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寬禁帶半導(dǎo)體

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寬禁帶半導(dǎo)體資訊

2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些?

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2023年,半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去,企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息,《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例,發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標(biāo)簽:英飛凌eda氮化鎵 1990 0

淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個基礎(chǔ)問題

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功率電子材料和器件研發(fā)基本與國際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級,從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升級實現(xiàn)從...

2023-12-05 標(biāo)簽:led功率器件GaN 1219 0

英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽:氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1148 0

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、...

2023-10-27 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅 2804 0

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

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從去年至今,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。

2023-10-25 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵碳化硅 441 0

美國國防部為北卡羅來納州微電子共享區(qū)域創(chuàng)新中心CLAWS撥款3940萬美元

《半導(dǎo)體芯科技》編譯 來源:Semiconductor Today 北卡羅來納州立大學(xué)作為寬禁帶半導(dǎo)體區(qū)域創(chuàng)新中心的領(lǐng)導(dǎo)者,獲得美國國防部3940萬美元...

2023-10-09 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 965 0

8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)小批量銷售

前來看,在未來一段時間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...

2023-09-12 標(biāo)簽:英飛凌晶圓碳化硅 450 0

GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

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氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽:氮化鎵氮化鎵電源GaN 2570 0

國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點回顧

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8月29日-31日,上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(簡稱PCIM Asia)在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會,本屆...

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寬禁帶半導(dǎo)體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!

國際半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)Yole預(yù)測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元,其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元,占比...

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日企市場份額占比超9成,國內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

日企市場份額占比超9成,國內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...

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西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性,在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

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淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)

氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。

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對話|成本下降對寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用多重要?

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隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降,其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體,展示出高頻、高...

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寬禁帶半導(dǎo)體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022

2022中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會?暨中國電源學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會及展覽會(CPEECCPSSC 2022)2022年11月4-7日? 廣州 白金合作...

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寬禁帶半導(dǎo)體的潛力

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2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1533 0

寬禁帶半導(dǎo)體前景樂觀

對電子設(shè)備的需求激增正在推動半導(dǎo)體行業(yè)多個領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 (WBG...

2022-08-05 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 1937 0

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