負(fù)載開(kāi)關(guān)基本電路及發(fā)展概況
負(fù)載開(kāi)關(guān)基本電路 功率MOSFET是一種具有良好開(kāi)關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很??；在關(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓
2009-12-12 11:48:28
1892 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款全面集成型模擬前端，可進(jìn)行體重及體成分測(cè)量 (body composition measurement，BCM)。
2012-08-24 09:03:561625 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款集成型七通道繼電器驅(qū)動(dòng)器(relay driver)，可支持最低 1.8V 到最高 5V 的低電壓繼電器。
2012-08-30 16:28:521592 
德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界第一個(gè)用于光度測(cè)定的全面集成型模擬前端 （AFE） 產(chǎn)品系列。
2013-01-10 17:08:062898 選擇負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)，需要確保它具有針對(duì)你的應(yīng)用的正確額定值。尤其要注意最大電壓、最大電流以及導(dǎo)通電阻 （RON）。在確認(rèn)負(fù)載開(kāi)關(guān)具有正確的電壓和電流額定值后，需要決定可接受的功率損耗（V = IR壓降）。
2015-05-13 14:56:401397 
負(fù)載開(kāi)關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開(kāi)關(guān)。這些開(kāi)關(guān)可用來(lái)斷開(kāi)耗電量大的子系統(tǒng)（當(dāng)處于待機(jī)模式時(shí)），或用于負(fù)載點(diǎn)控制以方便電源排序。智能手機(jī)得到普及之后，人們創(chuàng)建了負(fù)載開(kāi)關(guān)；由于手機(jī)添加了更多的功能，因此
2018-05-18 09:11:144579 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出新一代集成型三路輸出同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。此次推出的TPS65261和TPS65262 DC/DC轉(zhuǎn)換器采用小型QFN封裝，支持高達(dá)96%的效率，適用于數(shù)字電視
2014-08-07 22:22:53
載條件下具有跳躍模式功能，在重負(fù)載條件下提供無(wú)與倫比的效率。具有低導(dǎo)通電阻的集成開(kāi)關(guān)可確保在重負(fù)載下實(shí)現(xiàn)高效率，同時(shí)最大限度地降低關(guān)鍵電感。此外，小尺寸和高效率的組合使該設(shè)備適用于便攜式和非便攜式
2018-07-30 09:46:55
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器，可斷開(kāi)負(fù)載。 PL30502集成了兩個(gè)低導(dǎo)通電阻功率FET：一個(gè)7mΩ的開(kāi)關(guān)FET和一個(gè)7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
概述:MAX4855雙路單刀/雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)采用+2V至+5.5V供電，可處理滿(mǎn)擺幅信號(hào)。MAX4855采用+3V供電時(shí)具有較低的導(dǎo)通電阻(0.75Ω)，非常適合于移動(dòng)設(shè)備的音頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。本
2021-05-17 06:07:41
控制。其內(nèi)部集成的MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻，典型值僅為150mΩ（VIN = 5V、ID = 0.5A、Tj = 25°C），可實(shí)現(xiàn)較低的通態(tài)損耗，并具有易于驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)；同時(shí)其內(nèi)置多種保護(hù)電路，內(nèi)置
2019-04-29 05:23:26
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
牢固、尺寸更加精準(zhǔn)、抗震性能優(yōu)良，并具有超強(qiáng)的抗電磁干擾能力，可將蜂鳴噪聲降至超低水平。一體成型電感CSEC系列具有高Q值、低電阻等優(yōu)良特性，使產(chǎn)品在高頻和高溫環(huán)境下仍能保持優(yōu)良的溫升電流及飽和特性
2022-03-08 09:26:24
了開(kāi)關(guān)損耗，促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖 1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè) FET和低側(cè)
2019-11-30 18:41:39
FDC6324L是一款集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開(kāi)探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來(lái)推導(dǎo)。開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:48:22
開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)的功耗測(cè)試 開(kāi)通時(shí)間Ton(uS) 4.955 (時(shí)間測(cè)量以電壓波形為基準(zhǔn)) 開(kāi)通時(shí)電流的最小值Ion-min(A) 0.222 開(kāi)通時(shí)電流的最大值Ion-max(A) 0.644 規(guī)格書(shū)上的導(dǎo)通電阻Ron-resistance(homn) 3
2011-06-10 10:10:14
概述：FPF1006是一款負(fù)載管理產(chǎn)品它內(nèi)部采用低導(dǎo)通闡值電壓-Vgs(th)及低導(dǎo)通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導(dǎo)通斜率上升控制，可減小沖擊電流，F(xiàn)PF1006內(nèi)部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
德州儀器 (TI) 負(fù)載開(kāi)關(guān)都具有一個(gè)集成軟啟動(dòng)，而某些器件甚至提供針對(duì)變化電容負(fù)載的可調(diào)上升時(shí)間。圖1顯示的是這個(gè)集成軟啟動(dòng)。圖1：一個(gè)為系統(tǒng)負(fù)載提供受控上升時(shí)間的負(fù)載開(kāi)關(guān)在電源和電容負(fù)載之間放置一個(gè)負(fù)載開(kāi)關(guān)能夠
