完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
文章：283個(gè) 瀏覽：19726次 帖子：31個(gè)
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)，無需外加額外ESD保護(hù)電路情況下，都通過 IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽：寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 2626 0
驅(qū)動(dòng)器調(diào)制輸出晶體管需要最小的規(guī)定電壓才能正確開關(guān)。一個(gè)示例要求是調(diào)制輸出的最低電壓為1.55V。
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類...
非平衡電橋通常指的是在測量時(shí)電橋沒有達(dá)到完全平衡狀態(tài)的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
2024-05-15 標(biāo)簽：電橋頻率響應(yīng)寄生電容 2391 0
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個(gè)孔都可以稱之為過孔。
2023-02-13 標(biāo)簽：PCBPCB設(shè)計(jì)寄生電容 2389 0
恩智浦具有自動(dòng)校準(zhǔn)功能的電容式接近開關(guān)
恩智浦的電容式開關(guān)使用獲得專利的數(shù)字技術(shù)（來自Edisen的專利）來檢測設(shè)備輸入上電容的變化。為了使用此開關(guān)，必須首先定義以下內(nèi)容： 機(jī)械輪廓和要使用的...
通道channel仿真的時(shí)候，需要我們搭建鏈路的模塊，一般會(huì)把各部分搭建起來，會(huì)對(duì)其進(jìn)行檢查。
放大器一般不允許輸出端對(duì)地直接加比較大的電容。有的時(shí)候電容并不是有意加上的，比如驅(qū)動(dòng)長線纜時(shí)線纜的寄生電容，它不會(huì)在電路原理圖上，但卻真實(shí)存在。
為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器？柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹
柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 2321 0
瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(5)-2
單擊下圖紅色框內(nèi)的圓點(diǎn)，將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時(shí)鐘源設(shè)定為"IWDT-ded...
雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
LLC（Light Load Control）是一種在低負(fù)載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。然而，在LLC關(guān)斷時(shí)，由于...
2024-08-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源電壓寄生電容 2297 0
所謂安規(guī)電容器，指的就是必須過安規(guī)認(rèn)證的特殊電容器，比如X和Y安規(guī)電容
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽：MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2257 0
PCB：Printed circuit board 印刷電路板，是指在通用基材上按預(yù)定設(shè)計(jì)形成點(diǎn)間連接及印制元件的印刷板。
2022-11-12 標(biāo)簽：信號(hào)完整性BGA寄生電容 2209 0
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的...
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
噪聲的抑制是電磁兼容領(lǐng)域一直圍繞的一個(gè)重要問題之一，而在噪聲的抑制過程中“噪聲的耦合”則讓噪聲的抑制變得更加的復(fù)雜多變，使得噪聲抑制的難度再次提升，所以...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
