作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。

長江存儲是中國首家進(jìn)軍高端NAND閃存行業(yè)的公司，此次揭曉的XtackingTM新型架構(gòu)技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的高性能，更高的存儲密度，以及更短的上市周期。

長江存儲CEO楊士寧博士將于圣克拉拉會議中心（加利福尼亞州，美國）發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。屆時，楊士寧博士將會介紹此項技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時使存儲密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時代躍進(jìn)。

XtackingTM技術(shù)將為NAND閃存帶來前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品，如UFS、消費級及企業(yè)級SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的合力幫助下，XtackingTM將為高性能的智能手機(jī)、個人計算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開新篇章。

XtackingTM技術(shù)實現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。

關(guān)于長江存儲科技有限責(zé)任公司

長江存儲科技有限責(zé)任公司（長江存儲）成立于2016年7月，總投資額240億美元。長江存儲是一家集芯片設(shè)計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售服務(wù)于一體的存儲器解決方案企業(yè)，總部位于湖北武漢。長江存儲為全球客戶提供先進(jìn)的存儲產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動通信、計算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費電子等領(lǐng)域。

長江存儲借助全資子公司武漢新芯超過10年的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造經(jīng)驗基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動模式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。長江存儲憑借全球分布的研發(fā)中心和超過3000名國際化員工，力爭憑創(chuàng)新實力成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。