2018-09-04 10:07:40
個(gè)上拉電阻器。雖然這對(duì)開(kāi)關(guān)電源軌來(lái)說(shuō)是業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的有效解決方案，但它具有較大的占位面積?，F(xiàn)在我們可獲得更緊湊的解決方案，如德州儀器（TI）的TPS22915等負(fù)載開(kāi)關(guān) —— 它們的占位面積不到1mm2！使用雙通道TPS22968更能顯著節(jié)省空間…
2022-11-18 07:38:15
與這款TI解決方案的比較。TPS22968使該客戶(hù)能將它們的占位面積減少80％以上，同時(shí)集成更多的功能，如受控的壓擺率和快速輸出放電功能。 圖2：雙通道分立開(kāi)關(guān)與集成式負(fù)載開(kāi)關(guān)（TPS22968）的尺寸
2018-09-05 15:37:50
輸入電壓和最大負(fù)載電流。負(fù)載開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻是導(dǎo)通FET 的特性，將用于計(jì)算負(fù)載開(kāi)關(guān)的功耗。導(dǎo)通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負(fù)載開(kāi)關(guān)的架構(gòu)。2. 柵極驅(qū)動(dòng)器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
器件MOSFET的導(dǎo)通電阻逐年下降，導(dǎo)通電阻小的可做到幾mΩ。集成負(fù)載開(kāi)關(guān)中的MOSFET導(dǎo)通電阻稍大，目前可做到幾十mΩ左右。為了改善開(kāi)關(guān)的性能，使開(kāi)關(guān)慢啟動(dòng)（慢啟動(dòng)是指開(kāi)關(guān)接通時(shí)，其電壓上升率是一
2011-07-11 11:52:48
德州儀器 (TI) Philippe Pichot 電池供電系統(tǒng)中正越來(lái)越多地采用集成電源開(kāi)關(guān)，旨在斷開(kāi)所有未用子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括 RF 功率放大器、無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng) (WLAN) 或藍(lán)牙&
2011-07-28 08:39:25
像看上去那么糟糕，封裝與 IC 技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)創(chuàng)建了有助于解決這些問(wèn)題的全新產(chǎn)品類(lèi)型。具有集成型電源開(kāi)關(guān) (FET) 的電源控制 IC 正在快速占據(jù)負(fù)載點(diǎn)市場(chǎng)。DC 至 DC 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器通常用于從中
2022-11-23 06:34:38
電路板布局，那將后患無(wú)窮！事情并不像看上去那么糟糕，封裝與 IC 技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)創(chuàng)建了有助于解決這些問(wèn)題的全新產(chǎn)品類(lèi)型。具有集成型電源開(kāi)關(guān) (FET) 的電源控制 IC 正在快速占據(jù)負(fù)載點(diǎn)市場(chǎng)。DC
2018-09-18 11:43:42
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開(kāi)關(guān)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了通過(guò)減少音頻爆破音的可能性來(lái)加強(qiáng)語(yǔ)音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說(shuō)是擁有終端電阻,提供緩慢開(kāi)啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話(huà)就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€(xiàn)性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
NCP45521的典型（負(fù)載開(kāi)關(guān)）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減小解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-20 08:07:20
忽略輸入開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。 極低的門(mén)極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)，為什么需要負(fù)載開(kāi)關(guān)？ 集成負(fù)載開(kāi)關(guān)是可用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)為系統(tǒng)帶來(lái)許多其它優(yōu)勢(shì)，并且集成通常難以用分立元件實(shí)現(xiàn)的保護(hù)功能。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種
2021-10-29 08:35:39
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
當(dāng)開(kāi)關(guān)串聯(lián)的負(fù)載為低阻抗時(shí)損失更大。應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇導(dǎo)通電阻合適的開(kāi)關(guān)。特別需要注意，導(dǎo)通電阻的阻值與電源供電電壓有直接關(guān)系，通常電源電壓越大，導(dǎo)通電阻就越小?！ D2 CMOS型模擬開(kāi)關(guān)
2021-03-15 11:45:39
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線(xiàn)路開(kāi)關(guān)用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)在哪里一
2018-09-03 15:17:57
。所有德州儀器 (TI) 負(fù)載開(kāi)關(guān)都具有一個(gè)集成軟啟動(dòng)，而某些器件甚至提供針對(duì)變化電容負(fù)載的可調(diào)上升時(shí)間…
2022-11-17 07:44:24
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開(kāi)關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線(xiàn)（USB
