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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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[移相全橋]()作為大功率DC/DC變換器的首選在很多場(chǎng)合得到應(yīng)用，比如通訊系統(tǒng)中的應(yīng)用將高壓400VDC轉(zhuǎn)換為12V。
什么是開(kāi)關(guān)振鈴？振鈴的原因？如何優(yōu)化振鈴現(xiàn)象？
開(kāi)關(guān)振鈴是指在電子設(shè)備中，當(dāng)開(kāi)關(guān)從一個(gè)狀態(tài)切換到另一個(gè)狀態(tài)時(shí)，由于寄生電容、電感等元件的存在，導(dǎo)致電路中的電壓和電流發(fā)生瞬時(shí)波動(dòng)的現(xiàn)象。
2024-02-17 標(biāo)簽：寄生電容LC濾波器諧振轉(zhuǎn)換器 1.6萬(wàn) 0
使用DCDC同步電源過(guò)程中，測(cè)試波形會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰過(guò)沖問(wèn)題，文中給出調(diào)試此問(wèn)題過(guò)程中的解決方法。
Rds(ON)是MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...
有限且不斷縮小的電路板空間、緊張的設(shè)計(jì)周期以及嚴(yán)格的電磁干擾（EMI）規(guī)范（例如CISPR 32和CISPR 25）這些限制因素，都導(dǎo)致獲得具有高效率和...
2023-06-18 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源emi電磁干擾 1.6萬(wàn) 0
寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開(kāi)的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好...
50Hz的交流電力線、大型電機(jī)等，都是交流磁場(chǎng)的來(lái)源，若總線靠近或經(jīng)過(guò)這些地方，地環(huán)路就會(huì)產(chǎn)生電流高達(dá)數(shù)安培甚至上百安培。電流流過(guò)地環(huán)路產(chǎn)生的共模電壓就...
首先定義跨阻放大器是什么。對(duì)于上下文，我們來(lái)看一個(gè)示例電路。
2023-09-19 標(biāo)簽：衰減器寄生電容數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.2萬(wàn) 0
ADC前端運(yùn)算放大器及RC濾波器設(shè)計(jì)案例
一般有兩種形式，一種是 有源濾波器（抗混疊濾波器）+RC（用于給ADC內(nèi)部保持電路提供電荷緩沖） 另一種是 單RC濾波器；
2023-10-16 標(biāo)簽：濾波器運(yùn)算放大器adc 1.2萬(wàn) 0
學(xué)習(xí)如何在cadence軟件中觀察放大器的增益和各種波形，學(xué)習(xí)在Results Displaying Window中查看各種電路參數(shù)，以及對(duì)放大器做參數(shù)化掃描。
TVS主要用于對(duì)電路元件進(jìn)行快速過(guò)電壓保護(hù)。它能"吸收"功率高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌信號(hào)。TVS具有體積小、功率大、響應(yīng)快、無(wú)噪聲、價(jià)格低等...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案
通過(guò)對(duì)PFC MOS管進(jìn)行測(cè)試和深入分析發(fā)現(xiàn)，MOS管的寄生參數(shù)對(duì)振蕩起著關(guān)鍵作用。
首先，我們介紹設(shè)計(jì)寄生電容對(duì)三極管產(chǎn)生的影響；然后，我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
電壓尖峰和振蕩是怎么來(lái)的？感性器件和容性器件共存于一個(gè)電路中，事實(shí)上，寄生電感和寄生電容是不可避免的，當(dāng)阻尼系數(shù)小于1時(shí)，則電路的電阻組件無(wú)法有效抑制電...
首先如果是磁芯導(dǎo)體，應(yīng)該先減小繞組與磁芯之間的電容，具體方法是在繞組與磁芯之間加一層介電常數(shù)較低的絕緣材料，增加繞組與磁芯之間的距離。其次要減小匝間的電...
2018-01-31 標(biāo)簽：寄生電容 1.0萬(wàn) 0
通過(guò)上面分析，其實(shí)可以知道，單向TVS也能防負(fù)脈沖。但是對(duì)一些雙向信號(hào)，比如上圖中，工作的時(shí)候就需要負(fù)的交流電，那我用單向顯然不合適，因?yàn)檎Ｐ枰呢?fù)信...
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...
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