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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質（ILD）。其核心目標是通過降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過兩種方法無意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
在現(xiàn)代電子電路設計和應用中，寄生參數(shù)是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點多時，如何減少寄生電容和保障節(jié)點數(shù)量？
導讀在汽車電子與工業(yè)控制等領域，CAN通信至關重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點增多時如何減少寄生電容的策略，同時從發(fā)送、接收節(jié)點等方面，講解保障節(jié)點數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導體技術的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進入了3納米節(jié)點及更先進階段。在這個過程中，中道（MEOL）金...
MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實現(xiàn)對電流的控制。當柵極電壓達到一定閾值時，通道電阻迅速減小，形成導電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應用于開關電源、LED驅動等領域。然而，在LLC關斷時，由于...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內部由于結構原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...
PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響解析立即下載
類別：PCB設計規(guī)則 2017-12-02 標簽：pcbemi寄生電容 1542 0
淺談PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響立即下載
類別：PCB設計規(guī)則 2017-12-01 標簽：pcbemi寄生電容 1203 0
類別：PCB設計規(guī)則 2017-11-18 標簽：PCB設計寄生電容高速pcb 2341 0
過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個方面。
在電子測試和測量領域，探頭是連接被測設備(DUT)與測量儀器(如示波器)之間的關鍵組件。探頭的性能直接影響到測試結果的準確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國IC設計成就獎-年度最佳傳感器/MEMS獎項”
2024 IIC國際集成電路展覽會今日在上海張江科學會堂盛大閉幕?，幮咀鳛閲鴥裙β势骷蛿?shù)?；旌闲盘栨溞酒a(chǎn)品的領軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導體制程工藝，解決碳納米管均勻可控摻雜難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導體場效應晶體管結構（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對MOS管快速關斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進步和應用范圍的不斷擴大，人們對于電子元器件的質量和可靠性要求也越來越高，因為電子...
而當狀態(tài)發(fā)生變化時，暫時會有Q3和Q4管同時導通，這時在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當門輸出電平從低變?yōu)楦邥r，電...
近年來，太赫茲（THz）技術已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達探測、光譜成像和生物醫(yī)學傳感等領域的研究熱點。
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