國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析，產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu)，才能實(shí)現(xiàn)從“低端內(nèi)卷”向“高端引領(lǐng)”的跨越。從“唯參數(shù)論”轉(zhuǎn)向“全生命周期質(zhì)量評(píng)估”，鼓勵(lì)長期技術(shù)投入。

一、國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET器件亂象的核心表現(xiàn)

無底線減薄柵氧以追求比導(dǎo)通電阻(Ron,sp)參數(shù)，造成長期可靠性的質(zhì)量事故頻發(fā)

部分廠商為在市場競爭中突出“先進(jìn)性”，在工藝條件受限的情況下無底線追求Ron,sp的宣傳噱頭，通過減薄柵氧化層厚度(如從50nm減至30nm以下)降低比導(dǎo)通電阻Ron,sp，但未同步優(yōu)化電場強(qiáng)度控制，導(dǎo)致碳化硅MOSFET柵氧在高電場、高溫工況下易發(fā)生經(jīng)時(shí)擊穿(TDDB)或閾值電壓漂移，器件壽命大幅縮短。例如，某些國產(chǎn)SiC MOSFET在19V高溫柵偏(HTGB)測試中不到1000小時(shí)即失效，而國產(chǎn)頭部企業(yè)的碳化硅MOSFET產(chǎn)品比如BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)可通過3000小時(shí)以上測試。

犧牲閾值電壓(Vth)穩(wěn)定性換取低導(dǎo)通電阻，造成應(yīng)用中誤導(dǎo)通，質(zhì)量事故頻發(fā)

通過調(diào)整摻雜濃度或工藝參數(shù)降低導(dǎo)通電阻，但導(dǎo)致閾值電壓對(duì)溫度敏感(如Vth在高溫下漂移超過±0.5V)，增加誤開通風(fēng)險(xiǎn)。部分廠商甚至將Vth設(shè)計(jì)值降至2V以下，卻顯著降低器件抗干擾能力。

二、國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象的成因

技術(shù)積累不足與研發(fā)路徑偏差

SiC MOSFET的柵氧可靠性涉及材料科學(xué)(如SiC/SiO?界面態(tài)控制)、工藝穩(wěn)定性(如高溫氧化工藝)及失效模型(如TDDB熱化學(xué)模型)的深度理解，而國內(nèi)多數(shù)企業(yè)起步較晚，技術(shù)積累薄弱，難以平衡性能與可靠性。

部分企業(yè)盲目對(duì)標(biāo)國際參數(shù)，忽視底層技術(shù)差異。例如，BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)通過自有晶圓廠持續(xù)技術(shù)迭代優(yōu)化電場分布，而部分廠商因設(shè)計(jì)和工藝能力限制，僅能通過簡化設(shè)計(jì)“優(yōu)化”參數(shù)。

市場競爭與資本壓力下的短期逐利行為

新能源汽車等下游市場對(duì)SiC需求激增，但國產(chǎn)替代窗口期有限(約3年)，部分廠商為搶占訂單，跳過可靠性驗(yàn)證(如TDDB、HV-H3TRB)直接量產(chǎn)，甚至簡化測試流程(如減少樣本量或縮短測試時(shí)間)。

資本對(duì)“參數(shù)亮眼”的偏好推動(dòng)企業(yè)犧牲質(zhì)量換融資。例如，某廠商宣傳“全球最低RDS(on)=7mΩ”，但未披露其柵氧壽命僅50年(國際標(biāo)準(zhǔn)通常要求200年以上)。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)缺失與執(zhí)行不嚴(yán)

國內(nèi)SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系尚未完善，部分企業(yè)未嚴(yán)格遵循JEDEC或AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，甚至自行定義“企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)”降低要求。例如，HTGB測試中僅采用常溫條件，掩蓋高溫失效風(fēng)險(xiǎn)。

第三方檢測機(jī)構(gòu)能力參差不齊，部分廠商通過選擇性送檢(如僅提供優(yōu)化批次樣品)獲取認(rèn)證，實(shí)際量產(chǎn)產(chǎn)品一致性差。

