如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V（BR）DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2022-08-23 11:14:18
2181 電路上TVS經(jīng)常損壞的現(xiàn)象和原因有哪些TVS(TransientVoltageSuppressor)是一種用于保護(hù)電路免受過電壓沖擊的元件。幾乎所以的電子器件上都會需要有TVS進(jìn)行電路保護(hù)。如果在
2023-08-01 00:03:41834 
造成損壞的原因可能有幾個： 1.缺少保護(hù)電路。一般來說電路中應(yīng)適當(dāng)設(shè)置保護(hù)電路。以吸收電路中的瞬間高壓。浪涌電壓。保護(hù)關(guān)鍵元件?！ ?.參數(shù)選取不合理。沒有余地。效應(yīng)管的耐壓。電流都應(yīng)該流有
2020-06-30 14:41:49
請較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。所以ESD對MOS管的損壞可能是一，三兩種情況，并不一定每次都是第二種情況。上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果
2017-06-01 15:59:30
有誰用過IRLML6401，接法如下圖，但是mos管不能導(dǎo)通是什么原因？
2015-12-18 11:19:37
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
DS間加電容，測試兩種差不多的MOS管，發(fā)現(xiàn)MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流?。?，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關(guān)系嗎
2018-01-19 09:54:42
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種?！ ≈劣跒槭裁床皇褂煤谋M型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易
2019-02-14 11:35:54
我們在規(guī)劃制作電子捕魚器時，有兩種器材是必不可少的，一種是高頻機(jī)的功率MOS管，首要用在高頻電子捕魚器中，另一種是低頻電魚機(jī)中的三極管，首要用于低頻捕魚器中，這兩種元器材在運(yùn)用中究竟有些什么區(qū)別呢
2019-05-30 00:34:14
為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主
2011-11-07 15:56:56
電路如圖，實測電路上電后，當(dāng)出現(xiàn)負(fù)載短路、過流時，MOS管關(guān)斷，電源無輸出。但是，如果先將負(fù)載短路，再給電路上電，則Q2管子會被擊穿，有時甚至有炸管的現(xiàn)象。請教各位幫忙分析一下該如何改進(jìn)
2020-02-16 07:00:00
最近在做一個Mos管驅(qū)動產(chǎn)品，發(fā)現(xiàn)發(fā)燙得厲害，然后參考了其他競品發(fā)現(xiàn)都有增加這么一個二極管，依樣增加上去后就不燙了，這就是是什么原因呢？在網(wǎng)上找到了原因，如下：再看MOS管本身DS極間也有個二極管
2021-09-14 07:49:42
1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
給到MOS管一個脈沖波形后，測試MOS管漏極電壓會出現(xiàn)一個drop現(xiàn)象，且這個drop與mos管的導(dǎo)通時間有關(guān)，導(dǎo)通時間越久這個drop越大。后面經(jīng)過各種試驗發(fā)現(xiàn)，只要將后面的分壓電路去掉就不會
2022-04-01 16:01:21
使用ti的tps51621buck控制器，12V輸出1V輸出，高側(cè)的mos管會出現(xiàn)損壞造成12V對地短路的情況，MOS管高側(cè)選用的CSD16322Q5，參數(shù)滿足要求，板子放在機(jī)箱中，測試MOS管的表面溫度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路： 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對MOS管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。來源：網(wǎng)絡(luò)，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
的直流電機(jī)時，悲劇卻發(fā)生了，而且后果非常嚴(yán)重，MOS管V2、V1的D、S極直接短路，在V7、V6導(dǎo)通時，造成24V直接對地短路，MOS管全部燒毀，而且還可能造成前端的２４V電源模塊損壞。分析原因
2018-05-23 18:37:13
一個簡單的NPN+P_MOS開關(guān)控制，負(fù)載是850nm激光二極管，驅(qū)動MCU是STC15F2。現(xiàn)在出現(xiàn)mos管容易損壞的情況，本人菜鳥不知道是什么原因造成的，還望各位大神能指點一二
