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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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在拆裝前,應先讓PLC通電15s以上(這樣可使作為存儲器備用電源的電容器充電,在鋰電池斷開后,該電容可 對PLC做短暫供電,以保護RAM中的信息不丟失);
全面介紹新型存儲技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 6861 0
基于STC12C5A60S2微處理器的電網(wǎng)電壓監(jiān)測儀設(shè)計
采集模塊以高性能微處理器STC12C5A60S2為核心,外圍由信號變換、實時時鐘、串行通信和大容量串行存儲器等模塊電路構(gòu)成。整個系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成如圖1所示。
四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析
每家制造商實施不同的技術(shù)手段,改變存儲類型和存儲單元設(shè)計,并在每一代產(chǎn)品中堆疊更多層,以增加比特密度,減小芯片尺寸。存儲單元架構(gòu)的技術(shù)變化和基本存儲器特...
相信大家經(jīng)常聽到OTP和EFuse,是芯片內(nèi)部用于存儲信息的常用單元,廣泛應用設(shè)備識別,授權(quán)管理,數(shù)據(jù)保護等領(lǐng)域,如:芯片UUID,根密鑰等信息;
d觸發(fā)器有幾個穩(wěn)態(tài) 觸發(fā)器上升沿下降沿怎么判斷
穩(wěn)態(tài)是指觸發(fā)器在某個特定的輸入狀態(tài)下穩(wěn)定保持輸出的狀態(tài)。根據(jù)觸發(fā)器的類型和觸發(fā)方式,觸發(fā)器分為很多種類,不同類型的觸發(fā)器有不同的穩(wěn)態(tài)。本文將詳細描述幾種...
ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技術(shù),64K用戶區(qū)間,支持IAP/ISPFlash擦寫技術(shù)。MCUFlash采用32位數(shù)據(jù)總線讀寫,充分利用...
PLC由CPU、電源、輸入電路、輸出電路、存儲器和通信接口電路幾大部分組成如圖所示。
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在智能穿戴、醫(yī)療電子、智能家居和智能機器等各個方面的應用越來越廣。一些物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備由于體積小,電池容量小,因此電池的續(xù)航時間問題變得尤為突出,如...
靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,簡稱SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Me...
模擬偏置故障——電壓讀數(shù)不準:這是內(nèi)部模擬參考或偏置電平未達到合適水平的情況。異常偏差可能導致內(nèi)部和測量模擬值的持久性偏差。這些偏差可能導致永久性錯誤,...
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