一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

長江存儲64層3D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204

打破主流存儲器空白 長江存儲在武漢正式成立

武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司。長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局,并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。紫光集團(tuán)董事長趙偉國出任
2016-08-02 17:57:401620

3D NAND Flash,中國自主存儲器突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長,各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497

中國在3D NAND存儲器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國家存儲器基地主要承擔(dān)單位長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲器研發(fā)項(xiàng)目取得進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:24863

一文讀懂3D NAND存儲器進(jìn)化史

通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來,促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117

合肥長鑫DRAM正式投片,國產(chǎn)存儲跨出重要一步

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展長江存儲,國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破,為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:054958

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國閃存市場峰會(CFMS2018)在深圳舉行,長江存儲總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長江存儲Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢和長江存儲3D NAND進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569

NAND Flash非易失存儲器簡介

NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684

傳蘋果有意采購長江存儲NAND Flash

采購。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱,蘋果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國國內(nèi)市場銷售的產(chǎn)品。 蘋果與長江存儲科技皆未立即回應(yīng)置評請求。 長江存儲32層3D NAND Flash獲得了突破性進(jìn)展 2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國家存儲器基地在武漢啟動。四個月
2018-02-16 17:44:085459

長江存儲量產(chǎn),拉開國產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長江存儲實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國存儲芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026

紫光存儲解散?官方回應(yīng)NAND業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移到長江存儲

對相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重新聚焦:壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲方面表示,未來隨著長江存儲3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn),相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長江存儲;同時(shí),還將增強(qiáng)DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲宣布,已開始量產(chǎn)中國首款
2020-03-19 09:18:225200

長江存儲推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢想。 長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長江存儲將在未來推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:142933

加速“去美化”,長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

近期,加快芯片國產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國科技企業(yè)最重要的議題之一,中國存儲器芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長江存儲正在加速生產(chǎn)。長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量,以爭取更多的市場份額。
2020-09-23 10:05:432655

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

3D打印技術(shù)航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大

,市場規(guī)??焖僭鲩L,航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大。??3D打印技術(shù)持續(xù)發(fā)展,市場規(guī)模快速增長??3D打印技術(shù)技術(shù)方法、制造平臺、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等方面取得重要進(jìn)展市場規(guī)模方面保持快速增長態(tài)勢。??3D打印
2019-07-18 04:10:28

NAND 閃速存儲器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大,則塊數(shù)也將增加,但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù);②存儲器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割,而各塊又以頁為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54

存儲器的價(jià)格何時(shí)穩(wěn)定

感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19

存儲器的相關(guān)資料推薦

存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存和門控D鎖存,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11

FAT文件系統(tǒng)NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計(jì),不看肯定后悔

NAND FIash存儲器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53

KeyStone存儲器架構(gòu)

處理的一部分在內(nèi)核之間共享。KeyStone 架構(gòu)可提供一些改進(jìn)措施,以簡化共享內(nèi)部與外部存儲器的一致管理操作?! ?b class="flag-6" style="color: red">在 KeyStone 架構(gòu)中,LL2 存儲器始終與 L1D 高速緩存保持一致,所以
2011-08-13 15:45:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利,自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲探討3D NAND技術(shù)

娛樂等,未來AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動,對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求,西部數(shù)據(jù)2017年發(fā)布第四代96層3D NAND,F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05

單板硬件設(shè)計(jì):存儲器NAND FLASH)

,并把電容放電,藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)。 SRAM: SRAM利用寄存存儲信息,所以一旦掉電,資料就會全部丟失,只要供電,它的資料就會一直存在,不需要動態(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲器。 3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37

國產(chǎn)新型存儲器發(fā)展迅速

據(jù)新華社7月2日報(bào)道,相變存儲器,具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉,由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域,并實(shí)現(xiàn)千萬量級市場化銷售,未來中國領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43

外部存儲器的相關(guān)資料下載

1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中,外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash,都稱為非易失存儲器存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址,頁(Page),塊(Block)??梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-12-10 08:26:49

嵌入式存儲器的設(shè)計(jì)方法是什么?

