破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

值此五一勞動(dòng)節(jié)之際，我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)業(yè)一線(xiàn)的科研人員、工程師、生產(chǎn)工人以及所有推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步的勞動(dòng)者致以崇高的敬意！是你們的智慧與汗水，讓中國(guó)在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭；是你們的堅(jiān)守與創(chuàng)新，為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。

傾佳電子（Changer Tech）-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢(shì)！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢(shì)！

以"三個(gè)必然"為舵，駛向自主可控的星辰大海

在"雙碳"目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下，電力電子行業(yè)正經(jīng)歷百年未有之變局。SiC碳化硅MOSFET以其耐高壓、高頻高效、低損耗的顛覆性性能，成為這場(chǎng)變革的核心引擎。傾佳電子楊茜提出的"三個(gè)必然"趨勢(shì)，正是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從追趕者向引領(lǐng)者跨越的宣言：

第一必然：模塊化替代的突圍之戰(zhàn)
當(dāng)SiC MOSFET模塊以更高效率、更小體積全面取代傳統(tǒng)IGBT和IPM模塊，我們見(jiàn)證的不僅是技術(shù)迭代，更是中國(guó)新能源汽車(chē)、工業(yè)電源等戰(zhàn)略領(lǐng)域擺脫進(jìn)口依賴(lài)的關(guān)鍵一躍。每一塊國(guó)產(chǎn)SiC模塊的量產(chǎn)，都是對(duì)"卡脖子"技術(shù)封鎖的有力回?fù)簟?/p>

第二必然：?jiǎn)喂芷骷膹澋莱?chē)
從IGBT單管到高壓硅MOSFET，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET單管以更優(yōu)的開(kāi)關(guān)性能和系統(tǒng)可靠性，正在重塑光伏逆變器、軌道交通、智能電網(wǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。這是中國(guó)企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域從"替代者"向"標(biāo)準(zhǔn)制定者"轉(zhuǎn)型的里程碑。

第三必然：低壓場(chǎng)景的全面革新
650V SiC MOSFET單管對(duì)超結(jié)MOSFET和GaN器件的替代，標(biāo)志著中國(guó)企業(yè)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)掌握主動(dòng)權(quán)。這場(chǎng)技術(shù)革命背后，是無(wú)數(shù)工程師在材料、工藝、封裝上的千萬(wàn)次實(shí)驗(yàn)與突破。

自主可控：一場(chǎng)必須打贏的產(chǎn)業(yè)攻堅(jiān)戰(zhàn)

在全球化逆流與技術(shù)壁壘高筑的今天，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的崛起承載著更深層的使命：

供應(yīng)鏈安全之錨：從襯底材料到芯片設(shè)計(jì)，從模塊封裝到驅(qū)動(dòng)集成，全產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化讓中國(guó)高端制造不再受制于人；

產(chǎn)業(yè)升級(jí)之劍：SiC器件的高效節(jié)能特性，直接推動(dòng)新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航提升15%、充電速度翻倍、工業(yè)設(shè)備能耗降低30%，這是中國(guó)實(shí)現(xiàn)綠色轉(zhuǎn)型的核心抓手；

國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)之盾：當(dāng)我們的SiC MOSFET批量應(yīng)用于海外客戶(hù)的供應(yīng)鏈時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正擁有了全球話(huà)語(yǔ)權(quán)。

致敬勞動(dòng)者：你們是追光路上的破浪者

在這個(gè)屬于勞動(dòng)者的節(jié)日里，我們尤其感懷：

實(shí)驗(yàn)室里徹夜不眠的科研團(tuán)隊(duì)，在SiC晶圓柵氧可靠性攻關(guān)中寫(xiě)下中國(guó)力量；

車(chē)間里精益求精的技工師傅，用先進(jìn)封裝工藝定義世界標(biāo)準(zhǔn)；

應(yīng)用前線(xiàn)的工程師們，在新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)、儲(chǔ)能變流器PCS、伺服驅(qū)動(dòng)器，光伏逆變器，工業(yè)變頻器，風(fēng)電變流器中驗(yàn)證中國(guó)方案的可靠性。

正是這些平凡而偉大的身影，讓"中國(guó)芯"在SiC的藍(lán)海中乘風(fēng)破浪。你們用雙手托起的不僅是半導(dǎo)體器件，更是一個(gè)民族產(chǎn)業(yè)挺起的脊梁。

未來(lái)已來(lái)，唯創(chuàng)新者勝！
當(dāng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖因SiC技術(shù)重構(gòu)時(shí)，中國(guó)勞動(dòng)者正以敢為人先的勇氣、十年磨一劍的定力，在這場(chǎng)世紀(jì)變革中刻下東方印記。讓我們繼續(xù)攜手，以"三個(gè)必然"為指引，在自主可控的道路上砥礪前行——因?yàn)槊恳活w國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET芯片的誕生，都是對(duì)"勞動(dòng)創(chuàng)造未來(lái)"最生動(dòng)的詮釋?zhuān)?/p>

致敬每一位國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)追光者，五一勞動(dòng)節(jié)快樂(lè)！

審核編輯 黃宇