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標(biāo)簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些?
2023年,半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去,企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息,《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例,發(fā)現(xiàn)20...
功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級,從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升級實現(xiàn)從...
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽:氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1148 0
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...
美國國防部為北卡羅來納州微電子共享區(qū)域創(chuàng)新中心CLAWS撥款3940萬美元
《半導(dǎo)體芯科技》編譯 來源:Semiconductor Today 北卡羅來納州立大學(xué)作為寬禁帶半導(dǎo)體區(qū)域創(chuàng)新中心的領(lǐng)導(dǎo)者,獲得美國國防部3940萬美元...
2023-10-09 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 965 0
前來看,在未來一段時間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...
GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具...
國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點回顧
8月29日-31日,上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(簡稱PCIM Asia)在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會,本屆...
寬禁帶半導(dǎo)體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!
國際半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)Yole預(yù)測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元,其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元,占比...
2023-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 1165 0
日企市場份額占比超9成,國內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...
2023-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3842 0
氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性,在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 801 0
隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費問題愈發(fā)重視,可再生能源解決方案已成為大家關(guān)注的焦點。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關(guān)的挑戰(zhàn)迫使整個社會不得不重新思考其與...
2023-02-02 標(biāo)簽:IGBT可再生能源寬禁帶半導(dǎo)體 251 0
安集科技攜"芯"而來,亮相IC China 2022
革新技術(shù),共同推進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進一步加強全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈交流與合作,展示集成電路產(chǎn)業(yè)最新...
對話|成本下降對寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用多重要?
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降,其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體,展示出高頻、高...
2022-10-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料GaN寬禁帶半導(dǎo)體 1275 0
寬禁帶半導(dǎo)體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022
2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會?暨中國電源學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會及展覽會(CPEECCPSSC 2022)2022年11月4-7日? 廣州 白金合作...
2022-10-24 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅能量轉(zhuǎn)換 1548 0
追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,...
2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1533 0
對電子設(shè)備的需求激增正在推動半導(dǎo)體行業(yè)多個領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 (WBG...
2022-08-05 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 1937 0
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