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標(biāo)簽 > 失效分析
失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動。本章就機(jī)械失效分析,失效分析實(shí)驗(yàn)室
失效分析流程,涂層失效分析,軸承失效分析。
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由于存儲器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲單元,當(dāng)其中發(fā)生失效點(diǎn)時, 如何定位失效點(diǎn)成為存儲器失效分析中的最為重要的一步。存儲器芯片的集成度高,字線(WL)和位線(...
淺談半導(dǎo)體芯片失效分析Analysis of Semiconductor Chip Failure
共讀好書 失效專業(yè)能力分類 元器件5A試驗(yàn)介紹(中英文) ◆PFA (Physical Feature Analysis) 物理特征分析 ◆DPA (D...
2024-07-17 標(biāo)簽:失效分析半導(dǎo)體芯片 1071 0
技術(shù)分享 | ISO 26262中的安全分析之FMEA
本期內(nèi)容以系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計為例,講解如何在ISO26262產(chǎn)品開發(fā)過程中實(shí)施安全分析,半導(dǎo)體層面的芯片設(shè)計也可以參考本文相關(guān)內(nèi)容執(zhí)行安全分析。安全分析方法I...
關(guān)于電子元器件空間輻射單粒子效應(yīng)的考核
宇宙遍布著各種高能量的輻射粒子,這些粒子會對元器件帶來影響,如何進(jìn)行抗輻射設(shè)計成為了工程師針對邏輯類數(shù)字電路、存儲器以及某些功率器件的一個必要考量。
以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應(yīng)用,但廣泛的應(yīng)用場景也意味著可能會出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況,進(jìn)而導(dǎo)致機(jī)械設(shè)備發(fā)生故障!
FPC在后續(xù)組裝過程中,連接器發(fā)生脫落。在對同批次的樣品進(jìn)行推力測試后,發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。
那么就要用到一些常用的失效分析技術(shù)。介于PCB的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與失效的主要模式,其中金相切片分析是屬于破壞性的分析技術(shù),一旦使用了這兩種技術(shù),樣品就破壞了,...
在微電子封裝中,引線鍵合是實(shí)現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號輸入輸出的重要方式,鍵合的質(zhì)量直接關(guān)系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針...
HIP失效分析、HIP解決對策及實(shí)戰(zhàn)案例
本文涵蓋HIP失效分析、HIP解決對策及實(shí)戰(zhàn)案例。希望您在閱讀本文后有所收獲,歡迎在評論區(qū)發(fā)表您的想法。
與開封前測試結(jié)果加以比較,是否有改變,管殼內(nèi)是否有水汽的影響。進(jìn)一步可將表面氧化層、鋁條去掉,用機(jī)械探針扎在有關(guān)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行靜態(tài)(動態(tài))測試、判斷被隔離部...
集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過程(失效機(jī)理),為集成電路封裝糾正...
PCBA端子引腳焊接發(fā)生異常,通過對PCBA基板和端子進(jìn)行一系列分析,定位到問題發(fā)生的原因在于共面性不良,且端子焊接引腳與錫膏接觸程度不足導(dǎo)致。詳細(xì)分析...
失效分析為設(shè)計工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計,使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
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