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      標(biāo)簽　>　存內(nèi)計(jì)算

      存內(nèi)計(jì)算

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      存內(nèi)計(jì)算，顧名思義就是把計(jì)算單元嵌入到內(nèi)存當(dāng)中。通常計(jì)算機(jī)運(yùn)行的馮·諾依曼體系包括存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元兩部分，計(jì)算機(jī)實(shí)施運(yùn)算需要先把數(shù)據(jù)存入主存儲(chǔ)器，再按順序從主存儲(chǔ)器中取出指令。

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      存內(nèi)計(jì)算簡(jiǎn)介

      　　存內(nèi)計(jì)算是一個(gè)由來(lái)已久的概念，其主要目的是為了解決內(nèi)存墻問(wèn)題。

      　　存內(nèi)計(jì)算，顧名思義就是把計(jì)算單元嵌入到內(nèi)存當(dāng)中。通常計(jì)算機(jī)運(yùn)行的馮·諾依曼體系包括存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元兩部分，計(jì)算機(jī)實(shí)施運(yùn)算需要先把數(shù)據(jù)存入主存儲(chǔ)器，再按順序從主存儲(chǔ)器中取出指令，一條一條的執(zhí)行，數(shù)據(jù)需要在處理器與存儲(chǔ)器之間進(jìn)行頻繁遷移，如果內(nèi)存的傳輸速度跟不上CPU的性能，就會(huì)導(dǎo)致計(jì)算能力受到限制，即“內(nèi)存墻”出現(xiàn)，例如，CPU處理運(yùn)算一道指令的耗時(shí)假若為1ns，但內(nèi)存讀取傳輸該指令的耗時(shí)可能就已達(dá)到10ns，嚴(yán)重影響了CPU的運(yùn)行處理速度。

      　　在過(guò)去幾十年中，處理器的運(yùn)行速度隨著摩爾定律高速提升，然而計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器DRAM是基于電容充放電實(shí)現(xiàn)的高密度存儲(chǔ)方案，其性能（速度）取決于電容充放電速度以及DRAM與處理器之間的接口帶寬，總體來(lái)看其性能提升速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)慢于處理器速度，目前DRAM的性能已經(jīng)成為了整體計(jì)算機(jī)性能的一個(gè)重要瓶頸，即所謂阻礙性能提升的“內(nèi)存墻”。

      　　除了性能之外，內(nèi)存對(duì)于能效比的限制也成了傳統(tǒng)馮諾伊曼體系計(jì)算機(jī)的一個(gè)瓶頸，尤其是對(duì)于人工智能（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型）應(yīng)用來(lái)說(shuō)。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的特點(diǎn)就是計(jì)算量大，而且計(jì)算過(guò)程中涉及到的數(shù)據(jù)量也很大，使用傳統(tǒng)馮諾伊曼架構(gòu)會(huì)頻繁讀寫內(nèi)存。目前的DRAM一次讀寫32bit數(shù)據(jù)消耗的能量比起32bit數(shù)據(jù)計(jì)算消耗的能量要大兩到三個(gè)數(shù)量級(jí)，因此成為了總體計(jì)算設(shè)備中的能效比瓶頸。

      　　存內(nèi)計(jì)算就是為了解決內(nèi)存墻問(wèn)題而提出的方案。如前所述，馮諾依曼架構(gòu)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)把存儲(chǔ)器和處理器分割成了兩個(gè)部分，而處理器頻繁訪問(wèn)存儲(chǔ)器的開(kāi)銷就形成了內(nèi)存墻。存內(nèi)計(jì)算的基本思路就是把計(jì)算和存儲(chǔ)合二為一，從而實(shí)現(xiàn)減少處理器訪問(wèn)存儲(chǔ)器的頻率（因?yàn)橛?jì)算已經(jīng)在存儲(chǔ)器內(nèi)完成了大部分）。嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，存內(nèi)計(jì)算還可以分為兩種思路。第一種思路主要偏向于電路革新，其方法是通過(guò)電路革新讓存儲(chǔ)器本身就具有計(jì)算能力，例如在存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀出的decoder等地方做改動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)計(jì)算等。