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性,ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17

微電子所在阻變存儲器研究中取得進(jìn)展

近日,微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)阻變存儲器研究工作中取得進(jìn)展,并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報(bào)道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲器(ReRAM)具有低廉的價(jià)格
2010-12-29 15:13:32

新技術(shù)世代即將來臨,存儲器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲器大廠都卯盡全力,96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00

未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展

未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41

求助 數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

汽車系統(tǒng)非易失性存儲器的選擇

NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失靜態(tài)存儲器)等。每種類型存儲器不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢:存儲器
2019-07-23 06:15:10

相變存儲器(PCM) :新的存儲器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲器使用模式

,功耗和成本之間的平衡.另一些情況下,根據(jù)基本存儲器的特性進(jìn)行分割成為一個合理辦法。例如,將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲器,帶寬分割在高水平上,主要有3
2018-05-17 09:45:35

芯片的3D化歷程

優(yōu)勢,或許,未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來,存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當(dāng)中,也
2020-03-19 14:04:57

英特爾SSD 800P,900P,905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器

英特爾SSD 800P,900P,905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器,我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38

鐵電存儲器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失和非易失。易失存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲器的技術(shù)原理

而言,鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失和非易失。易失存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM掉電的時(shí)候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

閃速存儲器的分類及特征

如圖 2 所示,DINOR閃速存儲器如圖 3 所示,AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種,其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的,其他所有類型
2018-04-09 09:29:07

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

打破存儲器國外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢,啟動南京存儲器基地

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠,另一個紫光大型的存儲器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動。
2017-11-28 12:54:401970

長江存儲32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片,國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001857

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

存儲器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

長江存儲正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長江存儲以芯存長江,智儲未來為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長江存儲新建的國家存儲器基地項(xiàng)目(一期)一號生產(chǎn)及動力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

長江儲存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

湖北大學(xué)與長江存儲科技在3D存儲芯片研究上開展合作

從第四批科技成果轉(zhuǎn)化簽約大會湖北大學(xué)專場上獲悉,湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院王浩教授領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì),與長江存儲科技有限責(zé)任公司簽約受讓3D存儲器選通管技術(shù),年產(chǎn)值預(yù)計(jì)將達(dá)60億元。雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作,將繼續(xù)
2018-06-11 01:15:002233

看看長江存儲新型架構(gòu)為3D NAND帶來哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)今年將首次參加閃存峰會(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲

長江存儲科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長江存儲發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

為什么3D NAND技術(shù)能占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%?

存儲器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲器市場總額達(dá)835億美元。各類存儲器中,NAND Flash是一個亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品,2015年?duì)I收達(dá)到267億美元,占半導(dǎo)體存儲器市場總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長江存儲3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長江存儲3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

紫光成都建設(shè)基地,打造12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線

根據(jù)紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存儲器制造基地項(xiàng)目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝,將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402365

長江存儲投產(chǎn)32層3D NAND,計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊

目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場格局,長江存儲的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:027293

與DRAM領(lǐng)域不同 長江存儲NAND領(lǐng)域取得進(jìn)展

(CITE2019)上展示了企業(yè)級P8260硬盤,使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存。長江存儲并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存,該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,目前計(jì)劃進(jìn)展順利,沒有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522080

長江存儲直追國際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

江波龍牽手長江存儲,推動國內(nèi)自研存儲芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長江存儲 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:105191

長江存儲64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域
2019-08-29 14:28:002164

長江存儲推出第二代Xtacking 3D NAND存儲架構(gòu)

Xtacking是長江存儲在去年FMS(閃存技術(shù)峰會)首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器

長江存儲科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661

存儲器將與晶圓代工跨界經(jīng)營全新存儲器

過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代,存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場,而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742

紫光旗下長江存儲的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612

長江存儲存儲巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國家重點(diǎn)打造的存儲器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

搭載長江存儲3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平

根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053

美光即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲器 層數(shù)達(dá)到128層

美光在二季度財(cái)報(bào)電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:521542

長江存儲表示128層3D NAND技術(shù)會按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會有所波及。但目前長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長江存儲已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工 128層技術(shù)將按計(jì)劃在2020年推出

4月8日零時(shí),武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施,而位于武漢的國家存儲器基地長江存儲研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。
2020-04-08 16:20:413255

長江存儲推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國武漢,長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長江存儲首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當(dāng)前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96層

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長江存儲128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長江存儲首發(fā)128層QLC閃存

長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

長江存儲已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長江存儲的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國際存儲大廠6年的路程相比, 長江存儲僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會議上, 他還展示了長江存儲 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長江存儲的首款消費(fèi)級固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長江存儲于2014年,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個消費(fèi)級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

回顧長江存儲3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長江存儲計(jì)劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

長江存儲計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤點(diǎn)2020年存儲行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362092

長江存儲推出UC023閃存芯片 專為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

存儲器迎來怎樣的2023?

存儲器的歷史始于1984年,彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637

對比韓企存儲技術(shù),長江存儲發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

NAND Flash存儲器的基礎(chǔ)知識

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

長江存儲在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新。”長江存儲訴訟稱,美光使用長江存儲的專利技術(shù),從與長江存儲的競爭中防御,確保和保護(hù)市場占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:美光試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長江存儲的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:05369

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

已全部加載完成