國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象與功率半導(dǎo)體發(fā)展的必然性

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕與市場(chǎng)擴(kuò)張的關(guān)鍵期，但也暴露出技術(shù)浮躁、標(biāo)準(zhǔn)缺失、劣幣驅(qū)逐良幣等亂象。與此同時(shí)，功率半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新、綠色能源轉(zhuǎn)型和多元化應(yīng)用三大趨勢(shì)的驅(qū)動(dòng)下，正迎來結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。在此背景下，BASiC基本股份（BASiC Semiconductor）憑借技術(shù)深耕與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，展現(xiàn)出顯著的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

一、國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的核心問題

技術(shù)參數(shù)造假與可靠性缺失

柵氧減薄與壽命縮水：部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商為追求低導(dǎo)通電阻RDS(on)?），將柵氧化層厚度減至30nm以下，導(dǎo)致器件在高溫高電場(chǎng)工況下易發(fā)生經(jīng)時(shí)擊穿（TDDB壽命僅103小時(shí)，國(guó)際主流為10?小時(shí)）。

閾值電壓漂移：部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商缺乏對(duì)底層工藝的理解掌握，甚至缺失器件DOE綜合設(shè)計(jì)能力，導(dǎo)致閾值電壓（Vth?）批次敏感性加?。ㄆ瞥?.5V），增加誤開通風(fēng)險(xiǎn)，威脅系統(tǒng)安全。

驗(yàn)證流程縮水：部分國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET廠商跳過長(zhǎng)期可靠性測(cè)試（如HTGB、TDDB），僅通過短期實(shí)驗(yàn)即量產(chǎn)，甚至自行定義寬松測(cè)試條件（如降低電壓或時(shí)間）。

市場(chǎng)機(jī)制扭曲與生態(tài)缺陷

低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)擠壓研發(fā)投入：為追求短期眼球效應(yīng)爭(zhēng)取融資，資本過度流向產(chǎn)能擴(kuò)張和市場(chǎng)營(yíng)銷而非核心技術(shù)（如柵氧工藝優(yōu)化）。

供應(yīng)鏈協(xié)同薄弱：Fabless模式企業(yè)依賴代工廠標(biāo)準(zhǔn)工藝，缺乏定制化實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）能力，導(dǎo)致閾值電壓一致性偏差達(dá)±0.5V（國(guó)際水平±0.2V）。

二、功率半導(dǎo)體發(fā)展的三大必然趨勢(shì)

技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

新材料應(yīng)用：碳化硅（SiC）材料憑借耐高溫、高壓、高效能特性，逐步替代硅基器件，推動(dòng)電力電子系統(tǒng)小型化和高效化。

IDM模式優(yōu)勢(shì)：垂直整合設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)全鏈條如BASiC自建晶圓廠與車規(guī)級(jí)SiC模塊產(chǎn)線，可優(yōu)化工藝穩(wěn)定性與良率，減少代工依賴導(dǎo)致的質(zhì)量波動(dòng)。

綠色能源轉(zhuǎn)型驅(qū)動(dòng)需求激增

新能源領(lǐng)域應(yīng)用：SiC MOSFET在電動(dòng)汽車主驅(qū)、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，其高能效特性助力減少碳排放。

政策支持：國(guó)家推動(dòng)能源數(shù)字化與智能化發(fā)展，功率半導(dǎo)體被列為重點(diǎn)支持領(lǐng)域，專項(xiàng)基金優(yōu)先支持高可靠性技術(shù)（如銅燒結(jié)封裝）。

多元化應(yīng)用開辟新藍(lán)海

高端市場(chǎng)拓展：從傳統(tǒng)工業(yè)控制、消費(fèi)電子延伸至軌道交通、航空航天等高附加值領(lǐng)域，對(duì)器件可靠性要求更高。

新興場(chǎng)景潛力：物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市等新興需求推動(dòng)功率半導(dǎo)體向高集成度、高可靠性方向演進(jìn)。

三、BASiC基本股份的發(fā)展?jié)摿?/p>

技術(shù)深耕與可靠性突破

柵氧工藝優(yōu)化：BASiC通過IDM模式自研柵氧電場(chǎng)優(yōu)化工藝，其SiC MOSFET在HTGB測(cè)試中達(dá)到+22V/3000小時(shí)標(biāo)準(zhǔn)，接近國(guó)際頭部廠商水。

車規(guī)級(jí)驗(yàn)證優(yōu)勢(shì)：BASiC已獲得近20家整車廠和Tier1客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn)，成為國(guó)內(nèi)首批量產(chǎn)上車的SiC模塊廠商，驗(yàn)證了其技術(shù)成熟度。

全產(chǎn)業(yè)鏈布局與生態(tài)協(xié)同

IDM模式壁壘：BASiC自建深圳SiC芯片產(chǎn)線與無錫車規(guī)級(jí)SiC模塊產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)從晶圓流片到封測(cè)的全流程控制，確保工藝穩(wěn)定性與質(zhì)量一致性。

產(chǎn)學(xué)研合作：聯(lián)合高校攻關(guān)SiC/SiO?界面態(tài)控制等核心技術(shù)，推動(dòng)材料科學(xué)與工藝技術(shù)突破。

市場(chǎng)定位與戰(zhàn)略機(jī)遇

高端市場(chǎng)突破：BASiC聚焦車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)高可靠性場(chǎng)景（如光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器），避開低端價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，逐步替代進(jìn)口品牌。

政策與資本賦能：國(guó)家專項(xiàng)基金支持BASiC銅燒結(jié)封裝等技術(shù)，資本從“參數(shù)導(dǎo)向”轉(zhuǎn)向“質(zhì)量?jī)?yōu)先”，推動(dòng)長(zhǎng)期研發(fā)投入。

BASiC：國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象中的破局者與行業(yè)引領(lǐng)者

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的亂象本質(zhì)是技術(shù)積累不足與市場(chǎng)機(jī)制扭曲的綜合結(jié)果，而功率半導(dǎo)體發(fā)展的三大趨勢(shì)（技術(shù)升級(jí)、綠色轉(zhuǎn)型、應(yīng)用擴(kuò)展）則為頭部企業(yè)比如BASiC提供了結(jié)構(gòu)性機(jī)遇。BASiC基本股份通過技術(shù)深耕、全產(chǎn)業(yè)鏈布局和高端市場(chǎng)突破，已展現(xiàn)出成為行業(yè)標(biāo)桿的潛力。未來，隨著行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)完善（如強(qiáng)制HTGB測(cè)試）與資本理性化（支持長(zhǎng)期研發(fā)），BASiC將引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)SiC從“低端內(nèi)卷”轉(zhuǎn)向“高端引領(lǐng)”，真正支撐新能源、電動(dòng)汽車等戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的自主可控需求。

審核編輯 黃宇