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      存內(nèi)計(jì)算知識(shí)

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      存內(nèi)計(jì)算技術(shù)

      探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

      探索存內(nèi)計(jì)算—基于 SRAM 的存內(nèi)計(jì)算與基于 MRAM 的存算一體的探究

      本文深入探討了基于SRAM和MRAM的存算一體技術(shù)在計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。首先，介紹了基于SRAM的存內(nèi)邏輯計(jì)算技術(shù)，包括其原理、優(yōu)勢(shì)以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域...

      2024-05-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 4190 0

      存內(nèi)計(jì)算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算

      存內(nèi)計(jì)算原理分類——數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算

      數(shù)字存內(nèi)計(jì)算與模擬存內(nèi)計(jì)算各有優(yōu)劣，都是存算一體發(fā)展進(jìn)程中的重點(diǎn)發(fā)展路徑，數(shù)字存內(nèi)計(jì)算由于其高速、高精度、抗噪性強(qiáng)、工藝技術(shù)成熟、能效比高等特點(diǎn)，更適用...

      2024-05-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器模擬矩陣運(yùn)算 3954 0

      詳細(xì)解讀存算一體技術(shù)路線

      回顧60多年計(jì)算行業(yè)的發(fā)展史，芯片的算力提升一直按照摩爾定律的節(jié)奏推進(jìn)，但主流的計(jì)算范式始終遵循馮-諾依曼架構(gòu)設(shè)計(jì)。

      2023-01-29 標(biāo)簽：處理器eda存算一體 3808 0

      存內(nèi)計(jì)算芯片的基石-存儲(chǔ)介質(zhì)匯總

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      作為新的計(jì)算架構(gòu)，存內(nèi)計(jì)算（Computing In Memory，CIM）被認(rèn)為是具有潛力的革命性技術(shù)。重點(diǎn)是將存儲(chǔ)與計(jì)算融合，有效克服馮·諾依曼架構(gòu)...

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      存內(nèi)計(jì)算——助力實(shí)現(xiàn)28nm等效7nm功效

      存內(nèi)計(jì)算——助力實(shí)現(xiàn)28nm等效7nm功效

      可重構(gòu)芯片嘗試在芯片內(nèi)布設(shè)可編程的計(jì)算資源，根據(jù)計(jì)算任務(wù)的數(shù)據(jù)流特點(diǎn)，動(dòng)態(tài)構(gòu)造出最適合的計(jì)算架構(gòu)，國(guó)內(nèi)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并在12nm工藝下制造的CGRA芯片，已經(jīng)...

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      知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘

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      隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

      2024-05-16 標(biāo)簽：DRAMAI憶阻器 2596 0

      存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展以及應(yīng)用-以基于Nor Flash的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)量化以及部署

      存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展以及應(yīng)用-以基于Nor Flash的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)量化以及部署

      經(jīng)過(guò)對(duì)動(dòng)態(tài)閾值量化算法的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，包括實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及相關(guān)設(shè)置、在CIFAR-10數(shù)據(jù)集上對(duì)參數(shù)和激活層進(jìn)行的驗(yàn)證以及對(duì)AlexNet、VGG16和ResNe...

      2024-05-17 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)集卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)存算一體 2476 0

      六類存內(nèi)計(jì)算技術(shù)原理解析

      六類存內(nèi)計(jì)算技術(shù)原理解析

      過(guò)去幾十年來(lái)，在摩爾定律的推動(dòng)下，處理器的性能有了顯著提高。然而，傳統(tǒng)的計(jì)算架構(gòu)將數(shù)據(jù)的處理和存儲(chǔ)分離開(kāi)來(lái)，隨著以數(shù)據(jù)為中心的計(jì)算（如機(jī)器學(xué)習(xí)）的發(fā)展，...