2018-08-29 18:06:20
損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS管擊穿的瞬間，灌流電路元件也受到傷害，也應(yīng)該更換。就像我們有很多高明的維修師傅在修理A3開關(guān)電源時；只要發(fā)現(xiàn)開關(guān)管擊穿，就也把前面的2SC3807激勵管一起更換一樣道理（盡管2SC3807管，用萬用表測量是好的）。`
2019-04-11 12:04:23
本帖最后由 XSJ7755 于 2017-4-18 19:54 編輯
我在工作中遇到的一個案例，客戶端總是燒一個MOS 管的問題。參考附圖！為什么總是損壞MOSFETQ8212？同一片主板上用料五顆，請高手分析下原因
2017-04-18 19:56:14
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因：過流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；過壓
2021-07-05 07:19:31
還是換上原來一樣型號的才解決問題。檢測到MOS管損壞后，更換時其周邊的灌流電路的元件也必須全部更換，因為該MOS管的損壞也可能是灌流電路元件的欠佳引起MOS管損壞。即便是MOS管本身原因損壞，在MOS
2019-02-23 16:23:40
關(guān)于怎樣確定MOS管是否會擊穿的問題。在網(wǎng)上有看到大概兩種說法：1.計算雪崩能量然后進(jìn)行判斷MOS管是否會損壞；2.計算MOS管結(jié)溫然后查出對應(yīng)的擊穿電壓。第一種不知道是要測所有的能量還是只是大于
2018-12-21 10:46:27
1.MOS管并聯(lián)的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致
2018-10-12 16:47:54
當(dāng)可控硅損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿?？煽毓枰虿荒艹惺茈妷憾?b class="flag-6" style="color: red">損壞，其芯片中有一個
2014-02-15 11:59:40
MOSFET的擊穿有哪幾種？如何處理MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重情況？MOS管小電流發(fā)熱的原因MOS管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決MOS管為什么可以防止電源反接？
2021-03-29 08:19:48
過熱燒毀。四、快恢復(fù)二極管規(guī)格型號不符。更換新二極管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路，用蒸汽清潔的電路板后，沒有晾干，由水造成電路短路故障而造成的。請在用蒸汽清潔后，再用壓縮空氣吹一遍再檢測應(yīng)該可以避免這種損壞。?快恢復(fù)二極管規(guī)格書下載：
2021-05-13 17:27:00
哪位大神能幫忙分析下這個電路，安裝電池的過程中MOS管會有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
最近做了一個DC/DC 15V的隔離電源。PWM1，PWM2由信號源提供。但是在測試中，出現(xiàn)了一個奇怪的現(xiàn)象。每次測試，在斷電的時候。如果先停止信號源的信號，MOS就燒毀。相反，如果先停止15電，則沒事。求大神答疑解惑，小生不勝感激！
2013-11-17 15:58:46
`<p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案 一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45
MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種?！ ≈劣跒槭裁床皇褂煤谋M型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23
?！ ≈劣跒槭裁床贿m用號耗盡型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也
2018-12-03 14:43:36
整流二極管的損壞原因整流二極管的檢查方法整流二極管的代換
2021-04-02 06:17:32
是什么原因導(dǎo)致了MOS管發(fā)熱？
2021-06-07 06:21:08
`大家好，我在做一個簡單的低端驅(qū)動，使用mos管驅(qū)動電磁閥，電路及參數(shù)如下圖，mos管G極信號是0-12V?，F(xiàn)在的問題是當(dāng)mos管打開時，DS兩端電壓會逐漸上升，至6v左右，下圖中黃線為控制信號，紫線為DS電壓。請問這種現(xiàn)象是什么原因呢?`
2015-02-06 20:32:21
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2019-03-13 06:00:00
1.MOS管并聯(lián)的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大，如果在并聯(lián)過程中由于某種原因（比如RDSON比較低，電流路徑比較短等）導(dǎo)致
2018-11-28 12:08:27
