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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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在電力設(shè)備的長時間運(yùn)行過程中,連接處有可能因受潮等因素影響,出現(xiàn)節(jié)點銹蝕、甚至斷裂等現(xiàn)象,導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點電阻增大,從而不能滿足電力規(guī)程的...
EN系列:保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度,改善噪聲性能
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效...
導(dǎo)通電阻和Qg更低,有助于實現(xiàn)更低功耗
ROHM在以業(yè)界最快的trr(反向恢復(fù)時間)著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設(shè)計
近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計。
意法半導(dǎo)體簡化SiC逆變器設(shè)計,發(fā)布兩款電源模塊
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
2022-09-14 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻意法半導(dǎo)體電源模塊 708 0
什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
2022-08-20 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場效應(yīng)晶體管 5245 0
并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)
為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計,傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性...
開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)有什么影響
本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13,同樣按兩個步驟來推導(dǎo)。
Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優(yōu)異的RDS(ON)導(dǎo)通電阻低至0.65 mW
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...
英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新,為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,同時增...
在高溫下,溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時,溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得...
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
Vishay推出具備優(yōu)異導(dǎo)通性能且經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的100V汽車級P溝道MOSFET
業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關(guān)和導(dǎo)通特性
產(chǎn)品特點 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性; 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性,顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù),SGT ...
2020-11-26 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2680 0
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
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