2019-04-10 06:20:03
的 TPS22959，可實(shí)現(xiàn)總輸出電流 30A。主要特色增加了最大輸出電流降低了總導(dǎo)通電阻 (RON)輸出上升時(shí)間更短功率耗散更低降低了快速輸出放電 (QOD) 電阻
2018-08-14 06:29:01
MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)在哪里一個(gè)典型系統(tǒng)包括一個(gè)電源和多個(gè)負(fù)載，需要各種不同的負(fù)載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)
2022-11-17 08:05:25
接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀及其他交直流低阻儀器，同時(shí)還是一臺(tái)很好的交直流電流表。參考標(biāo)準(zhǔn)：JJG 984-2004《 接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀檢定規(guī)程》、GB/T 28030-2011《 接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀》，可按
2018-07-06 09:35:16
。加載開(kāi)關(guān)參數(shù)負(fù)載開(kāi)關(guān)的性能屬性從用作開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)FET開(kāi)始。這些包括：導(dǎo)通電阻（R on）決定負(fù)載開(kāi)關(guān)兩端的電壓降以及開(kāi)關(guān)的功耗。典型值在幾十毫歐范圍內(nèi)，但會(huì)隨個(gè)別供應(yīng)商產(chǎn)品和負(fù)載開(kāi)關(guān)電流容量而變化
2019-04-15 08:00:00
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級(jí)別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開(kāi)關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
ADP1196的典型應(yīng)用是高端負(fù)載開(kāi)關(guān)，設(shè)計(jì)用于0V至5.5V的VIN工作，VB_EN電源為1.83V至5.5V。該器件內(nèi)置一個(gè)電荷泵，可以使用VIN或VB_EN（以較高者為準(zhǔn)）和一個(gè)超低導(dǎo)通電阻N
2020-04-21 10:02:39
我有2個(gè)很快的問(wèn)題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來(lái)的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
設(shè)計(jì)，用于極低RDS（ON）● 異常的導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力應(yīng)用● DC/DC轉(zhuǎn)換器● 負(fù)荷開(kāi)關(guān)● LCD/LED顯示逆變器有需要的朋友可以聯(lián)系我提供樣品和樣板測(cè)試有FAE支持！：有需要的朋友可以
2021-07-08 09:35:56
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利?！ ?、動(dòng)態(tài)特性；其測(cè)試電路和開(kāi)關(guān)過(guò)程波形如圖3所示。 開(kāi)通
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻，4A 集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 特性 說(shuō)明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿(mǎn)足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011090 TI推出全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22924C
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類(lèi)
2009-12-18 09:29:50817 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27478 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 LM2676是一種開(kāi)關(guān)型集成穩(wěn)壓器，可提供一個(gè)驅(qū)動(dòng)能力達(dá)3 A，可逐級(jí)下降的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的所有功能，具有良好的線(xiàn)性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性：使用一只低導(dǎo)通電阻的DMOS電源開(kāi)關(guān)獲得高輸出
2010-08-19 10:14:4513621 
德州儀器 (TI) 宣布面向移動(dòng)手持終端與媒體播放器推出一款具有集成型數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 與電源軌的低功耗 G 類(lèi)耳機(jī)放大器。該 TLV320DAC3202 是唯一一款具有數(shù)字輸入 I2S 與集成型時(shí)鐘系統(tǒng)的獨(dú)立耳機(jī)驅(qū)動(dòng)器
2011-01-29 08:55:201363 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款具有多種集成型工業(yè)通信協(xié)議的 ARM? Cortex?-A8 系統(tǒng)解決方案，為希望簡(jiǎn)化并加速工業(yè)自動(dòng)化設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)極大優(yōu)勢(shì)
2011-12-02 09:08:45898 德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持集成型MOSFET的100V同步降壓穩(wěn)壓器，進(jìn)一步壯大其高電壓負(fù)載點(diǎn)產(chǎn)品陣營(yíng)。該 600 mA LM5017 是最新系列降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中的首款產(chǎn)品，可在提高電信、工
2012-02-07 09:17:161404 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型可編程的驅(qū)動(dòng)超聲傳感器(ultrasonic transducer) 解決方案
2012-06-05 14:55:501225 德州儀器 （TI） 宣布推出可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低相位噪聲并具有集成型壓控振蕩器 （VCO） 的寬帶頻率合成器。
