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標(biāo)簽 > 單片機(jī)
單片機(jī)(Microcontrollers,亦稱MCU)包括了CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM應(yīng)...
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
想學(xué)單片機(jī)開發(fā),最主要是熟悉stm32的軟件開發(fā)環(huán)境,目前stm32的開發(fā)環(huán)境,主流是KEIL和IAR,當(dāng)然主要是windows版本運(yùn)行。
要在優(yōu)化性能的同時(shí)最大限度地節(jié)省成本和設(shè)計(jì)占用的空間,32 引腳、32 KB 單片機(jī)(MCU)是滿足這一設(shè)計(jì)需求的最佳平衡點(diǎn)。
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
抗干擾設(shè)計(jì)的基本任務(wù)是系統(tǒng)或裝置既不因外界電磁干擾影響而誤動(dòng)作或喪失功能,也不向外界發(fā)送過大的噪聲干擾,以免影響其他系統(tǒng)或裝置正常工作。因此提高系統(tǒng)的抗...
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
使用單片機(jī)進(jìn)行多氣體檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹了進(jìn)行多氣體分析的電子嗅覺系統(tǒng)的硬件結(jié)構(gòu)和軟件設(shè)計(jì)。在本設(shè)計(jì)中采用多傳感器組成傳感器陣列,可針對(duì)多種不同氣體進(jìn)行信息采集、信息轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)處理,顯...
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
IBF66系列產(chǎn)品是基于單片機(jī)的智能監(jiān)測(cè)和控制系統(tǒng),所有的用戶設(shè)定的地址,波特率,數(shù)據(jù)格式,校驗(yàn)和狀態(tài)等配置信息都儲(chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器EEPROM里。
2022-07-14 標(biāo)簽:單片機(jī)控制系統(tǒng)編碼器 1466 0
NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷??捎糜谪?fù)載開關(guān)和電池 保護(hù)應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
RS485/232轉(zhuǎn)4-20ma數(shù)字轉(zhuǎn)12路模擬信號(hào)模塊簡介
IBF34系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)主機(jī)RS-485/232接口信號(hào)隔離轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)模擬信號(hào),用以控制遠(yuǎn)程設(shè)備。IBF34系列產(chǎn)品可應(yīng)用在 RS-232/RS-485總...
NP50P03D6 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P03D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
NP3403MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM應(yīng)...
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
集成微控制器的的SOC無線收發(fā)芯片XL2401C簡介
XL2401C 芯片是工作在2.400~2.483GHz世界通用ISM 頻段,集成微控制器的的SOC 無線收發(fā)芯片。
NP3401YMR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401YMR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供卓越的RDS(ON)技術(shù) 一般特征 、低門 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中...
NP3401HR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401HR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
np3401mr - n30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR-N采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈...
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