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      標(biāo)簽　>　華太電子

      華太電子

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      蘇州華太電子技術(shù)有限公司成立于 2010 年，為射頻功率和功率行業(yè)提供領(lǐng)先的解決方案。經(jīng)過十多年的研發(fā)，華太已經(jīng)開發(fā)了器件和工藝技術(shù)，獲得了核心技術(shù)專利，并使用國產(chǎn)晶圓制造工藝創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了高性能LDMOS，GaN，超級IGBT，SiC SBD，PUF芯片以及工控MCU產(chǎn)品的國產(chǎn)化。

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      　　蘇州華太電子技術(shù)有限公司成立于 2010 年，為射頻功率和功率行業(yè)提供領(lǐng)先的解決方案。經(jīng)過十多年的研發(fā)，華太已經(jīng)開發(fā)了器件和工藝技術(shù)，獲得了核心技術(shù)專利，并使用國產(chǎn)晶圓制造工藝創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了高性能LDMOS，GaN，超級IGBT，SiC SBD，PUF芯片以及工控MCU產(chǎn)品的國產(chǎn)化。主要市場領(lǐng)域包括：通訊、能源與電源、汽車電子。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)和創(chuàng)新的核心技術(shù)是華太優(yōu)于其他公司的競爭優(yōu)勢。

      　　? 我們的團(tuán)隊(duì)精通器件設(shè)計、工藝開發(fā)、功放設(shè)計、大信號模型開發(fā)、單片微波集成電路設(shè)計、封裝設(shè)計、可靠性測試和量產(chǎn)。未來，華太將繼續(xù)培育新興技術(shù)，為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案。

      　　2010——公司注冊成立

      　　2014——基于LDMOS的高性能射頻功率放大管研發(fā)

      　　2015——量產(chǎn)國內(nèi)第一顆用于GSM基站的900MHz 180W大功率射頻功率芯片

      　　2018——通過ISO9001:2005認(rèn)證；基站類RF LDMOS產(chǎn)品年出貨量超過100萬顆；RF LDMOS年出貨量超過2000萬顆

      　　2019——基站類RF LDMOS產(chǎn)品累計出貨量超過1000萬顆

      　　2020——量產(chǎn)國內(nèi)第一個用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片；成為市級企業(yè)研發(fā)技術(shù)中心；合并佛山華智；成立長沙瑤華封測廠

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      華太電子技術(shù)

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