-02 標(biāo)簽:電阻半導(dǎo)體熱電阻 4265 0

高功率雙相降壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

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雖然單相降壓控制器適用于電流要求高達(dá)約25 A的低壓變換器應(yīng)用,但當(dāng)負(fù)載電壓較低且電流要求較高時(shí),功耗和效率開(kāi)始成為問(wèn)題。對(duì)于工作電壓低于2 V且需要5...

2019-01-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體控制器 4265 0

關(guān)于安森美半導(dǎo)體高能效AC-DC LED通用照明方案分析和應(yīng)用

關(guān)于安森美半導(dǎo)體高能效AC-DC LED通用照明方案分析和應(yīng)用

NCL30088作為降壓-升壓驅(qū)動(dòng)器用于高達(dá)20 W的LED線性燈管時(shí),交流輸入電壓范圍90-305 Vac,正向電壓范圍90-180 Vdc,提供10...

2019-08-27 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體控制器 4263 0

GaN基微波半導(dǎo)體器件分析和比較

GaN基微波半導(dǎo)體器件分析和比較

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷...

2017-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體微波gan 4258 0

給便攜式設(shè)備增加無(wú)線功能要面臨哪些選擇和挑戰(zhàn)

給便攜式設(shè)備增加無(wú)線功能要面臨哪些選擇和挑戰(zhàn)

科技的進(jìn)步就是幫助人類化繁縟為簡(jiǎn)潔,提供更大的便利。近年來(lái),便攜式設(shè)備給消費(fèi)者在視聽(tīng)享受方面提供了很大的便利,隨著無(wú)線技術(shù)的飛速發(fā)展,給便攜式設(shè)備增加無(wú)...

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半導(dǎo)體7納米制程的第一輪戰(zhàn)役由臺(tái)積電搶下全球頭香

但近期有個(gè)震驚業(yè)界的消息傳出,Google 未來(lái)采用 7 納米制程工藝的 TPU 芯片,將會(huì)首度從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單到三星生產(chǎn),屆時(shí)三星也將包辦 ASIC 設(shè)計(jì)...

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簡(jiǎn)單制作一種熱電偶滑環(huán)裝置

在熱電偶回路中接入第三種金屬材料時(shí),只要該材料兩個(gè)接點(diǎn)的溫度相同,熱電偶所產(chǎn)生的熱電勢(shì)將保持不變,即不受第三種金屬接入回路中的影響。

2018-09-24 標(biāo)簽:熱電偶半導(dǎo)體 4248 0

增強(qiáng)式eCall車(chē)輛緊急呼叫系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

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面對(duì)復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),工程師們一直在努力尋求最簡(jiǎn)單的解決方案,汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的 eCall 設(shè)計(jì)也不例外。在本博客文章中,我們將回顧系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員如何進(jìn)行...

2022-03-10 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體呼叫系統(tǒng) 4245 0

半導(dǎo)體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

半導(dǎo)體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的...

2022-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓CMP 4240 0

半導(dǎo)體晶片鍵合的對(duì)準(zhǔn)方法

半導(dǎo)體晶片鍵合的對(duì)準(zhǔn)方法

多年來(lái),半導(dǎo)體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機(jī)或無(wú)機(jī)粘合材料的晶片鍵合與傳統(tǒng)的晶片鍵合技術(shù)相比具有許多優(yōu)點(diǎn),例如相對(duì)較低的鍵合溫度、沒(méi)有電壓...

2022-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶片鍵合 4239 0

新興封裝技術(shù):小型化趨勢(shì)永無(wú)止境

從MCM、ECP到2.5D的TSV等持續(xù)整合電子元件于更小封裝的創(chuàng)新技術(shù)出現(xiàn),主要的驅(qū)動(dòng)力量就來(lái)自于永無(wú)止境地追求更輕薄短小的智慧型手機(jī)。

2016-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝技術(shù)IC制造 4238 0

變?nèi)荻O管和應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)缺點(diǎn)

變?nèi)荻O管(Varactor Diodes),又稱“可變電抗二極管”,是一種利用PN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓變化而變化的特性制成的半導(dǎo)體器件。以下是...

2024-08-27 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體變?nèi)荻O管 4236 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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