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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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書接上回。我們提到了真空管的誕生催生了集成電路行業(yè)的發(fā)展,但是最初的真空管由于其體積較大、壽命較短、功耗較等缺點(diǎn),所以將許多商業(yè)巨擘將其推向更廣泛市場的...
現(xiàn)代電力電子正面臨著提高效率,同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸和成本的巨大需求,適用于廣泛的領(lǐng)域,包括電動(dòng)汽車、可再生能源、工業(yè)電機(jī)和發(fā)電機(jī)以及配電網(wǎng)應(yīng)用。為了跟上這種...
五大電子技術(shù)知識(shí)詳解(邏輯門電路 可控硅 二三極管)
一、半導(dǎo)體 1、半導(dǎo)體的有關(guān)概念 1)半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素,呈晶體結(jié)構(gòu),內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊...
1、純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素,呈晶體結(jié)構(gòu),內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。 2、半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。 3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化...
在本節(jié)中,我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開始,到最終的產(chǎn)品封裝階段,我們...
寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會(huì)被...
2023-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電子開關(guān) 1092 0
3D Cu-Cu混合鍵合技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和未來發(fā)展
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展,以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項(xiàng)突出進(jìn)步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術(shù),...
安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓
依托于光刻機(jī)的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場截止型IGB...
飛秒激光加工微結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)都有哪些呢?
飛秒激光加工通過緊聚焦超短脈沖激光來獲得具有超高能量密度的焦點(diǎn),能輕松突破衍射極限,實(shí)現(xiàn)超高精度復(fù)雜結(jié)構(gòu)的微納加工,并因其“冷加工”的性能特點(diǎn)極大的拓寬...
寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測器設(shè)計(jì)研究
寬禁帶半導(dǎo)體光電探測技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能,推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
在日常的電源設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制,以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì) 8764 0
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