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標簽 > 導通電阻

導通電阻

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  導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。

文章:151 瀏覽:20213 帖子:3

導通電阻資訊

IGSS對柵極驅(qū)動漏電流的影響

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2020-06-05 標簽:MOS管導通電阻 2.0萬 0

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為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計,傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時導通。然而,屏蔽 MOSFET 會增加成本和復雜性...

2022-08-04 標簽:MOSFET導通電阻電壓電平 6298 0

導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導通電阻,導通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負信號傳輸,如果將不同VI

2010-03-23 標簽:電阻導通電阻導通 5553 0

什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應晶體管)?

數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...

2022-08-20 標簽:MOSFET導通電阻場效應晶體管 5276 0

MOSFET的關(guān)鍵指標

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2021-03-11 標簽:MOSFET導通電阻p溝道 4574 0

英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實現(xiàn)最高效率

英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...

2021-03-01 標簽:英飛凌MOSFET逆變器 2860 0

艾為電子推出超低導通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)-AW35321QNR

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AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω(典型值)超低導通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應用于...

2023-10-18 標簽:導通電阻模擬開關(guān)QFN封裝 2755 0

揚杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關(guān)和導通特性

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產(chǎn)品特點 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導通特性; 2、更好的導通電阻溫度特性,顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進的封裝技術(shù),SGT ...

2020-11-26 標簽:MOSFET導通電阻揚杰科技 2695 0

開關(guān)的導通電阻對傳遞函數(shù)有什么影響

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本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13,同樣按兩個步驟來推導。

2022-04-24 標簽:開關(guān)導通電阻傳遞函數(shù) 2678 0

國產(chǎn)氮化鎵實現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢?

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眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。

2023-11-22 標簽:導通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2181 0

MAX14634超低導通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)

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MAX14634雙向電池開關(guān)功能的反向阻斷能力,從系統(tǒng)中隔離電池, 該設(shè)備是在一個超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米,0.4mm間距)WLP封裝。

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Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設(shè)計

近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計。

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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度

汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節(jié)省能源,同時增...

2021-04-07 標簽:MOSFETVishay導通電阻 1784 0

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。

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飛兆半導體推出低導通電阻MOSFET

  飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ ...

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Vishay推出最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在...

2012-11-28 標簽:MOSFETVishay導通電阻 1713 0

合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

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大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性,在大功率應用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應用上具有重要作用。

2024-03-22 標簽:鋰離子電池MOS管導通電阻 1608 0

最小導通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導通電阻”。

2012-04-13 標簽:MOSFET瑞薩導通電阻 1597 0

Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優(yōu)異的RDS(ON)導通電阻低至0.65 mW

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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...

2022-02-07 標簽:MOSFETVishay導通電阻 1550 0

Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源

TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2

2020-09-23 標簽:MOSFETVishay導通電阻 1491 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響,當時很多半導體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導體企都選擇將制造業(yè)務剝離以降低運營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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    FinFET
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    FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電,汽車相關(guān)的應用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    廣州金升陽科技有限公司,成立于1998年7月,是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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    美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌,致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新,近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) (ZCS) 及零電壓開關(guān) (ZVS) 電源轉(zhuǎn)換拓撲。
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  • Mobileye
    Mobileye
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    Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標志識別 (TSR)、僅視覺自適應巡航控制 (ACC) 等。
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    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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