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標(biāo)簽 > 單片機(jī)
單片機(jī)(Microcontrollers,亦稱MCU)包括了CPU、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器等功能集成到一塊硅片上構(gòu)成的一個(gè)小而完善的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng),在工業(yè)控制領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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NP2307MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2307SR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307SR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...
NP2307DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與 門(mén)費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -...
大神指導(dǎo)電子工程師新入職以后的學(xué)習(xí)規(guī)劃
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新機(jī)遇,集成電路產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,剛剛踏入電子行業(yè)的你別迷茫,蜥蜴哥這份規(guī)劃建議你必須要看 首先,我們要明確一點(diǎn),硬件設(shè)計(jì)人才集中在半導(dǎo)體行業(yè)...
2022-07-07 標(biāo)簽:電子工程師單片機(jī)芯片設(shè)計(jì) 1921 0
NP60P02G 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P02G采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 較低的門(mén) 電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。 ?VDS = -20v id...
NP60P02D6 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P02D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于 用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -20v id...
8位單片機(jī)NY8A054E概述、功能及特點(diǎn)
NY8A054E是以EPROM作為存儲(chǔ)器的 8 位單片機(jī),專(zhuān)為多組PWM的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。例如燈控,遙控車(chē)應(yīng)用。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能...
NP2309EFR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2309EFR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 ...
NP3417BEMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3417BEMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵極充電和操作 柵極電壓低至1.8V。這個(gè)裝置很合適 用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)...
2022-07-07 標(biāo)簽:單片機(jī) 1006 0
NP3417EVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3417EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM ...
NP3415EVR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3415EVR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM ...
NP3415EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3415EMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
NP2309EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2309EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 ...
NP8P016MR 16V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP8P016MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至1.8V。 本裝置適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或中壓開(kāi)關(guān) 脈寬調(diào)...
NP1205MR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP1205MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
GuiLite:一個(gè)優(yōu)秀的單片機(jī)圖形庫(kù)
????本文給大家推薦一個(gè)很不錯(cuò)的Gui庫(kù):GuiLite,非常好用,希望對(duì)你有所幫助。 GuiLite介紹 ??? GuiLite是一個(gè)開(kāi)源的Gui框...
? 單片機(jī)執(zhí)行指令 ????我們來(lái)思考一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)我們?cè)诰幊唐髦邪岩粭l指令寫(xiě)進(jìn)單片機(jī)內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令。 ????那么這條指...
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