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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展
近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1901 0
中國(guó)在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D N...
三星、海力士加碼,爭(zhēng)搶未來存儲(chǔ)市場(chǎng)
因?yàn)镈RAM價(jià)格因供給短缺而以高角度上揚(yáng)之賜,韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠三星與SK海力士,今年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利潤(rùn)年增五成,來到史無前例的25兆韓圜。
英特爾:取代SSD和內(nèi)存的黑科技Optane儲(chǔ)存開始出貨
每一個(gè)游戲玩家都想要擁有 3D Xpoint,真心是每一個(gè)玩家。這是英特爾首席執(zhí)行官 Brian Krzanich 曾經(jīng)發(fā)表的觀點(diǎn),他不斷地強(qiáng)調(diào),自家的...
Gartner高級(jí)研究分析師David Christensen表示,2016年,NAND資本支出增加了31億美元,多個(gè)與晶圓廠設(shè)備相關(guān)的細(xì)分市場(chǎng)展現(xiàn)出高...
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的20%,且現(xiàn)有設(shè)備的產(chǎn)量已達(dá)理論最大值。設(shè)備業(yè)者認(rèn)為,三星西安廠啟動(dòng)3年后的現(xiàn)在,以投入晶圓為基準(zhǔn)計(jì)算,其3D N...
2017-02-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SOC半導(dǎo)體芯片 1097 0
關(guān)于Pentek科技推出的長(zhǎng)波段射頻調(diào)諧器的性能分析
Pentek科技成立于1986年,是一家致力于嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)和提供板級(jí)解決方案的高科技公司,通過不斷的經(jīng)驗(yàn)積累和創(chuàng)新為用戶提供高性能靈活的產(chǎn)品,其現(xiàn)在是...
據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以...
2017-02-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器三星電子3D NAND Flash 1403 1
存儲(chǔ)器國(guó)家隊(duì)豪言:2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)
楊士寧透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利,產(chǎn)品指標(biāo)也良好,預(yù)計(jì)將在 2019 年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。甚至豪言,要在 2019 年與...
2017-01-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND Flash長(zhǎng)江存儲(chǔ) 909 0
存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口?
在上海一場(chǎng)以“匠心獨(dú)運(yùn),卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。
未來投資金超3500億元 中國(guó)為何再成晶圓廠投資熱土
新年伊始,回顧2016年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,“投資”無疑是出現(xiàn)頻率最高的熱詞。在“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的助力下,2016年國(guó)內(nèi)投資活動(dòng)頻頻:長(zhǎng)...
紫光國(guó)芯入股臺(tái)灣兩封測(cè)企業(yè)的計(jì)劃均泡湯
據(jù)紫光國(guó)芯此前介紹,力成科技與南茂科技均為全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈后段封測(cè)服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商,而兩個(gè)入股計(jì)劃均泡湯與臺(tái)灣方面遲遲不放行有關(guān)。記者1月15日下午致電...
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)要超過韓國(guó),成為全球第一?
臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法,希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí),以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結(jié)果臺(tái)灣并未成功,三星及SK海力士仍雄居全...
2017-01-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體工藝 1881 0
大陸半導(dǎo)體宏觀布局重新成形 為何挑存儲(chǔ)器入手?
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后,大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研...
2017-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器長(zhǎng)江存儲(chǔ) 737 0
智能手機(jī)帶動(dòng) 未來五年存儲(chǔ)器成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁
IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等,未來五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1...
2017-01-10 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 384 0
智能機(jī)帶動(dòng)存儲(chǔ)器強(qiáng)勁增長(zhǎng) 未來5年復(fù)合增長(zhǎng)率7.3%
集微網(wǎng)消息,IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等,未來五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美...
IC Insights:智能機(jī)帶動(dòng)存儲(chǔ)器未來五年最看俏
IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè),DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等,未來五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%,產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,...
此文是2008年由我所寫,至今重讀覺得還有價(jià)值。存儲(chǔ)器要做出來并不難,美,日,韓,臺(tái)灣地區(qū)都可以,中國(guó)也不可能例外。問題是在成本,有關(guān)成本的主要因素,一...
中國(guó)將面臨發(fā)展存儲(chǔ)器的歷史性機(jī)遇
紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示:“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動(dòng)工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè),也...
三星存儲(chǔ)器缺貨持續(xù)至Q1 醞釀再漲價(jià)
據(jù)海外媒體報(bào)道,大陸智能手機(jī)年底熱銷程度超乎預(yù)期,熟悉半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)人士表示,Oppo、Vivo 2016年表現(xiàn)火熱,由于蘋果2017年將推出十周年iP...
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