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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

一文解讀電荷的復(fù)合

一文解讀電荷的復(fù)合

根據(jù)前面的分析,電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率,這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。

2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT電荷 2469 0

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體化學(xué) 2466 0

基于半導(dǎo)體泵浦固體綠激光器的目標(biāo)測(cè)距、測(cè)厚的實(shí)驗(yàn)研究

基于半導(dǎo)體泵浦固體綠激光器的目標(biāo)測(cè)距、測(cè)厚的實(shí)驗(yàn)研究

本系統(tǒng)共分四個(gè)部分:鎖相穩(wěn)頻部分、激光發(fā)射調(diào)制部分、光電接收檢測(cè)部分和鑒相顯示部分。其系統(tǒng)框圖如圖1所示。

2019-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光探測(cè)器 2466 0

關(guān)于加速中國(guó)本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的方案設(shè)計(jì)

不僅如此,構(gòu)建本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈也已成為國(guó)家所支持的產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式中重要一環(huán),即本土原廠和本土分銷商合作,優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),有利于保障半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的安全與穩(wěn)定,從而...

2019-08-30 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體智能化 2464 0

如何判斷場(chǎng)效應(yīng)管的好壞

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的電子器件。它在電子電路、信號(hào)處理、功率...

2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2463 0

?晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

?晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展

晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓,在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起,該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛...

2023-06-14 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶圓 2461 0

高壓變頻器的7大應(yīng)用領(lǐng)域盤點(diǎn)

高壓變頻器的7大應(yīng)用領(lǐng)域變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。

2024-01-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體壓縮機(jī)高壓變頻器 2460 0

低介電常數(shù)材料的發(fā)展歷程

低介電常數(shù)材料的發(fā)展歷程

半導(dǎo)體永遠(yuǎn)都是在圍繞摩爾定律(Moore's Law),不僅有器件物理尺寸以及制程工藝上的微縮,還有后段金屬互連。對(duì)于下游應(yīng)用來說,影響芯片主...

2024-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體cpu低介電常數(shù) 2458 0

深度剖析超寬禁帶技術(shù),看它如何成就卓越設(shè)計(jì)

在了解UWBG半導(dǎo)體之前,我們先回顧一下WBG半導(dǎo)體有別于傳統(tǒng)硅器件的地方。WBG半導(dǎo)體與同等的硅器件相比更小、更快、更高效。WBG器件能在極具挑戰(zhàn)性的...

2023-05-09 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 2453 0

場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管的區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)和雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管雙極型晶體管 2452 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2451 0

二極管的常見種類及其特性

二極管,作為電子元件中的重要一員,在電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮著不可替代的作用。隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用的廣泛,二極管的種類也日益豐富。本文將對(duì)二極管的常見種類進(jìn)行詳細(xì)...

2024-05-21 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電子元件 2450 0

MOS管寄生參數(shù)的定義與分類

MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中,除MOS管基本電氣特性(如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等)外,由于制造工藝、封裝方式以及...

2024-10-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管寄生參數(shù) 2450 0

半導(dǎo)體襯底材料的選擇

電子科技領(lǐng)域中,半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料,承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

2024-01-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底碳化硅 2449 0

利用半導(dǎo)體壓力傳感器和ARM實(shí)現(xiàn)便攜式心血管無創(chuàng)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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目前對(duì)心血管健康狀況的檢測(cè)方法大多數(shù)是應(yīng)用于醫(yī)院的臨床診斷,有的是有創(chuàng)傷性的,給人體帶來痛苦甚至感染;有的需要專業(yè)醫(yī)生操作,檢測(cè)過程非常繁瑣。特別是大多...

2019-05-14 標(biāo)簽:傳感器arm半導(dǎo)體 2448 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和分類

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,又稱為半導(dǎo)體內(nèi)存,是一種基于半導(dǎo)體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲(chǔ)數(shù)字信息。這種存儲(chǔ)器在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色,...

2024-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 2446 0

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)/工作原理/基本特性/常用參數(shù)/選型原則

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)/工作原理/基本特性/常用參數(shù)/選型原則

MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2023-07-21 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2444 0

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。

2023-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 2442 0

vdmos和mos有什么區(qū)別

Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...

2024-09-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體VDMOS晶體管 2442 0

半導(dǎo)體空調(diào)制冷原理 半導(dǎo)體空調(diào)制冷量與流量關(guān)系

半導(dǎo)體空調(diào)制冷原理: 半導(dǎo)體空調(diào)是一種利用半導(dǎo)體材料自身特性進(jìn)行制冷的空調(diào)系統(tǒng)。它不需要使用傳統(tǒng)的壓縮循環(huán)制冷劑,而是直接通過電能來提供制冷效果。半導(dǎo)體...

2024-02-04 標(biāo)簽:模塊半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 2442 0

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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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