電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少？
PSoC? 6 的數(shù)據(jù)表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續(xù)航時(shí)間為 10k 個(gè)周期。
請參閱第 6.5 節(jié) 62x7 數(shù)據(jù)表
2024-02-26 06:46:06
模擬童車路況試驗(yàn)機(jī)-耐久性試驗(yàn)機(jī)設(shè)備簡介： 本機(jī)依據(jù)CNS手推嬰兒車動(dòng)態(tài)耐用試驗(yàn)規(guī)范制作。測試方法為 ：置模型嬰兒于車臺中，將車臺固定于測試臺上，調(diào)整輸送帶 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
CIQTEK精選成果簡報(bào)Appl.Catal.B：多孔石墨化炭負(fù)載FeOCl作為雙功能吸附催化劑用于含氯揮發(fā)性有機(jī)化合物的濕式過氧化物氧化：介孔的影響和機(jī)理研
2023-12-28 08:24:58
151 
。
2、布線要求需保持完整的地和電源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信號組與其他非DDR信號間距，至少保持在 20mil以上。
四、控制組
1、控制組包括CS、CKE。
2、布線要求需保持
2023-12-25 14:02:58
。
2、布線要求需保持完整的地和電源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信號組與其他非DDR信號間距，至少保持在 20mil以上。
四、控制組
1、控制組包括CS、CKE。
2、布線要求需保持
2023-12-25 13:58:55
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:350 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 超聲波水浴機(jī)，和易立高的99.7%的IPA溶劑。
但是水浴機(jī)會產(chǎn)熱，IPA 又具有揮發(fā)性和易燃性。
請問如果進(jìn)行UG865中的清潔步驟，是否對實(shí)驗(yàn)室條件、儀器設(shè)備、安全操作方法有要求？請指示！
2023-11-13 13:03:48
是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003888 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
DDR存儲器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
時(shí)，就需要外擴(kuò)DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計(jì)也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當(dāng)然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來說，DDR4具有更高的性能，更好的穩(wěn)定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發(fā)，主要有下面幾點(diǎn), 下面章節(jié)對主要的幾個(gè)不同點(diǎn)進(jìn)行說明。
2023-09-19 14:49:441484 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462503 
采用華虹128通道同測技術(shù)
04取得嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術(shù)License授權(quán)
05多種小型化的封裝類型等行業(yè)中，其中WLCSP封裝面積僅為665umx676um ,廣泛用于消費(fèi)、工業(yè)、通訊、醫(yī)療
2023-09-15 08:22:26
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性，以優(yōu)化信號完整性和時(shí)序。
2023-09-11 09:14:34420 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888 
非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)銷售收入約5.88億元。2023年上半年，存儲市場處于循環(huán)低點(diǎn)時(shí)期。本公司存儲產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣，以市場需求為導(dǎo)向，及時(shí)調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品線保持較好的增長勢頭。該產(chǎn)品線的一個(gè)方面
2023-08-29 10:49:25380 普冉股份的主要業(yè)務(wù)是設(shè)計(jì)和銷售基于非揮發(fā)性存儲芯片和存儲芯片的衍生芯片，目前主要產(chǎn)品是非揮發(fā)性存儲芯片nor flash和eeprom以及微控制器芯片和模擬產(chǎn)品。
2023-08-25 10:27:04222 隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時(shí)，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
本文將探討戶外儲能電池的可靠性和耐久性設(shè)計(jì)，以確保其在使用過程中具備高效、安全和長壽命的特點(diǎn)。
2023-08-08 13:50:06378 xilinx平臺DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
CoreLink DDR2動(dòng)態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊
2023-08-02 15:28:28
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 ，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
數(shù)據(jù)速率 800Mbps
一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
石油化工行業(yè)VOC在線監(jiān)測系統(tǒng)建設(shè)背景 VOCs（VolatileOrganicCompounds），揮發(fā)性有機(jī)物。 對于石化行業(yè)而言，VOCs主要包括揮發(fā)性有機(jī)氣體和輕烴類； VOCs在PM2.5
2023-05-12 13:41:08330 在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大??？
2023-05-06 07:04:11
(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 即：MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì); MRAM是磁性隨機(jī)存儲介質(zhì); MRAM具有RAM的讀寫速度。
2023-04-19 17:45:462545 基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）?低VDD檢測驅(qū)動(dòng)復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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