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場效應(yīng)晶體管

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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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場效應(yīng)晶體管技術(shù)

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）的工作原理/工作模式/特性/優(yōu)點

結(jié)型場效應(yīng)晶體管，簡稱JFET，已被廣泛用于電子電路中。結(jié)型場效應(yīng)管JFET是一種可靠且有用的電子元件，可以很容易地用于從放大器到開關(guān)電路的各種電子電路中。

2023-02-09 標(biāo)簽：JFET 場效應(yīng)晶體管 jfet器件 2.9萬 0

淺析動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲器 1079 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 844 0

FET與BJT的比較 FET的分類介紹

　　FET的全稱是場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor)，和BJT不同，F(xiàn)ET的核心工作原理是：通過在半導(dǎo)體上施加一個電場來改變...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 7440 0

鰭式場效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；

2023-01-31 標(biāo)簽：晶體管場效應(yīng)晶體管 FinFET 4301 0

平面互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程

該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學(xué)機(jī)械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

2023-01-17 標(biāo)簽：CMOS 多晶硅晶體管 3111 0

關(guān)于模擬電路的40個實用小常識

穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。

2023-01-09 標(biāo)簽：pcb 模擬電路穩(wěn)壓二極管 525 1

柵氧化層和多晶硅柵工藝示意圖解析

當(dāng)核心區(qū)域和 I/O 區(qū)域都已經(jīng)生長晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Sta...

2022-12-08 標(biāo)簽：CMOS 晶體管場效應(yīng)晶體管 7664 1

智能化與電動化雙輪驅(qū)動，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無疑成為了最重要...

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1058 0

場效應(yīng)晶體管放大電路詳解

場效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對應(yīng)于晶體管放大電路，場效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài)：共源極放大電路、共漏極放大...

2022-11-30 標(biāo)簽：放大電路 MOS管場效應(yīng)晶體管 4343 0

第一個晶體管的誕生你知道嗎

雙極結(jié)型晶體管使用幾乎相同的原理實現(xiàn)放大，但具有兩個半導(dǎo)體界面或結(jié)，而不是一個。與點接觸晶體管一樣，施加的電壓克服勢壘并使電流流動，該電流由較小的輸入電流調(diào)制。

2022-11-22 標(biāo)簽：三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 3825 0

IGBT模塊參數(shù)詳解車用IGBT模塊可靠性

絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（...

2022-11-16 標(biāo)簽：IGBT 場效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 853 0

一種用于實時檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器

這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。

2022-11-10 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管生物傳感器 840 0

應(yīng)用于汽車功放電路的FHP45N20W場效應(yīng)管

如何能夠從品質(zhì)提升自己的產(chǎn)品力，進(jìn)而獲取市場青睞。對于汽車音響功放，選用一款能替代國外IRFB38N20D型號參數(shù)的MOS管尤為重要。

2022-10-28 標(biāo)簽：MOS管場效應(yīng)晶體管 1427 0

MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？

什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物...

2022-10-11 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場效應(yīng)晶體管 2006 0

增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識

MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應(yīng)晶體管，主要用于放大或切換信號。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中，與BJT相比，MOSFET的使用頻率更高一些。

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 9190 0

場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，因而得名...

2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管場效應(yīng)晶體管 7293 0

如何選擇MOS管還是三極管？

MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，相關(guān)文章:MOS管基本認(rèn)識。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)...

2022-09-13 標(biāo)簽：三極管 MOS管場效應(yīng)晶體管 2034 0

放大電路的應(yīng)用實例

圖7-39為三極管寬頻帶視頻放大電路。

2022-08-14 標(biāo)簽：三極管放大電路場效應(yīng)晶體管 3869 0

三星宣布業(yè)界首個3nm級制造技術(shù)開始大量生產(chǎn)

納米線是直徑在納米量級的納米結(jié)構(gòu)。納米線技術(shù)的基本吸引力之一是它們表現(xiàn)出強(qiáng)大的電學(xué)特性，包括由于其有效的一維結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的高電子遷移率。

2022-04-29 標(biāo)簽：臺積電晶體管場效應(yīng)晶體管 2827 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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場效應(yīng)晶體管

場效應(yīng)晶體管技術(shù)

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