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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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上期解釋了單端口計(jì)算S參數(shù)，然后后處理很容易提取L或C，已經(jīng)滿足基本需求。
我常用的分析方法——輸入輸出阻抗，是怎么玩的？你會(huì)不？
?這篇文章并非是現(xiàn)在寫的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個(gè)參數(shù)似乎沒那么重要，但事實(shí)并非如此。下面...
小外形封裝 (Small Outine Package, SOP）器件屬于引腳從封裝體兩側(cè)子出呈翼狀的表面貼裝器件，其封裝結(jié)構(gòu)分 為嵌人式和外露式兩種。
采用初級側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)的反激式電源實(shí)現(xiàn)方案
開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電，...
2021-05-31 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源寄生電容 7557 0
在開始討論運(yùn)放的共模抑制比CMRR之前，我們先了解一下運(yùn)放的共模輸入電壓和軌對軌運(yùn)放。
什么是寄生效應(yīng)？寄生電容及版圖抗干擾設(shè)計(jì)
在非理想狀態(tài)下設(shè)計(jì)中不希望存在的，有物質(zhì)本身特性，或物質(zhì)與物質(zhì)間相互作用，在特定條件下所產(chǎn)生的新特性。
IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求，這些設(shè)備在電氣設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。
手算法其實(shí)就是根據(jù)設(shè)計(jì)要求，把結(jié)構(gòu)定下來之后運(yùn)用運(yùn)放的一些基礎(chǔ)知識(shí)將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個(gè)方法不一定能設(shè)計(jì)出很完美的運(yùn)放，但是對...
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好
一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。
2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 7265 0
之前我提了一個(gè)關(guān)于薄膜電容的問題，如下圖所示，電容一端的條紋代表什么？ 這些都是無極性電容，所以這個(gè)條紋不是極性標(biāo)記。一位讀者得回答正確，它代表電容卷繞...
由于高增益峰值及其他各種原因，電流反饋（CFB）放大器可能變的不穩(wěn)定，極端情況甚至進(jìn)入振蕩狀態(tài)。?放大器不穩(wěn)定的原因有兩個(gè)，反饋電阻值過低以及引入對地的...
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點(diǎn)及應(yīng)用？
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 6810 0
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...
壓敏電阻是典型的鉗位型過壓器件，在實(shí)際過壓防護(hù)中，利用壓敏電阻的非線性特性
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，單元...
本期先補(bǔ)充學(xué)習(xí)一下本科課程中講到的串并聯(lián)阻抗的等效互換（雖然很簡單，但重點(diǎn)是在工程中怎么用這個(gè)知識(shí)點(diǎn)），隨后以LC-tank PLL中的電容陣列為例
當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。
單端輸出的5管運(yùn)放或者電流鏡存在一對高頻零極點(diǎn)對，本文試圖從多個(gè)角度推導(dǎo)、理解這個(gè)零點(diǎn)。
什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？
DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
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