三、國產(chǎn)碳化硅MOSFET亂象的影響

市場信任危機(jī)與國產(chǎn)替代進(jìn)程受阻

終端客戶(如車企、光伏逆變器廠商)因頻繁出現(xiàn)柵氧擊穿、閾值漂移等問題，轉(zhuǎn)向進(jìn)口品牌。

劣質(zhì)產(chǎn)品引發(fā)“劣幣驅(qū)逐良幣”，頭部企業(yè)如基本半導(dǎo)體需投入額外資源進(jìn)行市場教育，間接推高國產(chǎn)替代成本。

技術(shù)升級(jí)停滯與產(chǎn)業(yè)內(nèi)卷化

低價(jià)競爭擠壓研發(fā)投入，2023年國內(nèi)SiC企業(yè)平均研發(fā)投入強(qiáng)度僅8%(國際大廠如英飛凌達(dá)15%)，導(dǎo)致高端技術(shù)(如溝槽柵、8英寸晶圓)突破緩慢。

行業(yè)陷入“參數(shù)競賽”而非“質(zhì)量競賽”，導(dǎo)致批量應(yīng)用中質(zhì)量事故頻發(fā)，碳化硅劣幣行為嚴(yán)重打擊了終端的客戶國產(chǎn)化替代的信心。

安全風(fēng)險(xiǎn)與法律糾紛隱患

SiC MOSFET廣泛應(yīng)用于高可靠性場景(如電動(dòng)汽車主驅(qū)、電網(wǎng)儲(chǔ)能)，若因柵氧失效引發(fā)系統(tǒng)故障，可能導(dǎo)致嚴(yán)重事故。例如，某國產(chǎn)SiC模塊在光伏逆變器中因閾值漂移導(dǎo)致誤觸發(fā)，造成電站停機(jī)損失超千萬元。

質(zhì)量問題可能觸發(fā)車企召回或法律訴訟，進(jìn)一步損害行業(yè)聲譽(yù)。2024年某新能源品牌因國產(chǎn)SiC模塊批次性問題被迫更換供應(yīng)商，直接損失達(dá)數(shù)億元。

四、國產(chǎn)碳化硅MOSFET破局路徑建議

強(qiáng)化技術(shù)深耕與產(chǎn)學(xué)研協(xié)同

頭部企業(yè)需聚焦核心技術(shù)如BASiC基本股份自研的柵氧電場優(yōu)化工藝，BASiC基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)聯(lián)合高校攻克材料與工藝瓶頸(如SiC/SiO?界面態(tài)控制)。

推動(dòng)IDM模式比如BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅(深圳基本半導(dǎo)體)芯片產(chǎn)線和汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊(無錫基本半導(dǎo)體)專用產(chǎn)線;BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn)，是國內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊(比如BASiC基本股份)量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。掌握全產(chǎn)業(yè)鏈能力，減少代工依賴導(dǎo)致的同質(zhì)化159。

建立統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)與質(zhì)量監(jiān)管體系

參考國際標(biāo)準(zhǔn)(JEDEC JEP184)制定國產(chǎn)SiC MOSFET可靠性測試規(guī)范，強(qiáng)制要求HTGB、TDDB等關(guān)鍵指標(biāo)。

引入第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)，實(shí)施動(dòng)態(tài)抽檢與黑名單制度，淘汰“參數(shù)造假”的國產(chǎn)碳化硅MOSFET企業(yè)。

政策引導(dǎo)與資本理性投入

國家專項(xiàng)基金應(yīng)優(yōu)先支持已驗(yàn)證可靠性的技術(shù)(如基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET自有工藝以及銅燒結(jié)封裝技術(shù))，而非單純追求“參數(shù)領(lǐng)先”。

資本方需調(diào)整評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，從“唯參數(shù)論”轉(zhuǎn)向“全生命周期質(zhì)量評(píng)估”，鼓勵(lì)長期技術(shù)投入。

結(jié)論

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)的亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu)，才能實(shí)現(xiàn)從“低端內(nèi)卷”向“高端引領(lǐng)”的跨越。頭部企業(yè)如基本半導(dǎo)體的技術(shù)突破已證明，以可靠性為核心競爭力的路徑更具可持續(xù)性。未來，行業(yè)需在政策、資本與市場的協(xié)同下，構(gòu)建“質(zhì)量優(yōu)先”的新生態(tài)，真正支撐起國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的全球競爭力。