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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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Windows消息機(jī)制模擬用戶(hù)輸入的方法介紹
Windows平臺(tái)上的應(yīng)用程序是事件驅(qū)動(dòng)的** ,它們不會(huì)顯式地調(diào)用底層函數(shù)以獲得用戶(hù)輸入或其它信息,而是等待系統(tǒng)將這些信息提供給它們。
基于RJM8L003 mcu的電動(dòng)洗鼻器設(shè)計(jì)方案
DC5V充電,充電電流≧400mA,充電過(guò)程中顯示跑馬狀態(tài)(W1/W2/W3/W4),充電狀態(tài):充電過(guò)程中點(diǎn)亮W1-W2-W3-W4,當(dāng)電量達(dá)到W1的時(shí)...
英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾曾預(yù)言,芯片上的晶體管數(shù)量每隔一到兩年就會(huì)增加一倍。由于圖案微型化技術(shù)的發(fā)展,這一預(yù)測(cè)被稱(chēng)為摩爾定律,直到最近才得以實(shí)現(xiàn)。
如何選擇存儲(chǔ)器類(lèi)型 存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)
閃存存算方面,目前主要路線是基于NOR flash(不是目前優(yōu)盤(pán)所用的閃存類(lèi)型),多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小,這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOP...
MELSEC-Q系列有兩種CPU模塊一種是"基本型號(hào)",是為想設(shè)計(jì)容易、緊湊和小型系統(tǒng)的用戶(hù)開(kāi)發(fā)的;一種是"高性能型號(hào)&q...
汽車(chē)?yán)锩總€(gè)SoC和高端MCU都需要存儲(chǔ)器配合,用量最大的是座艙SoC和智能駕駛SoC,其次是T-Box和儀表,再次是網(wǎng)關(guān)和底盤(pán)。
什么是串行Nor Flash?串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性
引言:串行Nor Flash是一類(lèi)使用比較多的存儲(chǔ)器件,在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)...
高力波課題組實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷石墨烯穩(wěn)定封裝氫分子
由于原子尺度的限制,二維層狀材料中的層間空間可以用于研究離子、原子和分子在限域空間中的異常行為,如無(wú)摩擦輸運(yùn)、毛細(xì)凝聚和異常極化等。
invoke是C++17標(biāo)準(zhǔn)引入的一個(gè)函數(shù)模板,用來(lái)調(diào)用可調(diào)用對(duì)象(Callable Object,如函數(shù)指針、函數(shù)對(duì)象、成員函數(shù)指針等)并返回結(jié)果。
ASIC和FPGA到底選哪個(gè)好??jī)烧叩牧鞒逃惺裁磪^(qū)別?
ASIC (Application Specific Integrated Circuit),即專(zhuān)用集成電路,是指應(yīng)特定用戶(hù)要求和特定電子系統(tǒng)的需要而設(shè)...
2023-09-02 標(biāo)簽:FPGA設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器ASIC芯片 2090 0
在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域,很多數(shù)據(jù)的保存形式都是文本文件!有了數(shù)據(jù),這樣就可以在計(jì)算機(jī)中完成半實(shí)物仿真了!什么是半實(shí)物仿真?
2023-09-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器二進(jìn)制數(shù)字信號(hào)處理 2351 0
西門(mén)子博途-S_MOVE:移動(dòng)字符串介紹
可以使用此指令將參數(shù) IN 中字符串 (W)STRING 的內(nèi)容寫(xiě)入在參數(shù) OUT 中指定的數(shù)據(jù)區(qū)域。
Testbench編寫(xiě)指南(2)讀取txt文件數(shù)據(jù)
用“數(shù)組”來(lái)表述Verilog HDL中的定義并不準(zhǔn)確,但對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)應(yīng)該更好理解。
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC助力車(chē)載電子控制系統(tǒng)優(yōu)化升級(jí)
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-09-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 1065 0
內(nèi)存芯片制造工藝 DRAM工藝流程 堆疊式DRAM工藝流程
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
基于Xilinx FPGA AXI-EMC IP的EMIF通信測(cè)試
外部存儲(chǔ)器接口( EMIF )通信常用于FPGA和DSP之間的數(shù)據(jù)傳輸,即將FPGA作為DSP的外部SRAM、或者協(xié)同處理器等。Xilinx提供了AXI...
如何評(píng)估MCU滿足項(xiàng)目需求?STM32系列單片機(jī)如何選型?
了解MCU的基本特性和規(guī)格:首先需要了解MCU的處理器內(nèi)核、存儲(chǔ)器、時(shí)鐘、外設(shè)和接口等基本特性和規(guī)格,以及支持的編程語(yǔ)言和開(kāi)發(fā)工具等。
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