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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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本文介紹了萬用表如何判斷mos管好壞,mos管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以...
2018-01-12 標(biāo)簽:萬用表mos管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 13.4萬 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管,英語名稱為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管,是一種通過對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來控制輸出回路電流的器件??煞?..
2018-11-26 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.8萬 0
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念,即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流,然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí),通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管NVM 3.5萬 0
IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點(diǎn)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱JFET,已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件,可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。
2023-02-09 標(biāo)簽:JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管jfet器件 2.9萬 0
場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的
場(chǎng)效應(yīng)管(英語:field-effect transistor,縮寫:FET)是一種通過電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.7萬 0
新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成,這將改變下一代存儲(chǔ)格局
不過,就研發(fā)階段而論,F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET,其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...
2018-01-10 標(biāo)簽:內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬 0
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
TPS40200寬輸入范圍非同步電壓模式控制器的詳細(xì)英文原版資料概述立即下載
類別:DSP 2018-04-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1950 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管原理與應(yīng)用立即下載
類別:電子資料 2021-03-19 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1767 0
AO3403 P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2012-11-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管P溝道AO3403 1599 0
基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高壓電脈沖產(chǎn)生技術(shù)立即下載
類別:電源技術(shù) 2011-09-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管高壓電脈沖高壓電 1496 0
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的霍耳效應(yīng)的理論分析立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2011-09-15 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管霍耳效應(yīng) 1211 0
MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源技術(shù) 2012-03-05 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1127 0
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2011-06-21 標(biāo)簽:碳納米管晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1124 0
并聯(lián)增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管提高轉(zhuǎn)換器性能立即下載
類別:電子書籍 2012-06-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管寄生電感開關(guān)閾值電壓 1123 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路設(shè)計(jì)立即下載
類別:電子教材 2012-02-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1118 0
類別:電子教材 2016-08-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 989 0
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理和主要性能指標(biāo)
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(organic fieldeffect tran-sisbor,OFET)因具有以下幾個(gè)突出特點(diǎn)而受到研究人員的極大重視:材料來源廣、...
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.0萬 0
電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),主要用于放大弱信號(hào),主要是無線信號(hào),放大模擬和數(shù)字信號(hào)。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種使用電場(chǎng)效應(yīng)改變器件電性能的晶體...
2022-04-16 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制 3.7萬 0
晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為N...
2019-04-09 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極性晶體管 3.6萬 0
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹
隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(Band-to-band tun...
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3.3萬 0
有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么_有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹
本文從基本結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用研究三個(gè)方面介紹了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2018-01-03 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.9萬 0
講一講MOS的概念、工作原理、分類以及相關(guān)應(yīng)用
MOS的英文全稱就是MOSFET,其中后綴FET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫,F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來...
增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
總的來說,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-F...
2012-02-02 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2萬 1
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性...
2023-08-25 標(biāo)簽:MOS管信噪比場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.7萬 0
然而在這里,我們也不得不提及另外一個(gè)大的人物,馬丁阿塔拉(Martin M. “John” Atalla)他也被認(rèn)為是MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)明人之一, ...
2020-04-04 標(biāo)簽:集成電路MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.6萬 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類_場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場(chǎng)去控制導(dǎo)電溝道形狀,因此...
2017-12-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5萬 0
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