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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目提前達(dá)到預(yù)期產(chǎn)能
據(jù)悉,在集團(tuán)主導(dǎo)推動(dòng)下,長(zhǎng)鑫項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)股權(quán)多元化,成功引入國(guó)家大基金、省三重一創(chuàng)基金等戰(zhàn)略投資,完成156億元融資,為下一步自主研發(fā)和產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化加速發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
清華大學(xué)在量子信息領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
近日,清華大學(xué)交叉信息研究院段路明研究組在量子信息領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,首次在實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了量子中繼協(xié)議中的兩個(gè)中繼模塊間的高效糾纏連接,成功展示了量子中繼模...
2021-03-08 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器網(wǎng)絡(luò)量子 2389 0
大多數(shù)智能手機(jī)可以存儲(chǔ)128 GB的數(shù)據(jù),而固態(tài)驅(qū)動(dòng)器可以存儲(chǔ)1 TB的數(shù)據(jù),并且所有操作都發(fā)生在此芯片內(nèi)部。 如果這個(gè)1 TB的固態(tài)硬盤(pán)里裝滿(mǎn)了電影和...
非易失性存儲(chǔ)器在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲(chǔ)器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該...
系統(tǒng)程序存儲(chǔ)器用來(lái)存放由可編程控制器生產(chǎn)廠家編寫(xiě)的系統(tǒng)程序,并固化在ROM內(nèi),用戶(hù)不能直接更改。系統(tǒng)程序質(zhì)量的好壞,很大程度上決定了PLC的性能。
2021-03-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器變頻器電動(dòng)機(jī) 1.1萬(wàn) 0
Verilog HDL中編寫(xiě)表達(dá)式的基礎(chǔ)講述
本章講述在Verilog HDL中編寫(xiě)表達(dá)式的基礎(chǔ)。 表達(dá)式由操作數(shù)和操作符組成。表達(dá)式可以在出現(xiàn)數(shù)值的任何地方使用。 4.1 操作數(shù) 操作數(shù)可以是以下...
關(guān)于兩種主要的非易失閃存技術(shù)的詳細(xì)說(shuō)明
NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解...
英飛凌推出OPTIGA? Authenticate IDoT解決方案,以增強(qiáng)對(duì)仿冒設(shè)備的防范
該解決方案具有-40°至+120°C的擴(kuò)展溫度范圍,非常適合工業(yè)應(yīng)用,并支持不斷增長(zhǎng)且無(wú)處不在的認(rèn)證需求。
2021-03-04 標(biāo)簽:英飛凌存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng) 2289 0
內(nèi)存是計(jì)算系統(tǒng)中最重要的元素,因?yàn)闆](méi)有它,計(jì)算機(jī)將無(wú)法執(zhí)行簡(jiǎn)單的任務(wù)。 計(jì)算機(jī)內(nèi)存有兩種基本類(lèi)型-主內(nèi)存(RAM和ROM)和輔助內(nèi)存(硬盤(pán),CD等)。
2021-03-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器 9508 0
當(dāng)電流沿著反鐵磁磁矩方向時(shí),由反鐵磁磁矩M決定的載流子自旋與局域空間反演破缺誘導(dǎo)的自旋軌道場(chǎng)H相垂直而發(fā)生相互作用,從而向面外進(jìn)動(dòng)(–M×H),產(chǎn)生面外...
2021-03-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器霍爾效應(yīng) 2912 0
SRAM是什么,它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么
隨著信息時(shí)代的到來(lái),海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻改變?nèi)祟?lèi)的生產(chǎn)生活方式,然而信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí),必須重視國(guó)家信息安全和個(gè)人隱私安全。...
在刪除和重新加載塊后,可能會(huì)在用戶(hù)存儲(chǔ)器(裝入和工作存儲(chǔ)器)中產(chǎn)生間隔,從而減少可使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。使用壓縮功能,可將現(xiàn)有塊在用戶(hù)存儲(chǔ)器中無(wú)間隔地重新排...
S7-1200 CPU的操作模式和操作模式轉(zhuǎn)換
將清空非保持性存儲(chǔ)器中的內(nèi)容,同時(shí)將非保持性 DB 的內(nèi)容復(fù)位為裝載存儲(chǔ)器的初始值。同時(shí)保留保持性存儲(chǔ)器和保持性 DB 中的內(nèi)容。
在線(xiàn)為PROFINET IO設(shè)備分配名稱(chēng)
在“設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)”(Devices & networks) 編輯器中,右鍵單擊所需的 PROFINET IO 設(shè)備,并選擇“在線(xiàn)和診斷”(Onli...
解析全球半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局
美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署美國(guó)供應(yīng)鏈行政令(Executive Order on America’s Supply Chains),指示對(duì)從半導(dǎo)體到醫(yī)療用品、關(guān)鍵...
解析半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
半導(dǎo)體可能是世界上最重要的行業(yè),因?yàn)樗鼈兪歉鞣N產(chǎn)品和服務(wù)的基礎(chǔ)。此外,它們?cè)谛屡d技術(shù)(例如人工智能(AI),高性能計(jì)算(HPC),5G,物聯(lián)網(wǎng)和自治系統(tǒng)...
簡(jiǎn)單介紹TWS耳機(jī)中的主控藍(lán)牙芯片和存儲(chǔ)芯片
TWS藍(lán)牙耳機(jī)不需要有線(xiàn)連接,左右2個(gè)耳機(jī)通過(guò)藍(lán)牙組成立體聲系統(tǒng),聽(tīng)歌和通話(huà)及佩戴都得到了提升。真無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙耳機(jī)外部完全摒棄了線(xiàn)材連接的方式,并且主機(jī)能夠...
server DRAM合約價(jià)全年漲幅有望超過(guò)四成
TrendForce集邦咨詢(xún)旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查,自2020年第三季至今,server DRAM產(chǎn)能比重已降至三成左右,其比重調(diào)降除為平衡產(chǎn)品線(xiàn)的供需失...
三星電子開(kāi)發(fā)出人工智能處理能力的高帶寬存儲(chǔ)器
2月23日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子表示,它已開(kāi)發(fā)出一款集成了人工智能(AI)處理能力的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM),稱(chēng)為HBM-PIM。 HBM-PIM...
鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)
新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3...
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