      2023-12-05 標(biāo)簽：處理器摩爾定律計(jì)算機(jī) 2459 0

      數(shù)據(jù)中心解耦架構(gòu)的技術(shù)路線解析

      數(shù)據(jù)中心解耦架構(gòu)的技術(shù)路線解析

      NetDAM 實(shí)現(xiàn)的存算資源互聯(lián)系統(tǒng)，CPU、DSA、存儲(chǔ)等資源可以通過(guò)AXI、CHI或PCIe/CXL等總線直連到NetDAM，不同 NetDAM 之...

      2023-10-09 標(biāo)簽：以太網(wǎng)cpu數(shù)據(jù)中心 2243 0

      存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

      存內(nèi)計(jì)算芯片研究進(jìn)展及應(yīng)用

      在NOR Flash存內(nèi)計(jì)算芯片當(dāng)中，向量-矩陣乘法運(yùn)算基于電流/電壓的跨導(dǎo)與基爾霍夫定律進(jìn)行物理實(shí)現(xiàn)，如圖7(a)所示。因此，其核心是設(shè)計(jì)NOR Fl...

      2024-05-16 標(biāo)簽：sram頻譜存算一體 1989 0

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      存內(nèi)計(jì)算資訊

      ?什么是存內(nèi)計(jì)算

      蘋芯科技成立于2021年，專注于存內(nèi)計(jì)算AI芯片研究與應(yīng)用，希望通過(guò)SRAM技術(shù)路線突破傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)所造成的存儲(chǔ)墻局限，為人工智能行業(yè)下的多元場(chǎng)景...

      2022-08-08 標(biāo)簽：cpu存儲(chǔ)存內(nèi)計(jì)算 5471 0

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        dcdc轉(zhuǎn)換器
        +關(guān)注
        DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
      • 檢測(cè)電路圖
        檢測(cè)電路圖
        +關(guān)注
      • Zynq-7000
        Zynq-7000
        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
      • CD4069
        CD4069
        +關(guān)注
      • 特斯拉線圈
        特斯拉線圈
        +關(guān)注
        特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
      • 過(guò)流保護(hù)電路
        過(guò)流保護(hù)電路
        +關(guān)注
        電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
      • 過(guò)零檢測(cè)電路
        過(guò)零檢測(cè)電路
        +關(guān)注
        過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
      • VDD
        VDD
        +關(guān)注
        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
      • VHF
        VHF
        +關(guān)注
      • HarmonyOS
        HarmonyOS
        +關(guān)注
        HarmonyOS最新信息分享，我們將為大家?guī)?lái)HarmonyOS是什么意思的深度解讀，HarmonyOS官網(wǎng)地址、HarmonyOS開(kāi)源相關(guān)技術(shù)解讀與設(shè)計(jì)應(yīng)用案例，HarmonyOS系統(tǒng)官網(wǎng)信息，華為harmonyOS最新資訊動(dòng)態(tài)分析等。
      • 逆變器電路圖
        逆變器電路圖
        +關(guān)注
      • 慕尼黑上海電子展
        慕尼黑上海電子展
        +關(guān)注
      • AIoT
        AIoT
        +關(guān)注
        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
      • 測(cè)試電路
        測(cè)試電路
        +關(guān)注
      • 功放板
        功放板
        +關(guān)注
      • ELMOS
        ELMOS
        +關(guān)注
      • 74LS00
        74LS00
        +關(guān)注
        74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
      • 科創(chuàng)板
        科創(chuàng)板
        +關(guān)注
        擬訂科創(chuàng)板股票上市審核規(guī)則、科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核規(guī)則、上市委員會(huì)及科技創(chuàng)新咨詢委員會(huì)相關(guān)規(guī)則；負(fù)責(zé)科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核和科創(chuàng)板上市公司并購(gòu)重組審核工作，擬訂審核標(biāo)準(zhǔn)、審核程序等；對(duì)發(fā)行人、科創(chuàng)板上市公司及中介機(jī)構(gòu)進(jìn)行自律監(jiān)管等。
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