測量寄生電容與寄生電感

電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達(dá)1米的金屬薄膜卷...

2018-01-31 標(biāo)簽：寄生電容寄生電感 4.4萬 0

寄生電感怎么產(chǎn)生的_寄生電感產(chǎn)生原因是什么

本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測量儀的設(shè)計和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計算以及使用。

2018-03-28 標(biāo)簽：寄生電容寄生電感 4.4萬 0

IGBT驅(qū)動電路過流保護(hù)的分類及其檢測方法

IGBT的過流保護(hù)電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護(hù)；另一類是高倍數(shù)（可達(dá)8-10倍）的短路保護(hù)。

2024-03-01 標(biāo)簽：過流保護(hù)IGBT驅(qū)動電路 3.8萬 0

大電容濾低頻，小電容濾高頻，你真的理解嗎

　在電子線路中，除了50Hz整流和低頻功率放大以外，1μF頂多10μF就可以很好地滿足電源旁路功能，無需并接電容量比較大的電解電容器。

2021-05-31 標(biāo)簽：電容器濾波電容MLCC 3.1萬 0

ESL對于電容選擇有何影響 ESR是不是越小越好呢

對于電容，從理想的角度來講，應(yīng)該是電容的容值越大，容抗越低，對交流的濾波效果越好，然而實際上一般容值越大的電容，寄生電感也越大，其實際的阻抗值為： 電容...

2021-04-09 標(biāo)簽：ESR寄生電感 1.9萬 0

如何理解IGBT的四種安全工作區(qū)（SOA）？

最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問題，聊的過程中發(fā)現(xiàn)，他們最感興趣的問題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評估方法，因為這些問題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。

2023-12-05 標(biāo)簽：IGBTSOA寄生電感 1.8萬 0

Buck電源的SW振鈴產(chǎn)生原因是什么？如何抑制呢？

正好手上有一塊電源板，一時興起，點了下SW節(jié)點。如下圖所示，振鈴還是很明顯的，最高達(dá)到18.4V。

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSDCM寄生電感 1.3萬 0

如何應(yīng)對輸入端負(fù)壓 驅(qū)動輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因

由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負(fù)載，在硬開關(guān)以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

2021-03-15 標(biāo)簽：pcbMOSFET驅(qū)動器 1.2萬 1

HSIM, XA及其與VCS的混合驗證方案在RF收發(fā)器芯片中的應(yīng)用

本文所用測例RFIC是一款自研射頻收發(fā)器芯片，工作于全球通用的ISM 2.400～2.525GHz頻段，126通道，集成了頻率綜合器，功率放大器，調(diào)制和...

2023-07-11 標(biāo)簽：功率放大器EDA工具仿真器 1.0萬 0

一文詳解RCD緩沖電路的工作原理

電壓尖峰和振蕩是怎么來的？感性器件和容性器件共存于一個電路中，事實上，寄生電感和寄生電容是不可避免的，當(dāng)阻尼系數(shù)小于1時，則電路的電阻組件無法有效抑制電...

2024-01-18 標(biāo)簽：emismps寄生電容 1.0萬 0

PCB布局的DC電阻，寄生電容和寄生電感

實際系統(tǒng)的很多方面都會在PCB布局，IC或任何其他電氣系統(tǒng)中產(chǎn)生意外的寄生現(xiàn)象。重要的是在嘗試使用SPICE仿真提取寄生效應(yīng)之前，請注意電路圖中無法考慮的內(nèi)容。

2020-12-31 標(biāo)簽：pcb示波器PSPICE 9402 0

一種既能降低開關(guān)管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路

在設(shè)計RC吸收電路時，我們必須了解整個電源網(wǎng)絡(luò)的幾個重要參數(shù)，比如輸入電壓、輸入電流、尖峰電壓、尖峰電流等。在圖1所示當(dāng)Q1關(guān)斷時，源極電壓開始上升到2...

2018-12-24 標(biāo)簽：開關(guān)電源寄生電感RC電路 8473 0

寄生電感對電容器的影響

電感是兩個物理定律的結(jié)果。首先，流過導(dǎo)體的恒定電流會產(chǎn)生恒定的磁場。其次，可變的磁場在所有附近的導(dǎo)體中感應(yīng)出電壓，包括首先用于產(chǎn)生磁場的導(dǎo)體。

2021-03-14 標(biāo)簽：電容器寄生電感 7887 0

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程

最近一直在說MOS管的知識，就有朋友留言說能具體說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程嗎，那我們今天來說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過程。

2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通寄生電感 7764 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 7215 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)波形分析

基于橋式結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統(tǒng)，同步Buck變換器的續(xù)流開關(guān)管、以及次級同步整流開關(guān)管， 其體內(nèi)寄生的二極管都會經(jīng)歷反...

2023-12-04 標(biāo)簽：二極管MOSFETBuck變換器 7007 0

MOS管的柵極開通驅(qū)動電阻

在驅(qū)動MOS管時，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實際情況下，我們在測得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。

2023-06-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器振蕩器MOS管 6619 0