氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 2686 0

硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別

固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy...

2022-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱導(dǎo)率寬禁帶 2258 0

相控陣?yán)走_(dá)性能的基石：寬禁帶半導(dǎo)體

現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。

2016-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子寬禁帶 1364 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1313 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬 1

第三代半導(dǎo)體材料有何優(yōu)勢

日前，在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會議上，中科院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)...

2018-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶 1.4萬 0

盤點(diǎn)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件最新進(jìn)展

郝躍院士介紹了西電320GHz毫米波器件，利用高界面質(zhì)量的凹槽半懸空柵技術(shù)，器件的fmax達(dá)320GHz，在輸出功率密度一定的情況下，功率附加效率在30...

2018-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶 1.2萬 0

寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時(shí)）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6509 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 4212 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2334 0

瑞能半導(dǎo)體如何才能在激烈的市場競爭中突圍

2015年，瑞能半導(dǎo)體從恩智浦功率產(chǎn)品線獨(dú)立出來，如今已成為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)廠商，特別是碳化硅市場份額在國際上名列前茅。這一切跨越式發(fā)展，瑞能半導(dǎo)體...

2021-08-20 標(biāo)簽：恩智浦碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2184 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布2022第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績

　加利福尼亞州加州埃爾塞貢多訊，氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克：NVTS）今日公布截至2022年3月31日的第一季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績。

2022-05-19 標(biāo)簽：元器件數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1892 0