上面因素?！ ?b class="flag-6" style="color: red">五、選取耐壓BVDSS 在大多數(shù)情況下，因為設(shè)計的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對固定的，公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號，產(chǎn)品額定電壓也是固定的?！ ?shù)據(jù)表中功率MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS管，或者PMOS
2018-11-08 14:11:41
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源
2018-10-26 14:32:12
時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
的MOS管，而不會使用以前的三極管。但是性能再優(yōu)越，也會出現(xiàn)損壞的情況，那作為廠家來說應(yīng)該怎么檢測MOS管是否損壞呢？ 電路中，如何判斷MOS管的完好或失效，與單獨鑒別MOS好壞不完全相同，電路中完好
2018-12-27 13:49:40
把這些損耗控制在MOS管承受規(guī)格之內(nèi)，MOS管即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞?！ 《_關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，尤其是PWM沒完全打開，處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時（對應(yīng)電動車的起步加速狀態(tài)），而最高
2019-02-28 10:53:29
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:36 編輯
MOS管被擊穿的原因及解決方案如下： 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或
2012-07-14 15:34:14
在我們項目開發(fā)和產(chǎn)品量產(chǎn)過程中總是會出現(xiàn)一些 IC 損壞的現(xiàn)象，通常要想找出這些 IC 損壞的根本原因并不總是很容易。有些偶發(fā)性的損壞很難被重現(xiàn)，這時的難度就會更大。而且有些時候 IC 的失效表現(xiàn)
2021-03-11 07:41:29
電源開關(guān)管損壞的原因分析
2019-05-28 11:27:38
電源開關(guān)管損壞的主要原因有以下13種：1．軟啟動電路失效2．開關(guān)管集成電路板反峰吸收電路失效3．正反饋過強(qiáng)4．定時電容失效漏電5．穩(wěn)壓電路中的去耦電容失效6．穩(wěn)壓電路的負(fù)反饋開環(huán)7．開關(guān)管發(fā)射極
2011-08-09 11:51:44
9V的電壓。更換下方MOS，恢復(fù)正常。器件型號，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于問題故障率太大，不能進(jìn)行生產(chǎn)。請各位大大幫忙看看到底為什么會導(dǎo)致MOS損壞。怎么解決？謝謝`
2019-12-30 10:30:50
電路是這樣，輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結(jié)果燒MOS管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電
2020-04-26 14:17:30
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
刨根問底。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管教之間有
2017-12-05 09:32:00
的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS，下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個
2017-08-15 21:05:01
的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS
2018-11-27 13:44:26
輸入電壓110V，緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題，后來幾年后也是同樣的電路拿出來用，結(jié)果燒mos管。我猜測原因如下，不知道對不對，請各位大神指教。電源上電的時候
2020-05-20 10:06:20
12V；；；請問各位大佬MOS管的這種損壞屬于什么損壞，是什么導(dǎo)致的，感覺GS有2M應(yīng)該是沒事的，這個管子以前遇到的損壞都是GS直接短路了，這個現(xiàn)象不一樣
2021-05-25 08:21:12
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿?！ §o電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39
