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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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隨著電動(dòng)汽車的普及,充電樁的需求逐漸增長(zhǎng),對(duì)其電源的效率和可靠性提出了更高的要求。
2024-03-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻肖特基二極管 936 0
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān) 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m...
ROHM100V耐壓雙MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻
近年來,在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng),電源電壓呈提高趨勢(shì)。此外,用來冷卻這些設(shè)備的...
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻銳駿半導(dǎo)體 734 0
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國(guó) 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 T...
意法半導(dǎo)體簡(jiǎn)化SiC逆變器設(shè)計(jì),發(fā)布兩款電源模塊
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個(gè)四組模塊,可為 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
2022-09-14 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻意法半導(dǎo)體電源模塊 716 0
Vishay推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOS管助力米充氣寶高效節(jié)能
? ? 家人們,一到冬天,路面那叫一個(gè)滑,要是汽車胎壓還不足,打滑風(fēng)險(xiǎn)直接拉滿!有時(shí)候著急出門,根本沒時(shí)間開車去找地兒充氣,這可咋整?別慌,這時(shí)候一個(gè)靠...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
在電力設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過程中,連接處有可能因受潮等因素影響,出現(xiàn)節(jié)點(diǎn)銹蝕、甚至斷裂等現(xiàn)象,導(dǎo)致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點(diǎn)電阻增大,從而不能滿足電力規(guī)程的...
納芯微升級(jí)電流傳感器NSM201x-P系列,性能卓越賦能多領(lǐng)域
納芯微公司近期推出了NSM201x-P系列電流傳感器,該系列是對(duì)已量產(chǎn)的NSM201x系列的全面升級(jí)與補(bǔ)充?;谏詈竦募夹g(shù)積累,NSM201x-P系列在...
國(guó)基南方、55所碳化硅MOSFET出貨量破1500萬
碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍,續(xù)航里程提高8%以上,能耗降低50%,優(yōu)異的性能讓其成為新能源汽車所需的關(guān)鍵元器件。
【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí),高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長(zhǎng)期損害終端客戶利益和...
辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導(dǎo)通損耗與動(dòng)態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),...
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