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      標(biāo)簽　>　導(dǎo)通電阻

      導(dǎo)通電阻

      +關(guān)注0人關(guān)注

      　　導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比，是二極管的重要參數(shù)。

      文章：122個(gè) 瀏覽：20087次 帖子：3個(gè)

      導(dǎo)通電阻技術(shù)

      ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

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      AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)...

      2025-04-17 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻共源電路 137 0

      CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

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      這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD...

      2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET封裝導(dǎo)通電阻 194 0

      CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET，單 SON 5mm x 6mm，2.3mOhm技術(shù)手冊

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      這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：csd18...

      2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻邏輯電平 181 0

      CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

      CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

      這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應(yīng)用。 *附件：C...

      2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET封裝導(dǎo)通電阻 190 0

      CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

      CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

      這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD185...

      2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)控制導(dǎo)通電阻 170 0

      CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

      CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

      這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18...

      2025-04-16 標(biāo)簽：MOSFET封裝導(dǎo)通電阻 152 0

      CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊

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      CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3mm × 3....

      2025-04-16 標(biāo)簽：電池保護(hù)usb導(dǎo)通電阻 161 0

      CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

      CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

      這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、...

      2025-04-16 標(biāo)簽：ESD導(dǎo)通電阻電池供電 159 0

      CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

      CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊

      這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并...

      2025-04-16 標(biāo)簽：封裝導(dǎo)通電阻ESD保護(hù) 105 0

      CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊

      CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊

      CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 ...

      2025-04-15 標(biāo)簽：電池保護(hù)MOSFET導(dǎo)通電阻 206 0

      MOS管的損耗與哪些因素

      MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個(gè)因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。

      2024-08-07 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻損耗 2657 0

      SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法

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      首先，計(jì)算開通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計(jì)算。由于計(jì)算公式會因波形的形狀而...

      2024-05-29 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1864 0

      常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

      常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

      由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設(shè)計(jì)中盡量優(yōu)先選擇NMOS。

      2024-04-25 標(biāo)簽：電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 4924 0

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

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      隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

      2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 993 0

      淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

      淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

      近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個(gè)名詞。

      2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1393 0

      如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

      如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

      MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。

      2024-04-02 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻車載逆變器 1986 0

      如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

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      那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會導(dǎo)致元件損壞。

      2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4086 0

      MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

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      IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...

      2024-03-13 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 852 0

      場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

      場效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

      在一般情況下，場效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。

      2024-03-06 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET 1.2萬 0

      模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

      模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

      模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號鏈路的最...

      2024-03-05 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容 4323 0

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      • Arduino
        Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      • TI公司
        TI公司
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        TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
      • 羅姆
        羅姆
        +關(guān)注
        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
      • 金升陽
        金升陽
        +關(guān)注
        廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
      • Vicor
        Vicor
        +關(guān)注
        美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS） 及零電壓開關(guān) （ZVS） 電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
      • MHL
        MHL
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      • Bourns
        Bourns
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        體感控制
        +關(guān)注
        體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。 本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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      • 閃存技術(shù)
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        +關(guān)注
        閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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        Cirrus LogIC
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        Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
      • 華星光電
        華星光電
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        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項(xiàng)目。
      • 柵極驅(qū)動器
        柵極驅(qū)動器
        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
      • 研華
        研華
        +關(guān)注
      • 32位單片機(jī)
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        ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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        Cortex-A
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        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測 （HMW）、行人探測、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識別 （TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • 超級本
        超級本
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