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標簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)...
2024-07-31 標簽:激光器電子器件半導(dǎo)體材料 2086 0
得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢,SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對驅(qū)動設(shè)計也提出了更高...
氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵...
碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
2023-12-29 標簽:肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1100 0
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻。英...
碳化硅晶圓是晶體通過切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1251 0
什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2023-02-27 標簽:半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 685 0
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5142 0
是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試而且無需焊接或探針
?無需焊接或探針,即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復(fù)測試 ?寄生功率回路電感小于10n...
2025-03-14 標簽:動態(tài)測試是德科技寬禁帶半導(dǎo)體 381 0
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響
深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...
2025-03-04 標簽:SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 464 0
薛其坤院士領(lǐng)銜團隊實現(xiàn)高溫超導(dǎo)領(lǐng)域重大新突破
【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月18日,南方科技大學(xué)舉行的高溫超導(dǎo)研究重大成果發(fā)布會上,由國家最高科學(xué)技術(shù)獎獲得者薛其坤院士領(lǐng)銜的南方科技大學(xué)、粵港澳大灣區(qū)量子...
2025-02-19 標簽:高溫超導(dǎo)寬禁帶半導(dǎo)體 327 0
克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
幾十年來,硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限...
杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資,同時與杭州銀行達成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領(lǐng)投,普華資本鼎力參與,彰顯了資本市場...
2024-08-12 標簽:半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 1111 0
開關(guān)損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開始進軍光儲、家電市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后,因其優(yōu)秀的特性,迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看,GaN已經(jīng)在...
2024-07-04 標簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 5373 0
西安電子科技大學(xué)馬曉華團隊:蹚出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新之路
來源:西安電子科技大學(xué) 6月24日,2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎在京揭曉,共評選出250個項目和12名科技專家。其中,國家最高科學(xué)技術(shù)獎2人,國家自然科學(xué)...
2024-07-02 標簽:寬禁帶半導(dǎo)體 796 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布,計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括SiC和GaN。與此同時,安世半導(dǎo)體的第一...
2024-07-01 標簽:功率器件SiC寬禁帶半導(dǎo)體 4.4萬 0
安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴產(chǎn)德國基地,聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達2億美元,用于在德國漢堡...
2024-06-29 標簽:SiC寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 943 0
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