據(jù)媒體報(bào)道，美國(guó)加州北區(qū)法院最近發(fā)布的信息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司11月9日已與美光科技有限公司出資的子公司完全micron建議消費(fèi)品集團(tuán)有限責(zé)任公司提訴8侵害。”

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說：“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新?！遍L(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱，美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御，確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。此次訴訟是為了解決美光將長(zhǎng)江存儲(chǔ)從三維nand閃存市場(chǎng)中淘汰，試圖阻止競(jìng)爭(zhēng)和革新的問題之一。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10，950，623”“11，501，822”“10，658，378”“10，937，806”“10，861，872”“11，468，957”“11，600，342”和“10，868，031”的專利。美光被控侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層3D NAND產(chǎn)品。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在訴狀中主張：“長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新進(jìn)（upstart），將成為全球3d nand市場(chǎng)的重要參與者。”據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司稱，去年11月分析、追蹤閃存市場(chǎng)的techchincyts公司得出結(jié)論稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司作為3d nand閃存領(lǐng)域的領(lǐng)先者，超過了美光公司。

據(jù)資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2016年7月總部設(shè)在武漢，是一家集3d nand閃存設(shè)計(jì)制造一體化的idm集成電路企業(yè)，同時(shí)提供完善的內(nèi)存解決方案。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于2018年批量生產(chǎn)32段3d nand閃存第一代，2019年批量生產(chǎn)64段256gb tlc 3d nand閃存，到2020年將超過96段，開發(fā)2種128段flash產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前還在推進(jìn)擴(kuò)大生產(chǎn)，但從去年開始就沒能確保美國(guó)、日本、荷蘭的尖端設(shè)備，因此在美國(guó)的壓力下，在擴(kuò)大生產(chǎn)方面受到制約。長(zhǎng)江存儲(chǔ)器公司此次以美國(guó)巨大的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)美光公司為對(duì)象，通過專利訴訟表示要維護(hù)自己的權(quán)利。

2022年10月，美國(guó)商務(wù)部產(chǎn)業(yè)安全局發(fā)布了出口控制新規(guī)定，限制對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體制造設(shè)備等出口，并對(duì)已經(jīng)批量生產(chǎn)長(zhǎng)江存儲(chǔ)nand閃存芯片的最新工程進(jìn)行了分層。同年12月美國(guó)又將長(zhǎng)江存儲(chǔ)納入出口管制“實(shí)體清單”。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的兩種存儲(chǔ)介質(zhì)，NAND Flash可制造SSD（固態(tài)硬盤）等存儲(chǔ)器，用于手機(jī)、服務(wù)器、PC等產(chǎn)品。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度，全球NAND Flash品牌廠商中，三星、鎧俠、SK Group、西部數(shù)據(jù)、美光的市占率分別為31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他廠商占比僅3.8%。