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標(biāo)簽 > 寄生二極管
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主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端(包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞
不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的: 要么都由S指向D,要么都有D指向S。
2023-03-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 965 0
無論是NMOS還是PMOS ,按上圖方向擺正,中間的一腳為D,左邊為G,右邊為S。 或者這么記:?jiǎn)为?dú)的一腳為D,逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。
簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn)電源防接反設(shè)計(jì)
我們?cè)谑褂猛饨与娫搭惍a(chǎn)品時(shí),可能會(huì)因一時(shí)疏忽將將電源線接反,導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)角度來講,如果把電源做成防反接的,那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計(jì)...
mos管旁邊并以二極管是防止場(chǎng)效應(yīng)管反向擊穿而設(shè)置的。
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0
mos管怎么測(cè)試好壞 mos管內(nèi)部二極管的作用
MOS管可以通過多種測(cè)試方法來測(cè)試其質(zhì)量。其中,最常用的測(cè)試方法包括電容測(cè)試、電阻測(cè)試、絕緣測(cè)試、耐壓測(cè)試和熱阻測(cè)試等。此外,還可以通過檢查MOS管的外...
mos管為什么會(huì)有寄生二極管 寄生二極管的示意圖/作用參數(shù)/方向判定
mos管會(huì)有寄生二極管是因?yàn)閙os管的源極和漏極之間的電阻會(huì)發(fā)生變化,這種變化會(huì)導(dǎo)致mos管內(nèi)部的電壓發(fā)生變化,從而產(chǎn)生一個(gè)寄生二極管。寄生二極管可以抑...
從上圖可看出,此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路由4個(gè)NMOS管構(gòu)成,形如H型,故名全H橋電路。通過控制4個(gè)MOS管的導(dǎo)通與截止達(dá)到對(duì)中間電機(jī)的不同控制效果。NMOS管的柵...
2023-01-06 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路H橋電路 6726 0
我們普通人做菜,一般都是大雜燴,同樣的食材,大廚會(huì)根據(jù)食材本身的特點(diǎn),做出好吃又好看的美味佳肴。同樣道理,我們繪制電路圖時(shí)也要根據(jù)元件特征,繪制出具有美...
MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能和開關(guān)條件
借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔,紅表筆接S,黑表筆接D,有數(shù)值顯示,反過來接無數(shù)值,說明是N溝道,若情況相反是P溝道。
PMOS管做開關(guān)用,S極作電源輸入,D極作輸出,當(dāng)Vsg大于閾值電壓,MOS管導(dǎo)通,一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小,毫歐級(jí)別,過幾安培的電流,壓降也才毫伏...
1、三個(gè)極怎么判定?2、他們是N溝道還 是P溝道?3、寄生二極管的方向如何判定?
內(nèi)部電容瞬態(tài)耗散與負(fù)載電容耗散相似,不同之處在于內(nèi)部寄生“片上”電容正在充電和放電。圖3是與兩個(gè)CMOS反相器相關(guān)的寄生節(jié)點(diǎn)電容的示意圖。
有人將電池的充放電就像孩子喝母乳一樣,十分形象: 1,如果一直讓孩子喝,家長(zhǎng)不加以控制,那么這個(gè)奶可能會(huì)被喝光,類似電池過放;? 2,如果家長(zhǎng)一直不給孩...
邏輯電平TTL/CMOS電平的互連、OC/OD的互連規(guī)范
本篇主要介紹TTL/CMOS電平的互連、OC/OD的互連,其余單端邏輯電平的互連可參考相關(guān)器件規(guī)范、電平規(guī)范。 1、TTL/CMOS互連 常用的TTL和...
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