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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電容等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
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新能源驅(qū)動(dòng)電機(jī)共模電流產(chǎn)生的軸電壓是什么?
當(dāng)前400V下的電機(jī)軸承并不是都會(huì)發(fā)生電腐蝕,這主要還是取決具體的設(shè)計(jì)方案。但是800V下的系統(tǒng),電機(jī)軸承發(fā)生電腐蝕的概率(不增加防護(hù)措施)將會(huì)直接翻倍...
運(yùn)放OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題
這一篇文章我們主要看下OP閉環(huán)電路小信號分析中常見的問題。有時(shí)候我們發(fā)現(xiàn)stb分析(β=1)的bode圖和開環(huán)AC仿真的曲線相差很大,且兩者的零極點(diǎn)位置...
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間
通用模擬開關(guān)廣泛用于掃地機(jī)器人、交換機(jī)、通訊基站等應(yīng)用中,主要用于信號切換,包含系統(tǒng)輸入信號的選擇、功率器件的控制信號切換和通訊接口的切換等。
2023-07-08 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)交換機(jī)功率管 1559 0
使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 標(biāo)簽:寄生電容機(jī)器學(xué)習(xí)泛林集團(tuán) 588 0
gm/Id方法設(shè)計(jì)二級OTA(2)—電流鏡式放大器介紹
輸入級放大電路由 M1~M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對,差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號干擾;M3、M4 電流鏡為有源...
MSP430FR2633的PCB布局注意事項(xiàng)有哪些?
主電路板是四層堆疊,具有內(nèi)部接地層和剖面線電源層。陰影有助于減少可能對電容觸摸感應(yīng)性能產(chǎn)生負(fù)面影響的寄生電容。
有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾(EMI)規(guī)范(例如CISPR 32和CISPR 25)這些限制因素,都導(dǎo)致獲得具有高效率和...
時(shí)序簽核方法學(xué)及實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)
其中的Operating Mode,可以分為Function Mode和Test Mode。對于大型的SoC芯片工作模式多種多樣,特別是牽涉到不同子系統(tǒng)...
總結(jié):硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)60條!
磁珠由導(dǎo)線穿過鐵氧體組成,直流電阻很小,在低頻時(shí)阻抗也很小,對直流信號幾乎沒有影響。在高頻(幾十兆赫茲以上)時(shí)磁珠阻抗比較大,高頻電磁場在鐵氧體材料上產(chǎn)...
2023-06-19 標(biāo)簽:pcb寄生電容硬件設(shè)計(jì) 742 0
常用的mos管驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給mos管驅(qū)動(dòng)。
2023-06-19 標(biāo)簽:二極管MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1928 0
有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾(EMI)規(guī)范(例如CISPR 32和CISPR 25)這些限制因素,都導(dǎo)致獲得具有高效率和...
2023-06-18 標(biāo)簽:開關(guān)電源emi電磁干擾 1.6萬 0
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