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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)...
伺服驅(qū)動(dòng)器是用來控制伺服電機(jī)的一種控制器,其作用類似于變頻器作用于普通交流馬達(dá),屬于伺服系統(tǒng)的一部分主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變頻器定位系統(tǒng) 3015 0
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之DEC模塊運(yùn)行流程
確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會(huì)在第一步已經(jīng)生成的dec目錄中繼續(xù)輸出相關(guān)文件,包括缺陷...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之PREPARE模塊運(yùn)行流程
新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時(shí)準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in 文件,執(zhí)行 dasp 1 ,即可啟動(dòng)PREPARE模...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之準(zhǔn)PREPARE
ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料,但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用,實(shí)驗(yàn)上認(rèn)為這些吸收與點(diǎn)缺陷相關(guān)。因此,有必要對(duì)ZnGeP2的點(diǎn)缺陷性質(zhì)開展...
除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng) 3964 0
公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中,手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對(duì)于經(jīng)常開車出門的人來說,在車上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需,因此車載充電器是很多車主的不二之選,它能便捷地解...
半導(dǎo)體領(lǐng)域集成微多孔透氣膜材料應(yīng)用介紹
POD無塵拖鏈護(hù)套采用高分子PU與e-PTFE基膜(PD014PD011)復(fù)合制成。POD無塵拖鏈護(hù)套專用e-PTFE基膜(PD014PD011)具有低...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...
為摩爾定律“續(xù)命”,Chiplets技術(shù)能行嗎
Chiplet也稱為“小芯片”或“芯?!?,它是一種功能電路塊,包括可重復(fù)使用的IP塊。出于成本和良率等考慮,一個(gè)功能豐富且面積較大的芯片裸片(die)可...
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,由三個(gè)摻雜不同的半導(dǎo)體材料組成,通常是n型半導(dǎo)體、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體。晶體管具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),...
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。...
場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件,它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比,場效應(yīng)...
晶體管是一種三極管,由發(fā)射極、基極和集電極組成。它的主要作用是放大電信號(hào)和控制電流。晶體管的工作原理是通過控制基極電流來控制集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)電流...
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