國產碳化硅MOSFET“最低導通電阻和最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析：

為了謀求短期利益博取融資或者投資，中長期損害終端客戶利益和行業(yè)名聲，最終也會導致投資者血本無歸。

一、國產碳化硅MOSFET參數競賽背后的技術真相

柵氧減薄與可靠性犧牲
部分國產碳化硅MOSFET廠家通過過度減薄柵氧化層厚度（如從50nm降至30nm以下）降低導通電阻RDS(on)?及比導通電阻Rds(on)SP，但此舉顯著削弱柵氧可靠性。部分國產碳化硅MOSFET在HTGB測試中僅能承受+19V電壓（高質量國產碳化硅MOSFET可承受+22V/3000H），且TDDB壽命僅103小時（高質量國產碳化硅MOSFET為10?小時）。柵氧減薄導致電場強度超過臨界值（>4MV/cm），加速缺陷積累，引發(fā)閾值電壓漂移甚至擊穿。

實驗驗證縮水
部分國產碳化硅MOSFET廠家跳過長期可靠性測試（如HTGB、TDDB），僅通過少量實驗即量產（Page 9）。高質量國產碳化硅MOSFET通過3000+組DOE優(yōu)化結構. 而部分國產碳化硅MOSFET廠家僅完成100組實驗，工藝穩(wěn)定性不足，導致器件在高溫、高電場下失效風險激增。

誤導性參數標定
部分國產碳化硅MOSFET廠家宣稱“最低比導通電阻”，實則為實驗室極限值，未考慮實際工況（如結溫波動、開關應力）。部分國產碳化硅MOSFET可能僅在常溫（25°C）下有效，高溫性能大幅退化。

二、短期利益驅動的危害

系統(tǒng)失效風險

批量故障：減薄柵氧的器件在車規(guī)級應用中易因長期高溫工作引發(fā)閾值電壓漂移，導致電機控制器失效，典型案例為2024年某車企因碳化硅模塊批量故障召回。

安全隱患：儲能變流器（PCS）中器件失效可能引發(fā)直流母線短路，造成火災風險。

全生命周期成本飆升

維護成本：低可靠性國產碳化硅MOSFET器件壽命僅1-2年（競品TDDB壽命103小時≈41天連續(xù)工作），而高可靠性產品壽命超10年，頻繁更換導致運維成本增加3-5倍。

隱性損失：工商業(yè)儲能系統(tǒng)因故障停機單次損失可達數十萬元，遠超器件采購成本。

行業(yè)生態(tài)破壞

劣幣驅逐良幣：低價低質國產碳化硅MOSFET產品擠壓高可靠性廠商生存空間，高品質碳化硅MOSFET企業(yè)被迫轉向低端市場，抑制技術創(chuàng)新。

標準滯后：行業(yè)缺乏強制可靠性測試（如HTGB+22V/3000H），企業(yè)自行定義寬松條件，形成“虛假達標”亂象。

三、破局路徑：從“參數競賽”到“質量競爭”

技術層面

可靠性優(yōu)先設計：采用科學模型（如E模型、1/E模型）優(yōu)化柵氧厚度，平衡RDS(on)?與壽命，如將柵氧厚度控制在50nm，確保電場強度<4MV/cm。

全流程驗證：強制國產碳化硅MOSFET廠商HTGB+TDDB組合測試，公開DOE報告與失效分析數據，接受第三方檢測。

市場層面

客戶教育：推動從“價格導向”轉向“全生命周期成本”評估.

標準制定：建立車規(guī)級（AQG324）、電網級強制認證，要求公開加速因子與壽命預測模型。

政策層面

產能引導：限制低端產能擴張，定向補貼高可靠性技術。

懲罰機制：對虛標參數、隱瞞失效數據的企業(yè)納入失信名單，推動行業(yè)洗牌。

結論

國產碳化硅MOSFET“最低(比)導通電阻”宣傳的背后，本質是犧牲可靠性換取短期參數優(yōu)勢的技術短視行為。其危害不僅限于產品失效，更會扭曲市場機制、阻礙產業(yè)升級。唯有通過技術深耕、標準完善、生態(tài)重構，才能推動行業(yè)從“虛假繁榮”走向“高質量發(fā)展”，真正支撐新能源、電動汽車等戰(zhàn)略產業(yè)的崛起。

審核編輯 黃宇