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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

采用三種刻蝕方法制備黑硅材料

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本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅,研究發(fā)現(xiàn),在400~2200nm的波長(zhǎng)內(nèi),光的吸收顯著增強(qiáng),其中飛秒激光用六氟化...

2022-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3341 0

Ka波段衛(wèi)星通信趨勢(shì)和功率放大挑戰(zhàn)

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對(duì)數(shù)據(jù)不斷增長(zhǎng)的需求正在推動(dòng)衛(wèi)星通信(衛(wèi)星通信)的強(qiáng)勁增長(zhǎng),特別是在更高頻段。但是,許多公司沒有專注于較低的頻率范圍,而是專注于更高頻率的Ka-Band...

2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體互聯(lián)網(wǎng)衛(wèi)星通信 3341 0

什么是控制系統(tǒng)以及如何設(shè)計(jì)DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制回路

本文分為三個(gè)部分。前兩部分討論控制系統(tǒng)理論、一般降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)湟约叭绾卧O(shè)計(jì)DC-DC控制環(huán)路。在第三部分中,我們以MAX25206為例,說明如...

2022-12-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體控制器 3337 0

光敏二極管的基本特性

光敏二極管作為一種重要的半導(dǎo)體光電器件,具有一系列獨(dú)特的基本特性。以下是對(duì)光敏二極管基本特性的詳細(xì)闡述,旨在提供全面且深入的理解。

2024-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電器件光敏二極管 3326 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法(PVT)制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶,并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶SiC 3326 0

一種在半導(dǎo)體基板上形成微細(xì)結(jié)構(gòu)的激光加工裝置和加工方法

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半導(dǎo)體基板可以是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中常用的晶圓,例如硅晶圓、絕緣體上的硅(SOI:Silicon On Insulator)晶圓、鍺硅晶圓、鍺晶圓、氮化鎵晶...

2020-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光光學(xué)系統(tǒng) 3325 0

如何有效地降低LED的工作溫度

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綠色環(huán)保時(shí)代的來臨對(duì)能源的高效率利用提出了更高的要求,照明技術(shù)作為最早推動(dòng)電網(wǎng)建設(shè)的民用技術(shù),同樣也正在進(jìn)入一個(gè)由傳統(tǒng)的熱光源照明轉(zhuǎn)向以LED等高效節(jié)能...

2019-11-18 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體制冷技術(shù) 3322 0

關(guān)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的分析和介紹

華強(qiáng)芯城總經(jīng)理江良華表示,“華強(qiáng)芯城很高興宣布同聚洵達(dá)成合作,期待兩家公司共同開拓模擬和混合信號(hào)集成電路市場(chǎng)。同時(shí),華強(qiáng)芯城將利用網(wǎng)上商城、電子發(fā)燒友平...

2019-08-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件物聯(lián)網(wǎng) 3321 0

IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關(guān)損耗等權(quán)衡...

2023-03-08 標(biāo)簽:芯片模塊半導(dǎo)體 3319 0

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3317 0

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

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碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡(jiǎn)稱SiC襯底)也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻單晶 3310 0

利用可充電薄膜存儲(chǔ)器件設(shè)計(jì)電源

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薄膜電池為工程師提供了一個(gè)獨(dú)特的組件,可用于為電路設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)電源。薄膜器件具有超級(jí)電容器和傳統(tǒng)電池的許多優(yōu)點(diǎn),是半導(dǎo)體器件,可簡(jiǎn)化電路集成,同時(shí)提供高能量...

2019-03-06 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體存儲(chǔ) 3307 0

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝簡(jiǎn)述

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高壓直流電源用于加速離子,大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子,需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路板cpu 3307 0

在為半導(dǎo)體器件進(jìn)行封裝時(shí)需要考慮哪5個(gè)關(guān)鍵因素?

因此,英飛凌推出了一種叫做Trenchstop高級(jí)隔離的封裝技術(shù)(圖3)。這家德國(guó)芯片廠家稱,Trenchstop封裝技術(shù)可以取代全隔離封裝(FullP...

2018-08-10 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體封裝 3296 0

半導(dǎo)體只讀存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)、分類介紹

 只讀存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱ROM)所存數(shù)據(jù),一般是在裝入整機(jī)前事先寫好的。整機(jī)工作過程中只能從只讀存儲(chǔ)器中讀出事先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),而不象隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便...

2020-03-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器ROM 3292 0

金剛石半導(dǎo)體的特點(diǎn) 金剛石半導(dǎo)體的應(yīng)用市場(chǎng)

  金剛石半導(dǎo)體是一種由金剛石構(gòu)成的半導(dǎo)體材料,它具有較高的熱穩(wěn)定性、較高的電磁屏蔽性能和較高的耐腐蝕性,可以用于制造電子器件,如晶體管等。

2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管電子器件 3292 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3292 0

氣敏電阻的應(yīng)用(煤氣、煙霧、火災(zāi)檢測(cè)電路圖)

氣敏電阻的應(yīng)用(煤氣、煙霧、火災(zāi)檢測(cè)電路圖)

大家都知道,在交通規(guī)則中,酒駕是違法的,通常情況交警會(huì)讓呼一口氣,就可以檢測(cè)有沒有酒駕; 如果發(fā)生火災(zāi),會(huì)有報(bào)警器提醒; 家中燃?xì)庑孤┮矔?huì)有報(bào)警器,其實(shí)...

2023-05-16 標(biāo)簽:電路圖半導(dǎo)體電阻器 3290 0

基于單層MoSe2-WSe2異質(zhì)結(jié)器件

近幾十年來,硅芯片的尺寸一直在不斷減小,正接近其物理極限。電子產(chǎn)業(yè)一直面臨著尋找具有本征半導(dǎo)體特性的納米材料的艱巨挑戰(zhàn)。

2022-10-19 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體石墨烯 3285 0

關(guān)于半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)的介紹(一)

半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機(jī)會(huì)打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù),這些電器可以為消費(fèi)者提供更好的便捷性,同時(shí)提供一致的烹飪效果。本次會(huì)議將...

2018-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體nxprf 3284 0

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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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