存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類(lèi)，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM則是非易失性存儲(chǔ)器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。

RAM: 即Random Access Memory隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。SRAM靜態(tài)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory,SRAM）利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息的，DRAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory）利用MOS電容存儲(chǔ)電荷來(lái)儲(chǔ)存信息，因此必須通過(guò)不停的給電容充電來(lái)維持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明顯優(yōu)于SRAM。我們常說(shuō)手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存指的就是DDR-DRAM.

SRAM: SRAM速度非?？?，是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)cache，二級(jí)cache。 SRAM利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。

DDR SDRAM; (Double Data Rate synchronous dynamic random-access memory)：雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息，一旦掉電信息會(huì)全部的丟失，由于柵極會(huì)漏電，所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新，所以稱(chēng)其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器?，F(xiàn)在使用較多的是DDR3,DDR4,LPDDR4,DDR5,LPDDR5等。

ROM: （Read-Only Memory）即只讀內(nèi)存，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。

EEPROM：最典型的電可改寫(xiě)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，它具有電可編程、可擦/寫(xiě)、使用靈活等優(yōu)點(diǎn)。Flash memory和EEPROM都是電可擦寫(xiě)可編程的存儲(chǔ)器，EEPROM在很多STM32單片機(jī)中得到使用，一般是128KB，16KB這種容量比較小，一般用來(lái)保存用戶(hù)數(shù)據(jù)（在運(yùn)行中可改變的數(shù)據(jù)）

FLASH(NAND FLASH ,NOR FLASH) : 它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)）, 用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用（U盤(pán)）.

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。一般小容量的用NOR Flash（常見(jiàn)為16M,64M,128M等等），因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息。而大容量的用NAND FLASH（常見(jiàn)為4Gb,8Gb等等）常用來(lái)存放數(shù)據(jù)。目前市面上的FLASH 主要來(lái)自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

NOR FLASH&NAND FLASH: NOR flash占據(jù)了容量小的閃存市場(chǎng)，而NAND flash只是用在Gb等大容量產(chǎn)品當(dāng)中，這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

以下是NOR/NAND FLASH的區(qū)別：

對(duì)于用戶(hù)來(lái)說(shuō)，EEPROM和FLASH 的最主要的區(qū)別如下：

總的來(lái)說(shuō)，對(duì)與用戶(hù)來(lái)說(shuō)，EEPROM和FLASH沒(méi)有大的區(qū)別，只是EEPROM是低端產(chǎn)品，容量低，價(jià)格便宜，但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些，但FLASH設(shè)計(jì)工藝以及在原理使用上教復(fù)雜。

EMMC： (Embedded Multi Media Card）即嵌入式多媒體卡。EMMC相當(dāng)于NAND FLASH+FLASH CONTROLLER.EMMC容量8Gb，16Gb比較多，容量比較大,在嵌入式硬件設(shè)計(jì)和現(xiàn)在的手機(jī)中使用較多。和我們?nèi)粘Ｉa(chǎn)生活中使用的TF/SD卡比較類(lèi)似。

一個(gè)典型的系統(tǒng)配置是：采用ddr3的內(nèi)存，配置若干容量的nor flash用于存儲(chǔ)bootloader，一定容量的nand flash用于存儲(chǔ)內(nèi)核、文件系統(tǒng)等大容量數(shù)據(jù)。具體容量和使用場(chǎng)合、成本控制相關(guān)，若不記成本全用nor flash做存儲(chǔ)也沒(méi)關(guān)系。