產(chǎn)品在某一個批次的生產(chǎn)中突然發(fā)現(xiàn)20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現(xiàn)為下MOS損壞。外圍硬件設(shè)計，有什么因素可能導(dǎo)致下MOS管損壞呢？如何去分析對比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
摘要：針對冷床傳輸鏈逆變器IGBT 頻繁損壞的現(xiàn)象，通過對逆變器輸出線路、負(fù)荷、逆變器容量、電機(jī)勵磁電流、IGBT 的發(fā)熱等進(jìn)行分析，得出IGBT 損壞的原因是勵磁電流過大而造
2010-06-28 15:32:51
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晶閘管損壞原因判別
....當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是
2009-07-28 08:15:261536 如何判別晶閘管損壞原因
....當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后
2010-03-08 09:47:31676 MOS管損毀原因總結(jié)
2017-06-19 14:22:3226 一般電容器在電源中損壞會出現(xiàn)什么現(xiàn)象，常用電容器有陶瓷電容器，多層陶瓷電容器，高壓電容，安規(guī)電容器。小編舉例了幾種常見的現(xiàn)象，大家可以跟小編去了解一下。 1）電容器內(nèi)部的短、斷路損壞，故障現(xiàn)象是燒壞
2018-06-02 08:51:462049 
在工作電路中，如果晶振損壞會有哪些特征現(xiàn)象呢？晶振損壞分為兩大類，一是徹底停振，二是具有不穩(wěn)定性。
2020-02-20 00:31:1425183 什么是MOS管？它有什么特點？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內(nèi)，Mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同Mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
MOS管有很多種類，也有很多作用，在作為電源或者驅(qū)動使用的情況下，發(fā)揮的當(dāng)然是用它的開關(guān)作用。但在半導(dǎo)體電子應(yīng)用過程中，MOS管經(jīng)常會出現(xiàn)發(fā)燙嚴(yán)重的現(xiàn)象，那么是什么原因導(dǎo)致MOS管發(fā)燙呢？
2022-08-15 16:14:466455 簡 介： 本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實現(xiàn)電源的緩啟動。
2022-09-16 09:09:402010 Mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 本文詳述了配電變壓器損壞原因分析及解決方法，包括配變在送電和運(yùn)行中常見的故障和異常現(xiàn)象、配電變壓器損壞原因（尤其是從變壓器的聲音判斷故障）以及配電變壓器損壞解決措施。
2023-06-03 10:07:231410 PCB板噴涂三防漆出現(xiàn)縮膠現(xiàn)象是如何引起的呢？三防漆出現(xiàn)縮膠現(xiàn)象原因是什么？什么原因引起三防漆出現(xiàn)縮膠現(xiàn)象呢？
2022-05-06 16:44:451342 
電阻損壞的原因有哪些？ 電阻是電子元器件中最基礎(chǔ)、最常見的一種元件，用于控制電路中的電流和電壓。但是，電阻也會出現(xiàn)損壞的情況。電阻損壞的原因有以下幾點： 1. 過載使用：過載是電阻損壞最常見的原因
2023-08-29 16:46:445000 光耦損壞故障原因有哪些 光耦怎么測好壞？ 光耦（Opto-Coupler）是一種將光電設(shè)備和電子設(shè)備相互隔離或耦合的器件，它通常由發(fā)光二極管（LED）和光敏三極管（光電二極管或光敏三極管）組成
2023-11-20 16:16:282534 本文詳述了配電變壓器損壞原因分析及解決方法，包括配變在送電和運(yùn)行中常見的故障和異常現(xiàn)象、配電變壓器損壞原因（尤其是從變壓器的聲音判斷故障）以及配電變壓器損壞解決措施。
2023-11-24 17:28:04664 光耦損壞對輸出的影響 光耦損壞都有哪些現(xiàn)象 怎樣測試光耦元件的好壞？ 光耦是一種用于隔離電路的元件，主要用于將輸入信號從一個電路傳輸?shù)搅硪粋€電路，同時實現(xiàn)電路之間的電氣隔離。光耦損壞會對輸出產(chǎn)生一定
2023-12-25 14:04:50600 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實際應(yīng)用中，MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
串聯(lián)電抗器在運(yùn)行過程中，時常會出現(xiàn)三大現(xiàn)象，比如損壞、發(fā)熱、噪音大。下面跟著薩頓斯STS來了解引起串聯(lián)電抗器損壞發(fā)熱噪音大的原因有哪些？
2024-01-15 16:24:18180 
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