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寄生電感

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寄生電感技術(shù)

如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉

關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。 一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極...

2022-10-24 標(biāo)簽:三極管MOS管寄生電感 2335 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

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2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感體二極管 2300 0

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《處理穩(wěn)壓器高開關(guān)頻率的 PCB 布局》系列專輯由三篇文章構(gòu)成,主要圍繞高開關(guān)頻率處理穩(wěn)壓器,介紹了高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)、使用注意事項(xiàng)以及寄生...

2023-08-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器PCB布局 2223 0

硬件測(cè)試-噪聲的測(cè)試分析(1)

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隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,芯片工作電壓越來(lái)越低,而工作速度越來(lái)越快,功耗越來(lái)越大。

2023-05-29 標(biāo)簽:寄存器微處理器晶體管 2191 0

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

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IGBT模塊采用吸收電路時(shí),典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出,初始浪涌電壓△U1之后,隨著吸收電容充電,瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U...

2024-08-05 標(biāo)簽:二極管電容IGBT 2063 0

各個(gè)元器件在EMC中的應(yīng)用詳解

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從這部分內(nèi)容開始,我們著重分析各個(gè)元器件在EMC中的應(yīng)用,通常包括電感,電容,磁珠,電阻和磁環(huán)。首當(dāng)其充的是電容。

2023-10-26 標(biāo)簽:元器件電容電感 2063 0

如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲

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降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲,緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一,本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。

2024-04-30 標(biāo)簽:DC-DC寄生電感緩沖電路 2043 0

安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來(lái),工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。

2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 1993 0

深度解析電感飽和與開關(guān)電源關(guān)系

遲滯比較器的延遲時(shí)間由MOSFET的交換時(shí)間決定。遲滯控制模式下反饋電壓的幅度要大于遲滯電壓的幅度。增量取決于輸入電壓,延遲時(shí)間以及等效電感。

2022-12-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源電感寄生電感 1921 0

POE交換機(jī)定義 POE傳輸距離是多少?

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POE是Power over Ethernet的縮寫,指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎(chǔ)架構(gòu)不作任何改動(dòng)的情況下

2023-08-08 標(biāo)簽:以太網(wǎng)交換機(jī)無(wú)線局域網(wǎng) 1911 0

電子電路基礎(chǔ)知識(shí)-電容實(shí)際模型

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根據(jù)電容章節(jié)分析,理想電容的作用相當(dāng)于電壓源,為了維持兩端電壓不變,具備吸收和輸出大電流能力。

2023-10-28 標(biāo)簽:電容電壓源寄生電感 1911 0

深入分析差分信號(hào)回流路徑

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雖然差分信號(hào)兩根信號(hào)都是參考地平面的,地平面浮動(dòng)時(shí),兩根信號(hào)同時(shí)浮動(dòng)(理想情況下),兩根信號(hào)之間的差值幾乎不變,而接收端是識(shí)別兩個(gè)信號(hào)之間的差值。

2024-01-06 標(biāo)簽:pcbemi寄生電感 1899 0

PCB板設(shè)計(jì)中的PROTEL技術(shù)有哪些

L=5.08h[ln(4h/d)+1]其中L指過孔的電感,h是過孔的長(zhǎng)度,d是中心鉆孔的直徑。從式中可以看出,過孔的直徑對(duì)電感的影響較小,而對(duì)電感影響最...

2019-04-16 標(biāo)簽:pcb設(shè)計(jì)寄生電容寄生電感 1817 0

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在需要高電容的平滑應(yīng)用和去耦應(yīng)用中,傳統(tǒng)上廣泛使用鋁電解電容器和鉭電解電容器。然而,隨著MLCC容量的不斷增加,各種電源電路中的電解電容器正在逐漸被ML...

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SiC MOSFET應(yīng)用中的EMI改善方案分析

寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的...

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寄生電感的優(yōu)化

上期我們介紹了寄生電感對(duì)Buck電路中開關(guān)管的影響,本期,我們聊一下如何優(yōu)化寄生電感對(duì)電路的影響。

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系統(tǒng)在高壓熱插拔上電的過程中,會(huì)產(chǎn)生超大的浪涌電流,通過寄生電感產(chǎn)生尖峰電壓,此尖峰電壓很容易造成芯片過壓失效。在輸入端串聯(lián)功率電阻,可以抑制輸入端浪涌...

2024-01-08 標(biāo)簽:熱插拔電解電容寄生電感 1779 0

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172A、100V參數(shù)的MOS管更適合PD電源使用!

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2023-08-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1634 0

樣板打回來(lái)了,但驅(qū)動(dòng)波形很糟糕。

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原文來(lái)自:硬件筆記本 一、背景: 面臨著芯片的漲價(jià)和缺貨,芯片的替代選型和實(shí)驗(yàn)就成了一項(xiàng)必不可少的工作。正好有幾款可以替代公司的驅(qū)動(dòng)芯片。 可是,幾種芯...

2024-03-28 標(biāo)簽:芯片封裝驅(qū)動(dòng) 1562 0

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