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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬(wàn) 0

寬禁帶半導(dǎo)體是什么？

寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaAs 寬禁帶半導(dǎo)體 9583 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7246 0

第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料——氮化鎵

第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料

2023-02-23 標(biāo)簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4999 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 4950 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)：氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵金屬晶格 4904 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國(guó)的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4311 0

使用導(dǎo)模法生長(zhǎng)4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

晶體生長(zhǎng)使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應(yīng)加熱，銥金發(fā)熱體、銥金模具，銥金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

2022-11-23 標(biāo)簽：二極管晶體氧化鎵 4076 0

硫化鋅寬禁帶材料的光學(xué)性能及其影響因素

不同方法制備ZnS材料的光學(xué)性能差別較大。CVT制備技術(shù)采用ZnS粉末原料和氣體輸運(yùn)劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

2022-07-07 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 4063 0

寬禁帶半導(dǎo)體帖子

三極管具有什么特性？

標(biāo)簽：三極管寬禁帶半導(dǎo)體 2100 1

寬禁帶半導(dǎo)體資料下載

什么是第三代半導(dǎo)體及寬禁帶半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 686 0

寬禁帶半導(dǎo)體資訊

8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布，計(jì)劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時(shí)，安世半導(dǎo)體的第一...

2024-07-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 4.4萬(wàn) 0

開關(guān)損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來(lái)看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 5386 0

Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5258 0

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于...

2016-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 寬禁帶半導(dǎo)體 5061 0

中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)順利召開

　　12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審...

2017-12-13 標(biāo)簽：寬禁帶半導(dǎo)體 4541 0

駕馭狼的速度，泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試難題

泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。

2021-11-08 標(biāo)簽：示波器泰克連接器 4077 0

日企市場(chǎng)份額占比超9成，國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...

2023-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3842 0

淺談寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)概況

對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的M...

2022-07-05 標(biāo)簽：智能制造寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 3801 0

國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn)，是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。

2024-01-24 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3039 0

國(guó)內(nèi)家電市場(chǎng)年需電機(jī)超10億臺(tái) BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用，全球的電機(jī)市場(chǎng)得到了很大的增長(zhǎng)。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 2864 0

寬禁帶半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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