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基本半導(dǎo)體

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深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。

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基本半導(dǎo)體資訊

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來說，該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成：首先是n+型碳化硅襯底，接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層，這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部，從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅基本半導(dǎo)體 1124 0

第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)

近日，在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上，基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn)，榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎(jiǎng)”?；景雽?dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...

2024-04-02 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1382 0

基本半導(dǎo)體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領(lǐng)先技術(shù)

近日，第38屆日本國際電子科技博覽會（NEPCON JAPAN）在東京有明國際展覽中心（TOKYO BIG SIGHT）盛大舉行。此次盛會，作為亞洲電子...

2024-03-04 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1037 0

國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這...

2022-12-05 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代國芯思辰 1097 0

國芯思辰｜對標(biāo)科銳C4D30120D，40A/1200V碳化硅肖特基二極管B2D40120HC1用于機(jī)車空調(diào)升壓電源

在動(dòng)車或地鐵中，機(jī)車空調(diào)需要有穩(wěn)定的電力供電，保持車廂內(nèi)的空氣質(zhì)量。當(dāng)機(jī)車出現(xiàn)故障時(shí)，需要通過后備電池給空調(diào)供電。而機(jī)車中常規(guī)的后備電池電壓為直流110...

2022-11-30 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代碳化硅肖特基二極管 798 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各...

2022-11-25 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1285 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體?650V碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1替代C3D20065D助力1.3kW服務(wù)器電源

如圖為1.3kW服務(wù)器電源電路框圖，主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成，輸出12V電壓；在PFC功率因數(shù)校正部分，...

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 972 0

國芯思辰｜1200V/44A高性能碳化硅MOS在5-6KW車載OBC上的應(yīng)用，可替代C2M0080120D

車載OBC又稱車載交流充電機(jī)，安裝于電動(dòng)汽車上，通過插座和電纜與交流插座連接，以三相或者單相交流電源向汽車提供電源；車載OBC的優(yōu)點(diǎn)是不管車載電池在任何...

2022-11-17 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1294 0

國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計(jì)

在1KWPFC電源設(shè)計(jì)中，功率因數(shù)校正部分市場上主流的器件方案為SiMOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩(wěn)定的...

2022-11-15 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 992 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī)，工作結(jié)溫-55~175℃

氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī)，原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)，經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動(dòng)電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備，具有無噪...

2022-11-09 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體氫能源發(fā)電機(jī) 1013 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D06065E在主體為BOOST電路的PFC電路應(yīng)用方案

計(jì)算機(jī)開關(guān)電源是一種電容輸入型電路，其電流和電壓之間的相位差會造成交換功率的損失，此時(shí)便需要PFC電路提高功率因數(shù)。目前的PFC有兩種，一種為被動(dòng)式PF...

2022-11-07 標(biāo)簽：PFC電路基本半導(dǎo)體 1041 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

第5代通信技術(shù)5G頻率越高，穿透和繞射能力會相對下降，信號智能直射傳播，很多偏僻地方就會收不到信號，微基站很好彌補(bǔ)了這項(xiàng)缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、發(fā)...

2022-11-03 標(biāo)簽：微基站基本半導(dǎo)體 879 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化，導(dǎo)通電阻32mΩ

UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源，其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器，然而傳統(tǒng)的功率MOS（超級結(jié)MOS和COO...

2022-10-31 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體國芯思辰 1396 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體SiC肖特基二極管助力OBC發(fā)展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列?

采用SiC功率器件可有效提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，獲得更高的擊穿電壓、更低的開啟電阻、更大的熱導(dǎo)率；并且能保證在更高溫度下可以穩(wěn)定工作，使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力...

2022-10-26 標(biāo)簽：二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 977 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會采用IGBT來作為主功率器件，能夠有效的減少開關(guān)損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護(hù)IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作，設(shè)計(jì)師們會給IG...

2022-10-12 標(biāo)簽：基本半導(dǎo)體 1110 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率損耗，導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評估，世界上超過一半的電能消耗用于各種電動(dòng)機(jī)。因此，降低電動(dòng)機(jī)的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路一般原理圖本文主要講到基本半導(dǎo)...

2022-09-30 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)基本半導(dǎo)體國產(chǎn)替代 1088 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D40120HC替代C4D40120D用于儲能雙向變流器，有效提高系統(tǒng)功率密度

儲能變流器（PCS）可控制蓄電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。PCS由DC/AC雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。...

2022-09-29 標(biāo)簽：肖特基二極管基本半導(dǎo)體國芯思辰 1410 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD21520替換UCC21320-Q1用于UPS電源，驅(qū)動(dòng)峰值電流4.5/6A

國芯思辰接觸的某工程師在做一款50KVA高頻在線式UPS設(shè)計(jì)，需要在控制器的驅(qū)動(dòng)信號與功率開關(guān)管之間做隔離，這里提一下國產(chǎn)基本半導(dǎo)體的雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)...

2022-09-20 標(biāo)簽：德州儀器 UPS電源柵極驅(qū)動(dòng)器 1205 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD5350替代東芝TLP350用于工業(yè)空調(diào)

在工業(yè)空調(diào)變頻的過程中，通過電源濾波整流，把交流轉(zhuǎn)換為直流，通過PFC的功率因子提升給到驅(qū)動(dòng)電路部分，而由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極IGB...

2022-09-14 標(biāo)簽：東芝柵極驅(qū)動(dòng)器工業(yè)空調(diào) 1937 0

國芯思辰｜基本半導(dǎo)體單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器BTD3011(替代SI8273DB-IS1R)用于10KW光伏逆變器

光伏逆變器是整個(gè)光伏發(fā)電體系的系統(tǒng)中最重要的一個(gè)部分，逆變器的效率決定著光伏發(fā)電的效率，所以需要實(shí)現(xiàn)高可靠性是一個(gè)逆變器的重要指標(biāo)。本文講述采用基本半導(dǎo)...

2022-09-08 標(biāo)簽：光伏逆變器基本半導(dǎo)體國芯思辰 1155 0

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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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