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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電容等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
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雙向可控硅的特點(diǎn)及應(yīng)用 雙向可控硅觸發(fā)電路設(shè)計(jì)技巧
雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三...
盡管流行的電容器有十幾種,包括聚脂電容器、薄膜電容器、陶瓷電容器、電解電容器,但 是對(duì)某一具體應(yīng)用來說,最合適的電容器通常只有一兩種,因?yàn)槠渌愋偷碾娙?..
2018-01-31 標(biāo)簽:寄生電容 4.5萬 0
寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么
本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害,其次闡述了寄生電感測(cè)量?jī)x的設(shè)計(jì)和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式,最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計(jì)算以及使用。
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻...
寄生電容產(chǎn)生的原因_寄生電容產(chǎn)生的危害
本文首先介紹了寄生電容的概念,其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因,最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很...
PCB焊盤寄生電容的計(jì)算公式與設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
在布線較密的情況下,推薦采用橢圓形與長(zhǎng)圓形連接盤。單面板焊盤的直徑或最小寬度為1.6mm;雙面板的弱電線路焊盤只需孔直徑加0.5mm即可,焊盤過大容易引...
大規(guī)模生產(chǎn)中如何測(cè)量觸摸屏電容值
使用高分辨率SAR ADC的好處是無需模擬域的相位和幅度檢測(cè),這可以由處理器或FPGA來完成,靈活性更大,性能更好。當(dāng)然,也可以只使用一個(gè)ADC,利用S...
EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問題,無論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET,他們的Datasheet中,一...
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很...
2018-01-31 標(biāo)簽:寄生電容 2.3萬 0
分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門設(shè)計(jì)成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說,兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容,元...
MOSFET和三極管ON狀態(tài)它們到底有何區(qū)別呢?
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。
MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度
我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容C...
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