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標(biāo)簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速,2025年上量
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布,計(jì)劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括SiC和GaN。與此同時(shí),安世半導(dǎo)體的第一...
2024-07-01 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶半導(dǎo)體 4.5萬(wàn) 0
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 5835 0
開關(guān)損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后,因其優(yōu)秀的特性,迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看,GaN已經(jīng)在...
2024-07-04 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 5458 0
第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析
寬禁帶半導(dǎo)體(WBS)是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于...
2016-12-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC寬禁帶半導(dǎo)體 5066 0
中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)順利召開
12月11日,中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟(以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審...
2017-12-13 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 4552 0
駕馭狼的速度,泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試難題
泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟,雙方將深度整合資源,優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作,為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
日企市場(chǎng)份額占比超9成,國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬...
2023-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3854 0
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況,呂凌志博士直言,寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣,要想做好這個(gè)行業(yè)的M...
2022-07-05 標(biāo)簽:智能制造寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 3808 0
國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)分析
碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn),是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。
2024-01-24 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3060 0
國(guó)內(nèi)家電市場(chǎng)年需電機(jī)超10億臺(tái) BLDC電機(jī)滲透率有望持續(xù)提升
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)隨著高能效電機(jī)在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機(jī)等領(lǐng)域的廣泛使用,全球的電機(jī)市場(chǎng)得到了很大的增長(zhǎng)。據(jù)MarketsandMarke...
2021-11-21 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 2888 0
國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、...
資料大放送 | 2020英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會(huì)完美收官!
無論是開關(guān)電源、拓?fù)湓O(shè)計(jì)、寬禁帶半導(dǎo)體、兩輪車電氣化、高效儲(chǔ)能、5G電源等無處不在的基礎(chǔ)功率技術(shù),還是智能樓宇、智能家居、雷達(dá)感知、語(yǔ)音交互等先鋒創(chuàng)新的...
2020-09-16 標(biāo)簽:英飛凌開關(guān)電源傳感系統(tǒng) 2628 0
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購(gòu)案有哪些?
2023年,半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過去,企業(yè)收并購(gòu)的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息,《中國(guó)電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際收并購(gòu)案例,發(fā)現(xiàn)20...
對(duì)電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這一趨勢(shì)的受益者是寬帶隙 (WBG...
2022-08-05 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 1940 0
西電與極海微電子舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式
3月15日,西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長(zhǎng)奮斗故事分享會(huì),
2024-03-20 標(biāo)簽:微控制器集成電路寬禁帶半導(dǎo)體 1580 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
寬禁帶半導(dǎo)體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022
2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)?暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEECCPSSC 2022)2022年11月4-7日? 廣州 白金合作...
2022-10-24 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅能量轉(zhuǎn)換 1551 0
納微半導(dǎo)體CTO登場(chǎng)SEMICON Taiwan 2021大會(huì),介紹氮化鎵技術(shù)
氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 1548 0
追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,...
2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1545 0
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