2013-01-28 09:19:441847 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:581090 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首款面向總線(xiàn)供電 Thunderbolt? 應(yīng)用的全面集成型電源解決方案——TPS65980 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。
2014-07-31 11:42:071212 日前，德州儀器 （TI） 宣布推出新一代集成型三路輸出同步降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。
2014-08-07 09:18:371561 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開(kāi)關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開(kāi)關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 消除模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:15
1 不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開(kāi)關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長(zhǎng)電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01309 相比，集成式負(fù)載開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)是什么？
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如圖1所示，典型的分立式解決方案包括一個(gè)P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、一個(gè)N通道MOSFET和一個(gè)上拉電阻器。雖然這對(duì)開(kāi)關(guān)電源軌來(lái)說(shuō)
2021-11-24 14:40:564217 
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512 
有很多區(qū)別，本文將從電阻材料、工作頻段、電容和電感等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)的介紹。 1.材料 射頻電阻和普通電阻使用的材料不同。在射頻電路中，通常使用碳膜、金屬膜以及石墨等高純度材料來(lái)制造電阻，這些材料具有極佳的頻率特
2023-09-02 10:25:431207 精密電阻和普通電阻之間的區(qū)別，并探討普通電阻能否代替精密電阻。 一、精密電阻的定義 精密電阻是一種特殊的電阻元件，它具有更高的精度和穩(wěn)定性，通常是0.1%或更高的精度。這些電阻通常由高質(zhì)量的材料制成，例如金屬薄膜、
2023-10-29 11:21:55933 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有反向電流保護(hù)和受控接通功能的 5.5V、3A、13mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2296xC數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:43:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻汽車(chē)負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2295x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:47:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.7V，6A，16mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22965數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 11:09:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、37mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:50:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22918數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:47:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22918-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:42:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有受控開(kāi)通功能的3.6V、500mA、78mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS2290x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:08:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3.6-V，1-A，44-mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22907數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:05:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)的 2.7V-18V、79mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)TPS22810數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:25:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有熱保護(hù)功能的TPS22810-Q1 2.7V-18V、79mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 14:12:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有1.8V邏輯器件的36V、低導(dǎo)通電阻、2:1 、4通道精密開(kāi)關(guān)TMUX6234數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-20 13:53:000
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