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      標簽　>　寬禁帶

      寬禁帶

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      寬禁帶技術

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      2021-01-11 標簽：激光器氮化鎵adas 5521 0

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      2020-10-10 標簽：IC設計安森美半導體寬禁帶 3870 0

      氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區(qū)別

      氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以...

      2023-12-27 標簽：半導體氮化鎵碳化硅半導體 3048 0

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      2022-10-17 標簽：半導體熱導率寬禁帶 2377 0

      IGBT器件失效模式的影響分析

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      寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

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      2020-05-28 標簽：功率MOSFET碳化硅寬禁帶 1738 0

      相控陣雷達性能的基石：寬禁帶半導體

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      2016-04-29 標簽：半導體電子寬禁帶 1436 0

      氮化鎵和碳化硅MOSFET應用建議以及碳化硅二極管應用領域

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      2023-02-03 標簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1407 0

      【泰克電源設計與測試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計

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      半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領域的多種應用，是現(xiàn)代設計中有效轉換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅動器和布線正確且優(yōu)化設計時，這種電路的優(yōu)勢...

      2020-08-31 標簽：示波器功率器件探頭 1388 0

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      寬禁帶資訊

      投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

      在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導體是這幾年的熱門技術，我國除了在硅基方面進行追趕外，在第三代半導體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

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      第三代半導體材料有何優(yōu)勢

      日前，在紀念集成電路發(fā)明60周年學術會議上，中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科技大學教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導...

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      盤點寬禁帶與超寬禁帶半導體器件最新進展

      郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質量的凹槽半懸空柵技術，器件的fmax達320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30...

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      寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎

      行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應（400千瓦時）的3...

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      什么是寬禁帶半導體？

      什么是寬禁帶半導體？

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      碳化硅的應用領域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

      碳化硅的應用領域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導體材料，因其獨特的物理和化學特性，在多個領域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力。以下是碳化硅的一些主要應用領域：...

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      第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

      第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

      大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術應用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...

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      瑞能半導體如何才能在激烈的市場競爭中突圍

      2015年，瑞能半導體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨立出來，如今已成為全球功率半導體的領導廠商，特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展，瑞能半導體...

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      　加利福尼亞州加州埃爾塞貢多訊，氮化鎵功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克：NVTS）今日公布截至2022年3月31日的第一季度未經(jīng)審計的財務業(yè)績。

      2022-05-19 標簽：元器件數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1972 0

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