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      標(biāo)簽　>　基本半導(dǎo)體

      基本半導(dǎo)體

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      深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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      基本半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)

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      基本半導(dǎo)體簡(jiǎn)介

      　　深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員包括來(lái)自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的十多位博士。

      　　基本半導(dǎo)體掌握國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101可靠性測(cè)試，其他同平臺(tái)產(chǎn)品也將逐步完成該項(xiàng)測(cè)試?；景雽?dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

      　　基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一，廣東省未來(lái)通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心，公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國(guó)”新銳企業(yè)、“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、中國(guó)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專(zhuān)業(yè)賽一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

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      基本半導(dǎo)體技術(shù)

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用

      在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中，儲(chǔ)能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應(yīng)用，儲(chǔ)能PCS的效率、...

      2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET功率器件PCS 1310 0

      基本半導(dǎo)體正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521x簡(jiǎn)介

      基本半導(dǎo)體正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片BTP1521x簡(jiǎn)介

      基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開(kāi)關(guān)電源芯片，集成上電軟啟動(dòng)功能及過(guò)溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過(guò)OSC腳設(shè)...

      2025-01-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源DCDC電源芯片 1447 0

      基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

      基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

      隨著可再生能源、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

      2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 861 0

      基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

      隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車(chē)...

      2024-07-18 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 784 0

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

      2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3439 0

      國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

      國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

      PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源（特別是通信電源）中。現(xiàn)階段，PFC電路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，電源的損耗較大，效率偏低。在電源的PFC電路...

      2022-07-25 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體 1187 0

      國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車(chē)載充電機(jī)二次側(cè)整流

      國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車(chē)載充電機(jī)二次側(cè)整流

      車(chē)載充電機(jī)可實(shí)現(xiàn)交流輸入（85VAC~265VAC）/直流輸出（200VDC-750VDC）輸出的功能，其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...

      2022-07-20 標(biāo)簽：肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 920 0

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

      2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET功率器件可靠性測(cè)試 1647 0

      淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      淺談新能源汽車(chē)電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車(chē)用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù)，申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利，產(chǎn)品性能...

      2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 1128 0

      基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

      基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)

      混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...

      2023-05-18 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 511 0

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      基本半導(dǎo)體資訊

      基本半導(dǎo)體亮相2025國(guó)際太陽(yáng)能光伏和智慧能源展覽會(huì)

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      基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其...

      2025-06-10 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 151 0

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      2025-06-06 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET基本半導(dǎo)體 321 0

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      基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用

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      2024-12-26 標(biāo)簽：功率器件碳化硅充電設(shè)施 940 0

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      基本半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

      型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
      B1D08065E 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A;
      B1D04065F
      B1D20120H 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV;
      B1D10065KF 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;
      B1D10065E 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V;

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        +關(guān)注
        WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
      • 汽車(chē)
        汽車(chē)
        +關(guān)注
      • dcdc轉(zhuǎn)換器
        dcdc轉(zhuǎn)換器
        +關(guān)注
        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
      • 檢測(cè)電路圖
        檢測(cè)電路圖
        +關(guān)注
      • Zynq-7000
        Zynq-7000
        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
      • CD4069
        CD4069
        +關(guān)注
      • 特斯拉線圈
        特斯拉線圈
        +關(guān)注
        特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
      • 過(guò)流保護(hù)電路
        過(guò)流保護(hù)電路
        +關(guān)注
        電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
      • 過(guò)零檢測(cè)電路
        過(guò)零檢測(cè)電路
        +關(guān)注
        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
      • VDD
        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
      • VHF
        VHF
        +關(guān)注
      • HarmonyOS
        HarmonyOS
        +關(guān)注
        HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
      • 逆變器電路圖
        逆變器電路圖
        +關(guān)注
      • 慕尼黑上海電子展
        慕尼黑上海電子展
        +關(guān)注
      • AIoT
        AIoT
        +關(guān)注
        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
      • 測(cè)試電路
        測(cè)試電路
        +關(guān)注
      • 功放板
        功放板
        +關(guān)注
      • ELMOS
        ELMOS
        +關(guān)注
      • 科創(chuàng)板
        科創(chuàng)板
        +關(guān)注
        擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
      • 74LS00
        74LS00
        +關(guān)注
        74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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      ycq654263138 唐老鴨

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      時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
      視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
      5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
      NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
      Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
      語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
      CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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